全TTL门电路Word格式.docx
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图2
(1)开启时间ton:
三极管从截止到饱和所需的时间。
ton=td+tr
td:
延迟时间tr:
上升时间
(2)关闭时间toff:
三极管从饱和到截止所需的时间。
toff=ts+tf
ts:
存储时间(几个参数中最长的;
饱和越深越长)
tf:
下降时间
toff>
ton。
开关时间一般在纳秒数量级。
高频应用时需考虑。
3.TTL反相器(Transistor-TransistorLogic)
图3
图4
Ø
采用推拉式输出级利于提高开关速度和负载能力
VT3组成射极输出器,优点是既能提高开关速度,又能提高负载能力。
当输入高电平时,VT4饱和,uB3=uC2=0.3V+0.7V=1V,VT3和VD截止,VT4的集电极电流可以全部用来驱动负载。
当输入低电平时,VT4截止,VT3导通(为射极输出器),其输出电阻很小,带负载能力很强。
可见,无论输入如何,VT3和VT4总是一管导通而另一管截止。
这种推拉式工作方式,带负载能力很强。
图5
图6
图7
图8
图9
两个重要参数:
(1)输入短路电流IIS
当uI=0V时,iI从输入端流出。
iI=-(VCC-UBE1)/R1=-(5-0.7)/4≈-1.1mA
(2)高电平输入电流IIH
当输入为高电平时,VT1的发射结反偏,集电结正偏,处于倒置工作状态,倒置工作的三极管电流放大系数β反很小(约在0.01以下),所以
iI=
IIH=β反
iB2
IIH很小,约为10μA左右。
输入负载特性
TTL反相器的输入端对地接上电阻RI时,uI随RI的变化而变化的关系曲线。
图10
图11
图12
(1)关门电阻ROFF——在保证门电路输出为额定高电平的条件下,所允许RI的最大值称为关门电阻。
典型的TTL门电路ROFF≈0.7kΩ。
(2)开门电阻RON——在保证门电路输出为额定低电平的条件下,所允许RI的最小值称为开门电阻。
典型的TTL门电路RON≈2kΩ。
数字电路中要求输入负载电阻RI≥RON或RI≤ROFF,否则输入信号将不在高低电平范围内。
振荡电路则令ROFF≤RI≤RON使电路处于转折区。
图13
图14
图15
图16
图17
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