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而光的波长也就是光的颜色,是由形成P-N结的材料决定的。
LED工艺概述
LED(LightEmittingDiode),发光二极管,简称LED,,是一种能够将电能转化为可见光的固态的半导体器件,它可以直接把电转化为光。
LED的心脏是一个半导体的晶片,晶片的一端附在一个支架上,一端是负极,另一端连接电源的正极使整个晶片被环氧树脂封装起来。
半导体晶片由两部分组成,一部分是P型半导体,在它里面空穴占主导地位,另一端是N型半导体,在这边主要是电子。
但这两种半导体连接起来的时候,它们之间就形成一个“P-N结”。
当电流通过导线作用于这个晶片的时候,电子就会被推向P区,在P区里电子跟空穴复合,然后就会以光子的形式发出能量,这就是LED发光的原理。
它是一种通过控制半导体发光二极管的显示方式,用来显示文字、图形、图像、动画、行情、视频、录像信号等各种信息的显示屏幕。
由于具有容易控制、低压直流驱动、组合后色彩表现丰富、使用寿命长等优点,广泛应用于城市各工程中、大屏幕显示系统。
LED可以作为显示屏,在计算机控制下,显示色彩变化万千的视频和图片。
LED是一种能够将电能转化为可见光的半导体。
LED外延片工艺流程:
近十几年来,为了开发蓝色高亮度发光二极管,世界各地相关研究的人员无不全力投入。
而商业化的产品如蓝光及绿光发光二级管LED及激光二级管LD的应用无不说明了III-V族元素所蕴藏的潜能。
在目前商品化LED之材料及其外延技术中,红色及绿色发光二极管之外延技术大多为液相外延成长法为主,而黄色、橙色发光二极管目前仍以气相外延成长法成长磷砷化镓GaAsP材料为主。
一般来说,GaN的成长须要很高的温度来打断NH3之N-H的键解,另外一方面由动力学仿真也得知NH3和MOGas会进行反应产生没有挥发性的副产物。
LED外延片工艺流程如下:
衬底-结构设计-缓冲层生长-N型GaN层生长-多量子阱发光层生-P型GaN层生长-退火-检测(光荧光、X射线)-外延片
外延片-设计、加工掩模版-光刻-离子刻蚀-N型电极(镀膜、退火、刻蚀)-P型电极(镀膜、退火、刻蚀)-划片-芯片分检、分级
具体介绍如下:
固定:
将单晶硅棒固定在加工台上。
切片:
将单晶硅棒切成具有精确几何尺寸的薄硅片。
此过程中产生的硅粉采用水淋,产生废水和硅渣。
退火:
双工位热氧化炉经氮气吹扫后,用红外加热至300~500℃,硅片表面和氧气发生反应,使硅片表面形成二氧化硅保护层。
倒角:
将退火的硅片进行修整成圆弧形,防止硅片边缘破裂及晶格缺陷产生,增加磊晶层及光阻层的平坦度。
分档检测:
为保证硅片的规格和质量,对其进行检测。
此处会产生废品。
研磨:
用磨片剂除去切片和轮磨所造的锯痕及表面损伤层,有效改善单晶硅片的曲度、平坦度与平行度,达到一个抛光过程可以处理的规格。
此过程产生废磨片剂。
清洗:
通过有机溶剂的溶解作用,结合超声波清洗技术去除硅片表面的有机杂质。
此工序产生有机废气和废有机溶剂。
RCA清洗:
通过多道清洗去除硅片表面的颗粒物质和金属离子。
具体工艺流程如下:
SPM清洗:
用H2SO4溶液和H2O2溶液按比例配成SPM溶液,SPM溶液具有很强的氧化能力,可将金属氧化后溶于清洗液,并将有机污染物氧化成CO2和H2O。
用SPM清洗硅片可去除硅片表面的有机污物和部分金属。
此工序会产生硫酸雾和废硫酸。
DHF清洗:
