湿法腐蚀操作学习总结PPT资料.pptx
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若超过8小时不能打胶的,需要重新坚膜再打胶;
u每周一早班测试打胶速率:
使用“512”光刻胶,坚膜50分钟后测胶厚,用打胶程序打胶6.0分钟,测上、中、下三点胶厚,计算平均值,记录;
u打胶速率在50-120A/分钟则符合要求;
否则报告工艺工程师,待指示;
u所有坚膜后的晶片打胶时间均为6.0分钟,流程卡有特殊注明的则按流程卡要求生产。
2.打胶(打底膜)不良会导致的问题打胶(打底膜)不良会导致的问题u不论光刻时选用多大的曝光量、显影时间多长,显影出来的窗口都会留有一定的残余光刻胶,这层光刻胶必须去除才能保证腐蚀图形的正常。
u光刻胶在坚膜过程中会挥发出一定量的溶剂,部分会附着于图形窗口内,需要去除,若不去除干净,会导致腐蚀时染色等异常。
u坚膜、打胶过程中,特别要注意划伤,即使是轻微的划伤,他会导致腐蚀时图形异常,若腐蚀时才发现,划伤部分的产品只能报废了。
二二.BOE腐蚀腐蚀1.条件及点检:
条件及点检:
uBOE腐蚀液:
6:
1BOE;
u腐蚀温度:
221,酸槽内实测为准,每班做片前测一次;
u换酸周期:
累计做片120050片或时间满3天,满足其中一条即更换新酸,换酸后测腐蚀速率;
u腐蚀速率在105050A方可生产,否则通知工艺工程师,待指示;
u每周一、周五早班做片前作一次腐蚀速率监控,测上、中、下三点算平均,速率在105050A/分钟即符合要求,否则报告工艺工程师,待指示;
二二.BOE腐蚀腐蚀2.注意事项:
注意事项:
u距坚膜出炉时间8小时以内的批次(已打过胶了)可直接作BOE腐蚀;
超过8小时则重新坚膜、打胶。
重新坚膜的时间重新坚膜的时间为为10分钟;
打胶时间为分钟;
打胶时间为6.0分钟分钟;
u每班第一次做片,必须先作试片(按流程提供的参考时间中心值),冲水转干,自检合格再批量做片,若有异常,及时通知工艺工程师;
u本班内,没有CD要求的批次不再作试片,直接按流程卡提供的参考时间(中心值中心值)做片;
若有CD要求,必须作试片(试片时间按流程卡提供的参考时间中心值中心值),试片OK再作批量,若CD不合格,通知工艺工程师,待指示;
u凡有硅片正进行BOE腐蚀,操作员不能离开操作台附近!
二二.BOE腐蚀腐蚀3.BOE做片操作:
做片操作:
u做片前,检查水槽,应盛满DI水;
u待腐蚀硅片在DI水中DIP2次;
u硅片从DI水槽取出,抖一下提把,再放入BOE酸槽;
u硅片放入BOE中DIP35次(硅片不出液面),(硅片不出液面),开始计时;
u腐蚀过程中,每隔23分钟DIP35次(硅片不出液面)(硅片不出液面);
u腐蚀时间到,硅片在BOE酸槽里DIP2-3次,提出液面后在酸槽正上方抖一下提把,即放入盛满DI的水槽,在水槽中DIP35次,开始冲水;
u冲水过程中,取下提靶,放入水槽一侧和硅片一起冲水;
二二.BOE腐蚀腐蚀4.BOE腐蚀后去胶前检查腐蚀后去胶前检查u照强光灯,表面颜色均匀、一致;
u每花篮抽最后一片,显微镜用10倍物镜数检查上、中、下、左、右五点的腐蚀情况;
u要求:
线条清晰、无双线,腐蚀区域是纯白色,无脱胶、浮胶等;
u有CD要求的工序,读游标CD;
u有要求测氧化层剩余厚度的批次,测试时注意尽量找大的图形测试,调焦至显微镜里的六边形清晰测试;
u自检合格即可用H2SO4+H2O2去胶,否则报告工艺工程师,待指示。
提醒:
腐蚀时间长的批次,如发射区腐蚀、锑埋层腐蚀工序,最后几分钟加经常作DIP,否则容易残留100多埃不容易蚀净。
三铝腐蚀三铝腐蚀1.1.条件及点检条件及点检u做片前注意观察面板显示温度,要符合要求4446,每天夜班用温度检测一次;
u酸液开循环,无N2,温度稳定,u换酸周期:
每天12:
00前后视做片情况换酸,换掉两瓶,换酸前需提前30分钟把机台酸槽循环关掉,换酸后开循环和N2,至温度重新稳定1h左右才可以做试片,另液面不够时要及时补充,补充后也要开循环至温度稳定后30分钟才可作片。
u换酸后的第一批硅片,要先做试片。
u距坚膜出炉时间在8小时以内的批次(已打过胶了)可直接作铝腐蚀;
超过8小时则重新坚膜、打胶再作铝腐蚀,坚膜时间为30分钟,打胶时间为6.0分钟。
三铝腐蚀三铝腐蚀2.铝腐蚀做片:
u硅片隔片放置于晶舟;
