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例如,物质的一头带正电荷,另一头带负电荷。
或者我们把某物质的某种电荷移走一部分,这个物质就剩下与移走的电荷的反电荷,数量相同,这个物质也就带电了。
通常的方法是摩擦起电或感应起电或接触起电。
摩擦起电:
用丝绸摩擦玻璃棒,玻璃棒上就产生了正电荷。
感应起电:
用一个带某种电荷的物体,靠近另一个电中性的物体,这个电中性的物体的异种电荷被带电物体吸引,靠近带电物体,同种电荷被排斥到另一头。
接触起点:
一个带电物体接触一电中性的物体,带电物体所带的电荷移动一部分到电中性的物体,电中性的物体也带电了。
如果我们把物质的某种电荷移走,但是该物质能源源不断的补充这种电荷,这叫电源。
第二讲电流、电压、电阻和欧姆定律
一、电流
电荷的定向移动,形成电流。
为什么要加上“定向”呢?
因为物质里面的电荷是无时无刻的在运动着,但不定向自由运动,就不能形成电流。
二、电压
电压是形成电流的要素,一根导体两端如果有电压,这根导体上就产生了电流。
上一讲谈到的电源,有电压的电源,也有电流的电源,他们是可以相互转换的。
三、电阻
阻碍电流通过的物体是电阻,任何有形物质都具有电阻的特征。
只是阻碍电流能力的强弱而已。
如铜棒,木棒,水,空气。
任何物质都有其特定的电阻率,电阻率是描述一个物质单位截面积、单位长度所表现出来的电阻的大小的一个参量。
如铜的电阻率比铁的电阻率小,则铜比铁更容易导电,阻碍电流的能力也小。
四、欧姆定律
电流、电压和电阻三者之间的关系,称欧姆定律。
电流与电压成正比,与电阻成反比。
如果用I表示电流,U表示电压,R表示电阻,则
其中电流I的单位是安培,简称安,用A表示;
还有毫安培,用mA表示,简称毫安;
以及微安培,用uA表示,简称微安。
1A=1000mA;
1mA=1000uA;
另外,电压U的单位是伏特,简称伏,用V表示;
还有毫伏特,用mV表示,简称毫伏;
以及微伏特,用uV表示,简称微伏。
1V=1000mV;
1mV=1000uV;
还有电阻R,单位是欧姆,简称欧,用Ώ表示;
还有千欧姆,用KΏ表示,简称千欧;
以及兆欧姆,用MΏ表示,简称兆欧。
1MΏ=1000KΏ;
1KΏ=1000Ώ;
欧姆定律可以描述为1V的电压与1Ώ的电阻的比值就是1A的电流。
在电子技术领域,用到千安培、千伏特和毫欧姆等单位的比较少见。
第三讲电阻器的认识
导线的电阻很小,如1m长度1mm2的铜线器电阻不到0.1Ω。
而电子技术中有时需要用到较大的电阻,那需要很长的导线,不但价格贵,安装也不方便。
所以人们设法用廉价物质通过刻槽的方法制造出电阻器,所需的阻值可以任意刻出来,批量造价不到1分钱,这就给使用电阻带来了方便。
制造出来的电阻器简称电阻。
1.电阻的符号和表示方法:
R1表示电阻的序号,即这是图中的第1个电阻;
1.2KΩ表示这个电阻的阻值,也可简写为1.2K或1K2。
2.电阻的标称值
国际标准标称电阻采用E24系列,即把1-10之间的电阻分为不等份24份,如:
1,1.1,1.2,1.3,1.5,1.6,1.8,2,2.2,2.4,2.7,3,3.3,3.6,3.9,4.3,4.7,5.1,5.6,6.2,6.8,7.5,8.2,9.1;
以及上述这些标称值乘以10的n次方,包括10的-1次方(0.1~0.91),10的0次方(上述数字本身),一直到10的6次方(1M~9.1M)。
3.电阻的色环表示
现代电子产品体积较小,电阻上不能印刷文字来表示阻值,用一圈圈不同的颜色来表示,参见相关书籍。
4.电阻的串联
R总=R1+R2=12K+1K2=13K2
12KΩ可以简写为12K,1.2KΩ可以简写为1K2。
串联电阻总的阻值为若干个电阻的和
问答题:
1)两个相同的电阻串联,总的阻值是?
2)
1个很大阻值的电阻和一个很小阻值的电阻串联,总阻值由哪一个占主导?
5.电阻的并联
并联电阻总阻值的倒数为各电阻倒数的和
1/R总=1/R1+1/R2=1/12K+1/1K2
或并联电阻总的阻值为若干个电阻的乘积除以若干个电阻的和。
1)两个相同的电阻并联,总的阻值是?
1个很大阻值的电阻和一个很小阻值的电阻并联,总阻值由哪一个占主导?