用一定浓度的氢氟酸去除硅片表面的自然氧化膜,而附着在自然氧化膜上的金属也被溶解到清洗液中,同时DHF抑制了氧化膜的形成。
此过程产生氟化氢和废氢氟酸。
APM清洗:
APM溶液由一定比例的NH4OH溶液、H2O2溶液组成,硅片表面由于H2O2氧化作用生成氧化膜(约6nm呈亲水性),该氧化膜又被NH4OH腐蚀,腐蚀后立即又发生氧化,氧化和腐蚀反复进行,因此附着在硅片表面的颗粒和金属也随腐蚀层而落入清洗液内。
此处产生氨气和废氨水。
HPM清洗:
由HCl溶液和H2O2溶液按一定比例组成的HPM,用于去除硅表面的钠、铁、镁和锌等金属污染物。
此工序产生氯化氢和废盐酸。
去除上一道工序在硅表面产生的氧化膜。
磨片检测:
检测经过研磨、RCA清洗后的硅片的质量,不符合要求的则从新进行研磨和RCA清洗。
腐蚀A/B:
经切片及研磨等机械加工后,晶片表面受加工应力而形成的损伤层,通常采用化学腐蚀去除。
腐蚀A是酸性腐蚀,用混酸溶液去除损伤层,产生氟化氢、NOX和废混酸;
腐蚀B是碱性腐蚀,用氢氧化钠溶液去除损伤层,产生废碱液。
本项目一部分硅片采用腐蚀A,一部分采用腐蚀B。
分档监测:
对硅片进行损伤检测,存在损伤的硅片重新进行腐蚀。
粗抛光:
使用一次研磨剂去除损伤层,一般去除量在10~20um。
此处产生粗抛废液。
精抛光:
使用精磨剂改善硅片表面的微粗糙程度,一般去除量1um以下,从而的到高平坦度硅片。
产生精抛废液。
检测:
检查硅片是否符合要求,如不符合则从新进行抛光或RCA清洗。
检测:
查看硅片表面是否清洁,表面如不清洁则从新刷洗,直至清洁。
包装:
将单晶硅抛光片进行包装。
芯片到制作成小芯片之前,是一张比较大的外延片,所以芯片制作工艺有切割这快,就是把外延片切割成小芯片。
它应该是LED制作过程中的一个环节
LED晶片的作用:
LED晶片为LED的主要原材料,LED主要依靠晶片来发光。
LED晶片的组成:
主要有砷(AS)铝(AL)镓(Ga)铟(IN)磷(P)氮(N)锶(Si)这几种元素中的若干种组成。
LED晶片的分类
1、按发光亮度分:
A、一般亮度:
R﹑H﹑G﹑Y﹑E等
B、高亮度:
VG﹑VY﹑SR等
C、超高亮度:
UG﹑UY﹑UR﹑UYS﹑URF﹑UE等
D、不可见光(红外线):
R﹑SIR﹑VIR﹑HIR
E、红外线接收管:
PT
F、光电管:
PD
2、按组成元素分:
A、二元晶片(磷﹑镓):
H﹑G等
B、三元晶片(磷﹑镓﹑砷):
SR﹑HR﹑UR等
C、四元晶片(磷﹑铝﹑镓﹑铟):
SRF﹑HRF﹑URF﹑VY﹑HY﹑UY﹑UYS﹑UE﹑HE、UG
LED晶片特性表:
LED晶片型号发光颜色组成元素波长(nm)晶片型号发光颜色组成元素波长(nm)
SBI蓝色lnGaN/sic430HY超亮黄色AlGalnP595
SBK较亮蓝色lnGaN/sic468SE高亮桔色GaAsP/GaP610
DBK较亮蓝色GaunN/Gan470HE超亮桔色AlGalnP620
SGL青绿色lnGaN/sic502UE最亮桔色AlGalnP620
DGL较亮青绿色LnGaN/GaN505URF最亮红色AlGalnP630
DGM较亮青绿色lnGaN523E桔色GaAsP/GaP635
PG纯绿GaP555R红色GAaAsP655
SG标准绿GaP560SR较亮红色GaA/AS660
G绿色GaP565HR超亮红色GaAlAs660
VG较亮绿色GaP565UR最亮红色GaAlAs660
UG最亮绿色AIGalnP574H高红GaP697
