基于单片机温度控制系统设计的检测环节毕设论文文档格式.docx

基于单片机温度控制系统设计的检测环节毕设论文文档格式.docx

《基于单片机温度控制系统设计的检测环节毕设论文文档格式.docx》由会员分享，可在线阅读，更多相关《基于单片机温度控制系统设计的检测环节毕设论文文档格式.docx（25页珍藏版）》请在冰豆网上搜索。

4.1.1主板电路设计11

4.1.2各部分电路11

4.2系统软件设计13

4.2.1系统软件设计整体思路13

4.2.2系统程序流图13

4.2.2系统程序代码15

5结束语28

参考文献29

1概述

1.1简述

单片机在测控领域中具有十分广泛的应用，它既可以直接处理电信号，也可以间接处理温度、湿度、压力等非电信号。

由于该特点，因而被广泛应用于工业控制领域。

本文正是基于温度传感器和单片机而构建的电路，进而完成温度的测量和显示。

温度传感器的发展经历了三个发展阶段：

①传统的分立式温度传感器

②模拟集成温度传感器

③智能集成温度传感器。

目前使用最广的是智能温度传感器（亦称数字温度传感器），是在20世纪90年代中期问世的。

它是微电子技术、计算机技术和自动测试技术（ATE）的结晶，特点是能输出温度数据及相关的温度控制量，适配于各种微控制器（MCU）。

社会的发展使人们对传感器的要求也越来越高，现在的温度传感器正在基于单片机的基础上从模拟式向数字式，从集成化向智能化、网络化的方向飞速发展，并朝着高精度、多功能、总线标准化、高可靠性及安全性、开发虚拟传感器和网络传感器、研制单片测温系统等高科技的方向迅速发展，本文将介绍了智能集成温度传感器DS18B20的结构特征及控制方法，并以此传感器为测温元件，AT89S51单片机为控制核心，构成的数字温度测量装置，并对其的工作原理及程序设计作了详细的介绍。

1.2温度控制系统的目的

本设计的内容是温度测试控制系统，控制对象是温度。

温度控制在日常生活及工业领域应用相当广泛，比如温室、水池、发酵缸、电源等场所的温度控制。

而以往温度控制是由人工完成的而且不够重视，其实在很多场所温度都需要监控以防止发生意外。

针对此问题，本系统设计的目的是实现一种可连续高精度调温的温度控制系统，它应用广泛，功能强大，小巧美观，便于携带，是一款既实用又廉价的控制系统。

2系统主要元器件介绍

2.1单片机的选用及功能介绍

AT89S51是美国ATMEL公司生产的低功耗，高性能CMOS型8位单片机，片内含4Kbytes的可编程的Flash只读程序存储器，兼容标准8051指令系统及引脚。

