电化学硅Word文档格式.docx
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右下:
第一大孔硅芯片电容器(100nF的,10V)的一对大小匹配比较。
仪器仪表,科学,
材料及应用
作者
史丹泽博士莱曼
英飞凌科技股份公司
公司研究
奥托哈恩环6
81739慕尼黑
德国
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韦利-vCh与出版社有限公司
的D-69469魏因海姆,2002
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印在无酸纸
V钾成分Fotosatz公司,贝尔费尔登
斯特劳斯胶印印刷有限公司,
默伦巴赫
装订Groß
buchbindereij的沙弗
两合公司,格林施塔特
书号3-527-29321-3
致力于哈德利和其他同事,为很好的建议表示感谢
前言
硅一直并将继续成为最可能的主导材料半导体技术。
虽然无缺陷的硅晶体是一种单在材料的最佳理解系统科学,它的许多电化学人们仍然是炼金术的问题。
这种观点在一定程度上导致了跨学科该专题方面:
物理会见在硅电解质界面化学。
到目前为止,研究人员在这个主题感兴趣不得不选择其中专着这与在一般或最近半导体电化学处理版本有特殊主题,如例如,交易,发光性能微孔硅。
一书的作者,但缺乏专门的硅赋予其整个光谱电化学方面是我的动力写硅电化学。
有了这本书,我希望解决在科学界不同的团体。
对于在外地一本专题全面介绍初学者是由于在10
章节,包括一个简短的历史回顾和安全提示。
从业者将寻找灵感仪器以及广泛的应用实例从光子晶体的生物芯片。
专家指出该书可作为快速参考与150多个技术表格,图表和形貌,以及为CA。
1000参考列举了容易获得深入的信息。
我尽我所能去消除错误和不明确的描述,但我怀疑即使写作是受热力学定律。
所以,我欢迎评论从读者,并尝试纠正错误,他们发现。
内容
序言第七
1介绍,安全和仪器1
1.1早期的硅一电化学研究
1.2安全第一三
1.3硅5基本属性
7常见的电解质1.4
1.5电极11
1.6单元设计15
2化学溶解硅23
2.1基础的硅湿法加工23
2.2硅表面条件和清洁程序24
2.3化学蚀刻在碱溶液中27
2.4化学酸性溶液蚀刻30
2.5缺陷及联合划定33
2.6常见的选择性蚀刻薄膜材料36
3半导体电解质结39
3.1半导体基础知识电解质联系39
3.2硅电极的I-V特性42酸性电解质
3.3硅电极的I-V特性在碱性电解质49
4电化学溶解硅51
4.1电化学反应51
4.2溶解价57
4.3特征的高频电流阳极59
4.4反向电流,电子和空穴注入63
4.5电化学蚀刻停止68
4.6光电化学蚀刻72
X目录
5阳极氧化77
5.1氧化硅技术77
5.2本机和化学氧化物78
5.3阳极氧化膜的形成和离子运输79
5.4氧化形貌,化学成分和机电属性82
5.5电化学振荡89
5.6电解94
6电化学孔隙形成97
6.1孔隙形成的基础97
6.2多孔硅的形成模型99
6.3政权孔径及孔隙率增长104
6.4孔隙度,密度和孔隙比表面积108
6.5力学性能和干燥方法114
6.6化学成分和老龄化的影响117
6.7多孔硅的电性能120
7微孔硅127
7.1微孔的形成机理127
7.2形态微孔硅128
7.3吸收,反射和非线性光学效应133
7.4发光性能138
7.5量子监禁和150型号的发光过程
7.6氧化多孔硅159
7.7相关材料162
8介孔硅167
8.1孔的形成机理167
8.2在高掺杂的p型硅中孔171
8.3在高掺杂n型硅中孔174
8.4孔的形成和在低掺杂n型硅扣球177
8.5蚀刻的雪崩在低掺杂击穿坑的形成n型硅180
9介孔硅183
9.1大孔的形成机理183
9.2孔隙中的p型硅187
9.3在n型硅大孔形成现象190
9.4计算大孔生长和运输质量198
9.5设计规则和限制的大孔阵列的制备202
10应用207
10.1概述207
10.2硅电极性能和载流子浓度交流仿形208
10.3测绘扩散长度与缺陷211
10.4传感器和生物芯片219
10.5无源和有源光器件225
10.6多孔硅为基础的电子器件232
10.7牺牲层应用236
附录243
供应商参考249
参考文献251
主题索引273
主题索引
吸收
-化工220
-截面137
-系数136,212
-光133,145,212
承兑人赔偿52
积累39,44
酸性蚀刻30
活化能11,29,61
活动状态97,186
老化29,117