Y黄色GaAsP/GaP585HIR红外线GaAlAs850
VY较亮黄色GaAsP/GaP585SIR红外线GaAlAs880
UYS最亮黄色AlGalnP587VIR红外线GaAlAs940
UY最亮黄色AlGalnP595IR红外线GaAs940
其它:
1、LED晶片厂商名称:
A、光磊(ED)B、国联(FPD)C、鼎元(TK)D、华上(AOC)E、汉光(HL)F、AXTG、广稼。
2、LED晶片在生产使用过程中需注意静电防护。
LED显示屏分为图文显示屏和视频显示屏,均由LED矩阵块组成。
图文显示屏可与计算机同步显示汉字、英文文本和图形;
视频显示屏采用微型计算机进行控制,图文、图像并茂,以实时、同步、清晰的信息传播方式播放各种信息,还可显示二维、三维动画、录像、电视、VCD节目以及现场实况。
LED显示屏显示画面色彩鲜艳,立体感强,静如油画,动如电影,广泛应用于车站、码头、机场、商场、医院、宾馆、银行、证券市场、建筑市场、拍卖行、工业企业管理和其它公共场所。
LED历史
50年前人们已经了解半导体材料可产生光线的基本知识,1962年,通用电气公司的尼克•何伦亚克(NickHolonyakJr.)开发出第一种实际应用的可见光发光二极管。
LED是英文lightemittingdiode(发光二极管)的缩写,它的基本结构是一块电致发光的半导体材料,置于一个有引线的架子上,然后四周用环氧树脂密封,即固体封装,所以能起到保护内部芯线的作用,所以LED的抗震性能好。
发光二极管的核心部分是由P型半导体和N型半导体组成的晶片,在P型半导体和N型半导体之间有一个过渡层,称为P-N结。
在某些半导体材料的PN结中,注入的少数载流子与多数载流子复合时会把多余的能量以光的形式释放出来,从而把电能直接转换为光能。
PN结施加反向电压时,少数载流子难以注入,故不发光。
这种利用注入式电致发光原理制作的二极管叫发光二极管,通称LED。
当它处于正向工作状态时(即两端加上正向电压),电流从LED阳极流向阴极时,半导体晶体就发出从紫外到红外不同颜色的光线,光的强弱与电流有关。
最初LED用作仪器仪表的指示光源,后来各种光色的LED在交通信号灯和大面积显示屏中得到了广泛应用,产生了很好的经济效益和社会效益。
以12英寸的红色交通信号灯为例,在美国本来是采用长寿命、低光效的140瓦白炽灯作为光源,它产生2000流明的白光。
经红色滤光片后,光损失90%,只剩下200流明的红光。
而在新设计的灯中,Lumileds公司采用了18个红色LED光源,包括电路损失在内,共耗电14瓦,即可产生同样的光效。
汽车信号灯也是LED光源应用的重要领域。
对于一般照明而言,人们更需要白色的光源。
1998年白光的LED开发成功。
这种LED是将GaN芯片和钇铝石榴石(YAG)封装在一起做成。
GaN芯片发蓝光(λp=465nm,Wd=30nm),高温烧结制成的含Ce3+的YAG荧光粉受此蓝光激发后发出黄色光射,峰值550nm。
蓝光LED基片安装在碗形反射腔中,覆盖以混有YAG的树脂薄层,约200-500nm。
LED基片发出的蓝光部分被荧光粉吸收,另一部分蓝光与荧光粉发出的黄光混合,可以得到得白光。
现在,对于InGaN/YAG白色LED,通过改变YAG荧光粉的化学组成和调节荧光粉层的厚度,可以获得色温3500-1000
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- 关 键 词:
- LED