课后可多设置一些电阻串联、并联和混合联(本文从略)计算以加深印象。
第四讲电容器
顾名思义,电容器就是盛电的容器,简称电容,他是由两块平行板相隔一定的距离,引出两根引线而形成的,根据平行板的面积和间距决定这个电容器能盛多少的电,电就是电荷,电容器的大小在一定程度上(如保持一定的电压时)就是指能盛电荷量的多少。
电容器的大小与平行板的面积成正比,与平行板的距离成反比。
电容器的符号与他的定义很形象,如下图,用Cx来表示序号,下方0.1uF指的是其容量值的大小。
电容器量纲的基本单位是法拉,简称法,用F表示,由于这个量纲表达的电容很大,所以电子技术中不用法拉做单位,而是用微法拉作单位,或者用皮法拉做单位,一个微法拉是10的-6次方法拉。
一个皮法拉是10的-6次方微法拉。
微法拉用uF表示,皮法拉用PF表示。
近年来,又相应推出了纳法拉(nF)和毫法拉(mF)做单位。
即:
1F=1000mF
1F=1000000uF
1uF=1000nF
1uF=1000000PF
电容器上的电荷是被慢慢的充电充进去的,一个特定容量的电容器,所充进去的电荷数目越多,其两端的电压就越高,但是不能高于该电容器额定的电压值,每一个电容器除了标注有电容量外,还标注有限制电压,称耐压,普通小容量(1uF)的耐压往往在50V以上,且不分电压极性,可以两端对调使用;
而大容量的(称电解电容)的耐压往往达到25V以上的,有电压极性的标注,使用时,我们不能接反。
1uF以上的大容量电容器往往是铝电解电容器,还有钽(tan)电解和铌(ni)电解电容器,后两种损耗低漏电小价格高。
一般我们见到的电解电容器都是铝电解电容器。
电容器上所加的电压如果超过限定值,就有爆炸的可能,电容量越大,爆炸的威力也大,使用时要小心。
电解电容器接反时,容量严重减小,耐压大大降低,损耗严重。
电解电容器的的符号比普通电容器多了个“正”号,有“正”号的那边是正极,另一边是负极。
如下图。
图中63V是限定电压,即耐压,指外电路只能加入比63V小一些的电压。
电容器的主要特性是能通过交流电,而阻挡住直流电。
电容器的容量越大,就越能通过频率高的交流电。
所谓交流电,是指大小能随时间交变变化的电源,也叫交流信号,每秒钟交变的次数称为交流电的频率,单位为赫兹(Hz),如1000Hz是指这个交流电信号每秒交变1000次。
第五讲信号
一、直流电源
1.直流电压源
典型的直流电源是干电池,还有各种蓄电池,可以用
来表示,属于直流电源的一种,上面长横线是正极,下面短横线是负极,用E表示,右侧可注明电池的压,两个以上相同的电池串联称电池组。
还有可以从高压交流220V转换来的电源,广义的直流电压源符号为
直流电压源用于向外提供电压能量,以便使各种电子电路正确的工作。
直流电压源在一定的条件下其两端的电压是相对稳定的。
任何电压源都有其自身内阻的特性,一般较小,所以往往在分析计算时被忽略。
2.直流电流源
直流电流源向外提供稳定的直流电流,其广义的符号为
所示。
我们认为,电流源的内阻一般较大,计算时其内阻往往被也忽略。
电压源和电流源之间可以相互转换,可参考相关书籍,关于戴维南定理和诺顿定理章节。
二、交流电源
交流电源是指正负端随时间交替变化的电源,一般我们按正弦规律变化的来分析。
本节未完待续
注:
上“图”太复杂,留着以后改版升级后再加,或抽空加。
给网站提难题了,勿怪
第五讲
(二)
继续
0.5V直流电和0.5V有效值交流电如果接入相同的电阻,其电阻上产生的热量是相同的。
文中,电压源内阻较小时,缺一个“阻”字
第六讲半导体的基础知识
物质导电能力的大小是用导体和绝缘体来表征的,导体的导电能力强,绝缘体的导电能力弱;
导电能力介于导体和绝缘体之间的物质,就称为半导体;
常见的半导体有硅(Si)和锗(Ge),这是单质半导体;
还有化合物半导体砷化镓(GaAs)和磷化镓(GaP);
当半导体受热、光、杂质的影响后,其导电能力急剧上升,这是和导体、绝缘体有所不同的;
完全纯净的且晶格完整的(晶格,物质结构专有名词,这里不展开讲述)半导体称本征半导体;
本征半导体在绝对0°
K(自然环境不存在)和无光照的情况下,和绝缘体是相近的,是不导电的;
当掺入杂质后,导电能力才急剧上升。
但是达不到导体的程度;
常规情况下,半导体都是4价的。
即原子的最外层有4个电子。
受热或受光照后,其中的1-4个就会获得能量脱离原子核的束缚,自由运动,能够导电,称为自由电子,同时出现了1-4个空位,称为空穴,空穴也是能导电的。
这叫做热激发;
当掺入杂质后,就破坏了原子结构,掺入5价元素,每个原子就多了一个电子,掺入3价元素,每个原子就少了一个电子即多出了一个空穴;
我们正是利用掺杂才将半导体制作成为对我们有用的物质----杂质半导体;
当掺入3价硼(B)原子,每个原子周围就比半导体原子少了一个电子,对半导体整体来说,就出现了一个空位,称为空穴,这个空穴是带正电荷的。
含有空穴的半导体称P型半导体,空穴(带正电荷)也是能导电的,就像电影院里的一个空座位,人挨个往空座位方向移动时,空座位就从这一头移动到了另一头,所以说,空穴(带正电荷)也能导电;
当掺入5价磷(P)原子,每个原子周围就比半导体原子多了一个电子,对半导体整体来说,就多出了一个电子。
这个电子不受原子核束缚,可以自由移动导电,称自由电子,自由电子是能导电的。
含有自由电子的半导体(这个自由电子与受光和热激发出来的自由电子不同,这个是多出来的,没有空穴与之对应)称为N型半导体;
自由电子和空穴相遇时,自由电子就可能呆在了空穴的位置,称为复合。
第七讲PN结的形成
关于上一讲,谈到的自由电子和空穴,我们可以都冠以“载流子”(承载能形成电流的粒子)这个名词。
N型半导体中,除了含有因掺入5价元素(如P)杂质而产生的自由电子外,也有空穴,空穴是因为热激发而产生的“自由电子空穴对”中的空穴。
我们把N
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