LED行业技术开发基地报告要点Word格式文档下载.docx

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其中LED照明市场规模将达257亿美金，市场渗透率为31%。

预计近几年，LED市场将维持约25%的增长。

图2全球照明市场规模及LED照明市场规模（亿美元）和渗透率

2.福建省LED照明与显示行业现状

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2004年4月，厦门成为首批四个国家半导体照明工程产业化基地之一。

以厦门、福州为中心，与台湾LED产业进行全面对接，有力促进了台湾光电产业向海峡西岸的转移，正在建设全国乃至东南亚地区具有区域优势的LED产业基地。

2013年厦门被科技部评为全国半导体照明领域仅有的2家A类基地之一，LED产业总产值达450亿元，近十年来增长率一直稳居30%以上。

LED是我省十二五战略性新兴产业发展重点，该产业的集群效应逐渐凸显，已成为福建省新的经济增长点之一。

2014年福建光电总产值达到2060亿元。

经过近年来的布局和发展，福建省LED照明与显示产业的集群效应逐渐凸显，已成为福建省新的经济增长点之一。

在《福建省“十二五”信息产业发展专项规划》中，提出重点培育包括新型光电显示、LED照明等在内的光电产业集群。

“十二五”期间，福建省将LED照明与显示等光电产业作为重点发展的新的支柱产业。

以厦门和福州为重点，以LED照明与显示及太阳能光伏为桥梁，与台湾相关光电产业进行全面对接，有力促进了台湾光电产业向海峡西岸的转移，建设了全国乃至东南亚地区具有比较优势的光电产业基地。

福建省政府于2014年下达《福建省人民政府办公厅转发省信息化局关于福建省推广应用LED照明产品若干措施的通知》，大力推广LED在照明光源中的应用比重。

力争到2015年底前，新建照明工程普遍使用LED照明产品，已建照明工程基本完成照明产品改造。

通过实施LED照明工程，到2015年，实现本地区同比口径下照明节能（电）50%以上。

在福建省政府的宏观政策推动下，我省的LED市场容量已经较为庞大，并且存在巨大的提升空间。

3.厦门市LED光电产业现状

厦门的光电产业已经形成完整的产业链条，2014年总产值1162亿元，到2018年可实现总产值2500亿元以上。

图3厦门市LED光电产业现状

4.厦门市LED主要企业

厦门LED产业基地具备全产业链生态模式实现良性发展

图4厦门市主要LED光电企业

5.台湾省LED产业单位（部分）

台湾的LED产业发展与大陆和海峡西岸的LED产业能够实现全面对接和优势互补，企业之间、科研机构之间都能良好合作，共同培养好LED这一朝阳产业，实现两岸LED产业共同繁荣。

图5台湾主要LED光电企业

6.两岸合作发展前景

进一步开展深层次的合作，统筹协调，提高效率,需要加快推动两岸在标准、研发、专利等方面的实质性合作，实现两岸优势互补，打造华人共同品牌。

图6两岸半导体照明合作项目工作会议

7.福建省LED光电产业存在问题

LED照明和显示产业是知识密集、技术要求高、多学科交叉的产业。

我们应该清醒地认识到福建省工业基础相对较为薄弱，高端产品和领军人才缺乏。

在现有的条件下，大多数企业无论是从资金上还是技术上，都难以完成大规模的研发和应用推广。

我省的LED照明与显示产业可持续发展的技术支撑还不够强，加上力量分散导致研发支撑力度不足，产业资源不能优化集聚，产业格局急需整合，商业推广模式需要进一步探索，技术服务支撑体系尚未建立。

这些原因导致我省的光电产业规模还不够大，产品的技术档次还不够高，国际竞争力还不够强。

为此，亟需采取“政府支持，独立运作，服务社会”的方式，规划、建立一个服务于海峡西岸的LED照明与显示产业基地，提升LED照明与显示相关产品的质量和整体竞争力，促进台湾光电和电子相关产业向海峡西岸的转移。