碱性蚀刻27,49,53,193
交流电性能126,208
双极扩散124
非晶硅131,164
各向异性蚀刻27,50-54
退火88,117
阳极氧化77-96,101,149
-化学组成86
-缺陷86,87
-密度78,85
-解散67
-88电性能
-etchrate69,83,92
-形成机制52,56,79
-增长速度81
-形态83,92
-多孔90
-折射率86
44-49阳极制度
防反光涂层227
反散射网239
申请207-241
原子力显微镜85
衰减全反射20
俄歇复合6,136,145,156
自催化33,163
雪崩击穿103,180
目前的212照片背面
带结构139,144,151,229
氟化氢55
生物芯片223
布拉格过滤器130,222,226
电气击穿88,103,168
击穿101被动
布鲁瑙尔-埃米特-112出纳方法
缓冲氧化层蚀刻36
电容电压曲线209
115毛细管力
载流子浓度剖面208
阴极政权45,51
单元设计15-22,214
-双19,214
-电解质循环21
-浸泡17
-内部72,75
-材料15
-O型圈16,18
-窗户16
化学
-解散23-38,53
-氧化物78
-抛光31
-反应51-57
-气相沉积234
化学机械抛光24,64,96
清洗24,57
裂解4,14,17
冷阴极232
准直仪239
胶体二氧化硅24
浓度7,201
导带39-50,128,144
接触14,39,120
接触角24
库仑封锁122
破解86,115
当前
-特点59-63,90
-关键的60
-效率83
-乘45,54,66
-孔尖59,195
-反向63-68
-瞬态64
电流电压特性41-50
-酸性42-49,65,80
-碱性41,49,50
-基础知识39
-氢氟酸42-49,60-68,178,
196
悬键121
暗电流65,217
德拜长度100
深能级瞬态谱211
缺陷
-划定33,70,217
-蚀刻35,178
-映射211
态密度121,145,150
脱氧核糖核酸113,223
消耗39,44
氘52,120,142
扩散
-系数7,107,125,200,212
-电流184
-掺杂114,123,234
-长度为6,100,191
-长图211
-有限聚集100
介质154,234,226
脱位1,34
解散
-化工23-38,110
-电化学11,51-75
-等级71
-氧化物27,36,67
-价54,57,94,111,189,200
溶解氧浓度26,54,63
二价解散46,54,57
双面电解接触214
1早期的研究
伊甸模型100
有效介质125,134
电气串联电阻208,236
电化学溶解51-75
电化学photocapacitance
光谱211
电极11-15,98
-柜台12
-几何85
-参考12
-旋转盘11,21,59,62
电致发光93,148,230
电解质7-11
-酸性39,42-49,52
-碱性39,49,52,81
-流通21,33
-对流52,107,200
-有机56,187
电解金属示踪72,214
电子注入46,49,54,63-68,91
电子自旋共振160
232电子设备
电解56,74,93,203,221
椭偏49.91
外延层转移239
环氧树脂21,28,241
等效电路208
etchpit34,97,180
etchrate
-铝37
-缺陷33
-氮化物36
-氧化物27,36,67,88
-多孔硅106-111
-硅24-38,94
etchstop50,68-72
交换劈裂143,155,158
激子138-159
Fabry-Perot腔滤波器228
菲克第一定律200
目前184场
过滤器72
-干扰222,226
-短通72,225
急救4
平带电位48,201
氟终止54
正面光212
完全隔离的多孔氧化硅
237
镓,铟14
恒电流12
恒电流特性79,82,90
气体传感器220
代率213
古埃-40查普曼模型
重力测量31,57,85,108
硬度114
霾35,85,218
亥姆霍兹层39,89,208
氟32,36,55,118
高频率resistometry43,209
山丘29,94
孔,定义40,97
光谱烧孔158
孔注射32,49,64,163,190
碳氢化合物25,87,117,119
氢氟酸
-性能7-11
-安全3,219
-传感器219
-4毒性作用
氢
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- 关 键 词:
- 电化学