u每班作的第一批片子,要先做试片,以下为正常做片参考时间,换酸后的试片时间视做片时“白雾”产生快慢适当调整。
u3.0um的铝,试片参考时间为640;
u1.8um的铝,试片参考时间为430;
u1.0um的铝硅,试片时间为210。
u实际做片时,要注意观察做片过程中的温度变化和反应情况:
u若温度主要在45.5以上时间较多,可稍为减少腐蚀时间;
u若温度主要在45或以下,要稍为增加腐蚀时间。
u试片合格则批量做片,若试片不合格,报告工艺工程师,待指示;
3.23.2铝腐蚀做片:
铝腐蚀做片:
u每班后续的批次,可以不再试片,依前面的批量腐蚀时间做片(不同铝层厚度除外);
u特别注意:
15左右提起晶舟一次,完全提出液面并停留2-3秒或抖一下提把,当硅片表面能观察到较明显的白雾,表明提起晶舟的间隔时间太长,即应该增加的次数。
u注意观察硅片腐蚀中表面的变化,提高目视判断能力,当硅片表面的图形变得清晰,没有白雾状产生,再增加20-30秒即可。
u腐蚀前,先将水槽注满DI水,留意水压是否正常,若水压太低,停止做片,报告站长,待指示;
u腐蚀时间到,将硅片从酸槽提出来,尽快在DI水里快速DIP8-10次(表面没有明显的粘稠酸迹),即刻开始冲水,注意DI水的压力,压力异常及时通知站长;
DI水槽注满水后,再DIP5-8次,取下提靶,和硅片一起冲水;
三铝腐蚀三铝腐蚀3.样片检查u强光灯下,表观无异常颜色及条纹;
u显微镜下,铝条之间完全无铝,腐蚀干净、铝条边线清晰、基本陡直、无缺口、无毛刺;
u显微镜下,无脱胶、浮胶等现象。
u铝硅腐蚀的硅片,显微镜下,铝条要求如上,硅点细密、均匀,划片道及铝条间无大颗粒。
漂硅点u酸液配方:
硝酸:
醋酸:
氢氟酸=12:
34:
1;
u漂硅点的时间为20秒(干法刻蚀的铝硅漂10秒);
u操作:
u首先将水槽注满DI水;
u直接将硅片放入酸槽中静置20秒,中间不DIP;
u时间到,迅速提出晶舟放入DI水槽,DIP5-8次,开循环冲水,10个cycle;
每做满30050片或3天,符合一个条件即换酸,换酸后需用提靶将酸液搅拌均匀,静置1h后方可生产;
若液位不够,则按照比例添加新酸,添加新酸后搅拌均匀,1小时后才可生产。
注意:
若漂硅点之后硅片有异常,通知工艺工程师,待指示。
四四.钝化腐蚀钝化腐蚀1.条件及点检条件及点检u每周一、周五,早班作腐蚀速率测试,腐蚀速率在45005500A/分钟之间即合格,否则报告工艺工程师,待指示;
u腐蚀液配方:
现有钝化腐蚀液中加入1/10的醋酸(即:
钝化腐蚀液:
醋酸醋酸=10:
1)酸槽温度:
2123,每天夜班检测一次温度;
每作满1000100片或3天,符合一个条件即换酸;
换酸后测腐蚀速率;
u做片前检查水槽的水压是否正常、若水压偏低,暂停做片,报告站长,待指示;
u检查显板温度是否正常,不符合要求,暂停做片,待温度符合。
四四.钝化腐蚀钝化腐蚀2.湿法钝化腐蚀做片操作湿法钝化腐蚀做片操作u做片时,硅片隔片放置;
u水槽注满足DI水;
u关掉操作台面灯光,关上黑帘,整个腐蚀过程严禁拉开黑帘!
整个腐蚀过程严禁拉开黑帘!
u放入硅片,DIP3次,硅片不能出液面;
u每20秒DIP2次,或一直作缓慢的DIP,所有DIP都不能出液面;
u腐蚀时间依最近一次所测得的速率计算,参考时间:
3.0分钟;
u腐蚀时间到,迅速放入水槽快速DIP8-10次,即刻冲水,注意水压是否正常,若有异常,及时通知站长;
uDI水槽注满水时,再水槽注满水时,再DIP5-8次(硅片不出水面),次(硅片不出水面),冲水过程中,提靶取下来放入水槽中一起冲水,冲水10个Cycle;
u冲水、转干后,尽快作自检,自检合格,尽快去胶;
六.铝腐蚀、钝化腐蚀后的去胶1.条件:
条件:
u腐蚀冲水转干后到开始去胶之间的时间间隔不能超过120分钟。
u保持台面干净,尤其是酸槽与水槽间干净;
u铝腐蚀和钝化腐蚀的硅片,首先用“干法去胶机”去胶60分钟,再用金属去胶液煮90分钟(正常时间),在金属去胶液中要求每十分钟DIP5-8次,晶片不出液面;
每满1000100片或3天,满足一个条件即换新酸;
u湿法去胶之前,先将DI水槽注满水,注满水以后,才可以将去胶槽的盖子打开,放入硅片进行去胶;
u注水过程中检查水压是否正常、检查去胶酸槽温度是否在80-90之间,若有异常,通知站长,待指示。
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