存在主要问题：

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产品主要处于中低端。

产业链不够完整，产业集聚力有待增强。

虽然已建设了检测平台，但对产品研发过程的检测分析、仪器计量方面的支持不足。

研发能力偏弱，高端人才培育不足。

产品开发范围偏窄，对产品研发过程中的技术支撑不足。

新技术新产品储备较弱，对新产业的技术支撑如OLED，AC-LED的反应较慢。

二、基地条件和能力

1.平台构成

本产业技术开发基地的建设将主要依托厦门大学物理与机电工程学院进行建设。

厦门大学是国内最早设立半导体专业的五所高校之一，是国内最早设立半导体物理与器件物理博士点的单位之一，也是国内高校最早建立发光物理教研室。

在国家“985”和“211”重点建设经费支持下，厦门大学在光电和电子领域拥有一支高水平、专业化的技术力量，并拥有价值约1亿5千万元的光电和电子领域研发设备。

近年来，厦门大学光电和电子学科的发展为厦门大学物理学、材料科学进入全球ESI（基本科学指标数据库）世界前1%作出了重大的贡献。

表1为依托单位厦门大学物理与机电工程学院在光电领域的科技创新平台，表2为依托单位对LED照明和显示产业的学科支撑。

图7平台构成图

表1依托单位在光电领域的科技创新平台

序号

依托单位的相关科技创新平台名称

级别

1

教育部微纳光电子材料与器件工程研究中心

部级

2

福建省半导体照明工程技术研究中心

省级

3

福建省集成电路设计工程技术中心

4

福建省半导体材料及应用重点实验室

5

厦门市半导体照明检测认证中心

（与厦门市产品质量监督检验院共建）

市级

6

厦门市创新方法工程技术研究中心

7

厦门市光伏产业研发与公共检测平台

表2依托单位在光电领域的学科支撑

类别

学科名称

国家重点学科

凝聚态物理

博士后流动站

电子科学与技术、仪器科学与技术、物理学、信息与通信工程

一级学科博士

学位授权点

电子科学与技术、仪器科学与技术、物理学、信息与通信工程、机械工程

硕士学位

授权点

工科：

微电子学与固体电子学、物理电子学、电磁场与微波技术、光伏工程、精密仪器及机械、机械电子工程、仪器仪表工程、电气检测技术及仪器、光学工程

工程硕士：

仪器仪表工程、电子与通信工程

福建省

重点学科

电子科学与技术（优势学科培养）、仪器科学与技术（特色）、物理学（特色）、信息与通信工程

2.行业基地总体情况

·

基地的前世1957年，厦门大学与北京大学等五校联办半导体专门化，厦大也是全国最早开设半导体发光专业的高校。

基地的今生2006年10月，经省科技厅批准筹建“福建省半导体照明工程技术研究中心”，随后福建省政府出台了《福建省促进LED和光伏产业发展的实施意见》，旨在促进福建省LED及其相关产业的提升和发展，本中心就是在这样历史背景下建设。

3.目标定位

目标：

国内一流瞄准国际LED照明与显示领域的热点和重点问题，结合国家LED产业发展的需要，建设国内一流的半导体照明（LED）材料和器件及其检测技术的研发平台。

立足：

服务海西本基地主要服务于海峡西岸LED照明与显示企事业单位，重点服务福建省LED产业链所遇到的工程和技术问题，为福建省半导体照明相关产业的可持续发展提供公共研发和检测平台。

强调：

产学研结合积极承担LED相关的“863”计划、科技支撑计划以及福建省和厦门市重大科技和产业项目外，注重企业的实际需求，共同技术攻关。

4.基地总体情况

厦门大学在985工程一期就投入2000多万元人民币成立“半导体光子学研究中心”。

于2005年购买了一台进口MOCVD设备和相关设备，作为GaN基材料和器件的研究工作。

211工程第二期再投入1100万元，完善这一器件工艺线，其中用于购买的X射线衍射仪用于对生长得到的晶体质量进行分析，进口ICP刻蚀机用于GaN基LED器件管芯的制备工艺等等。

985工程二期投入6000多万元人民币主要用于半导体器件的研究设备，主要是用于半导体材料生长和器件工艺及材料和器件的测量分析。

其中主要包括：

电子束蒸发设备，进口AFM，扫描式电子显微镜，紫外可见分光光度系统，紫外分光光度计，共聚焦显微拉曼谱仪，阻抗测量系统，薄膜厚度测试仪，光学多道CCD光谱系统，YAG脉冲激光器，皮秒级荧光寿命分析系统，氦镉激光器等。

图8MOCVD设备和相关设备

于2007年成立的福建省半导体照明工程技术研究中心，建立了国内先进的半导体照明产品综合检测与研发平台，具备国际上一流的LED器件光学，电学，热学测试系统。

为本开发基地的研究提供了良好的测试分析条件，已具备完成材料生长、器件工艺和测量分析的实验条件。

图9半导体照明产品综合检测与研发平台

LED检测国家资质认证

公共检测和分析支撑

LED技术标准工作组

图10资质认定能力

图11领军人才

三、基地创新能力

1.技术开发能力

我们注重功率级半导体照明（LED）关键技术和重要科学问题的原创性研究，开展高效LED材料外延、器件工艺与结构优化、检测与质量控制研究，探索提高功率级LED器件量子效率的有效方法，促进其在照明中的应用。

2009年，我们成功开发出具有自主知识产权的新结构瓦级LED芯片，该技术通过连续改变有源层的量子阱区生长温度的方法获得渐变In组分的InGaN多量子阱结构，有效地提高了芯片的发光效率、波长稳定性、可靠性和寿命。

该系列研究成果发表后得到国际同行的广泛重视和高度评价，如国际知名半导体技术网站SemiconductorToday对该成果进行了专题报道。

我们在紫外LED研究方面也取得了突破性进展。

我们成功制备了量子点高度仅为1nm的高密度六棱台状GaN/AlN量子点，突破了高Al组分AlGaN材料中强极化场的制约，将紫外发光内量子效率提高到62%。

并将量子点作为紫外发光器件的有源层，成功实现了波长短至308nm量子点紫外电致发光，提高了器件工作波长的温度稳定性，即使把芯片温度升高到293°

C，其电致发光峰位仅红移了0.56nm。

该研究成果为未来高效率紫外乃至深紫外光源的开发奠定了基础。

为了有效抽取AlN基半导体所发射的深紫外光，首次引入厚度仅2-3个GaN分子的超薄层，形成超薄GaN/AlN超晶格量子结构，既有效地补偿了AlN晶体的各向异性，又可通过层间的失配应力维持深紫外区间的宽带隙，实现了光学各向同性深紫外光波导材料的开拓性工作。

相关成果已发表在ScientificReport和Laser&

PhotonicsReviews上。

石墨烯研究方面也取得了重要进展。

可以通过层数，以及