它集FlashROM程序存储器，并支持可在线编程（ISP）功能；

另一方面，由于价格低、因而被广泛应用于许多高性价比的场合，如工业控制、消费电子等各种控制领域，对于简单的测温系统而言，它已经足够。

单片机AT89S51具有低电压供电和体积小等特点，四个端口只需要两个口就能满足电路系统的设计需要，很适合便携手持式产品的设计使用系统可用二节电池供电。

设计中采用89S51单片机。

其主要特性如下：

✧与MCS-51产品指令系统完全兼容；

✧4K字节可编程闪烁存储器；

✧1000擦写周期；

✧4.0~5.5V工作电压范围；

✧全静态工作：

0Hz-33MHz；

✧程序存储器具有3级加密保护；

✧128*8位内部RAM；

✧32可编程I/O线；

✧两个16位定时器/计数器；

✧6个中断源和2个优先级；

✧可编程全双工串行通道；

图2.189S51单片机引脚

✧低功耗的闲置和掉电模式；

✧看门狗（WDT）及双数据指针；

✧具有JTAG接口，可方便地在线编程或在系统编程。

AT89S51单片机为40引脚双列直插式封装。

其引脚排列和逻辑符号如图2.1所示。

各引脚功能简单介绍如下：

✧VCC：

供电电压。

✧GND：

接地。

✧P0口：

P0口为一个8位漏级开路双向I/O口，每个管脚可吸收8TTL门电流。

当P1口的管脚写“1”时，被定义为高阻输入。

P0能够用于外部程序数据存储器，它可以被定义为数据/地址的第八位。

在FLASH编程时，P0口作为原码输入口，当FLASH进行校验时，P0输出原码，此时P0外部电位必须被拉高。

✧P1口：

P1口是一个内部提供上拉电阻的8位双向I/O口，P1口缓冲器能接收输出4TTL门电流。

P1口管脚写入“1”后，电位被内部上拉为高，可用作输入，P1口被外部下拉为低电平时，将输出电流，这是由于内部上拉的缘故。

在FLASH编程和校验时，P1口作为第八位地址接收。

✧P2口：

P2口为一个内部上拉电阻的8位双向I/O口，P2口缓冲器可接收，输出4个TTL门电流，当P2口被写“1”时，其管脚电位被内部上拉电阻拉高，且作为输入。

作为输入时，P2口的管脚电位被外部拉低，将输出电流，这是由于内部上拉的缘故。

P2口当用于外部程序存储器或16位地址外部数据存储器进行存取时，P2口输出地址的高八位。

在给出地址“1”时，它利用内部上拉的优势，当对外部八位地址数据存储器进行读写时，P2口输出其特殊功能寄存器的内容。

P2口在FLASH编程和校验时接收高八位地址信号和控制信号。

✧P3口：

P3口管脚是8个带内部上拉电阻的双向I/O口，可接收输出4个TTL门电流。

当P3口写入“1”后，它们被内部上拉为高电平，并用作输入。

作为输入时，由于外部下拉为低电平，P3口将输出电流（ILL），也是由于上拉的缘故。

P3口也可作为AT89C51的一些特殊功能口：

P3.0RXD（串行输口）；

P3.1TXD（串行输出口）；

P3.2INT0（外部中断0）；

P3.3INT1（外部中断1）；

P3.4T0（定时器0外部输入）；

P3.5T1（定时器1外部输入）；

P3.6WR（外部数据存储器写选通）；

P3.7RD（外部数据存储器读选通）。

同时P3口同时为闪烁编程和编程校验接收一些控制信号。

✧RST：

复位输入。

当振荡器复位器件时，要保持RST脚两个机器周期的高电平时间。

✧ALE/PROG：

当访问外部存储器时，地址锁存允许的输出电平用于锁存地址的地位字节。

在FLASH编程期间，此引脚用于输入编程脉冲。

在平时，ALE端以不变的频率周期输出正脉冲信号，此频率为振荡器频率的1/6。

因此它可用作对外部输出的脉冲或用于定时目的。

然而要注意的是：

每当用作外部数据存储器时，将跳过一个ALE脉冲。

如想禁止ALE的输出可在SFR8EH地址上置0。

此时，ALE只有在执行MOVX，MOVC指令时ALE才起作用。

另外，该引脚被略微拉高。

如果微处理器在外部执行状态ALE禁止，置位无效。

✧PSEN：

外部程序存储器的选通信号。

在由外部程序存储器取址期间，每个机器周期PSEN两次有效。

但在访问外部数据存储器时，这两次有效的PSEN信号将不出现。

✧EA/VPP：

当EA保持低电平时，访问外部ROM；

注意加密方式1时，EA将内部锁定为RESET；

当EA端保持高电平时，访问内部ROM。

在FLASH编程期间，此引脚也用于施加12V编程电源（VPP）。

✧XTAL1：

反向振荡放大器的输入及内部时钟工作电路的输入。

✧XTAL2：

来自反向振荡器的输出。

2.2DS18B20温度传感器介绍

每一片DSl8B20在其ROM中都存有其唯一的48位序列号，在出厂前已写入片内ROM中。

主机在进入操作程序前必须用读ROM（33H）命令将该DSl8B20的序列号读出。

DS18B20的测温原理如下，低温度系数晶振的振荡频率受温度的影响很小，用于产生固定频率的脉冲信号送给减法计数器1，高温度系数晶振随温度变化其震荡频率明显改变，所产生的信号作为减法计数器2的脉冲输入，图中还隐含着计数门，当计数门打开时，DS18B20就对低温度系数振荡器产生的时钟脉冲后进行计数，进而完成温度测量。

计数门的开启时间由高温度系数振荡器来决定，每次测量前，首先将-55℃所对应的基数分别置入减法计数器1和温度寄存器中，减法计数器1和温度寄存器被预置在-55℃所对应的一个基数值。

减法计数器1对低温度系数晶振产生的脉冲信号进行减法计数，当减法计数器1的预置值减到0时温度寄存器的值将加1，减法计数器1的预置将重新被装入，减法计数器1重新开始对低温度系数晶振产生的脉冲信号进行计数，如此循环直到减法计数器2计数到0时，停止温度寄存器值的累加，此时温度寄存器中的数值即为所测温度。

图中的斜坡累加器用于补偿和修正测温过程中的非线性，其输出用于修正减法计数器的预置值，只要计数门仍未关闭就重复上述过程，直至温度寄存器值达到被测温度值。

1、DS18B20的性能特点如下：

1）独特的单线接口方式，DS18B20在与微处理器连接时仅需要一条口线即可实现微处理器与DS18B20的双向通讯；

2）测温范围－55℃～＋125℃，固有测温分辨率0.5℃；

3）支持多点组网功能，多个DS18B20可以并联在唯一的三线上，最多只能并联8个，如果数量过多，会使供电电源电压过低，从而造成信号传输的不稳定，实现多点测温；

4）工作电源:

3~5V/DC；

5）在使用中不需要任何外围元件；

6）测量结果以9~12位数字量方式串行传送；

7）温度以3位数字显示；

8）用户可定义报警设置，报警搜索命令识别并标志超过程序限定温度（温度报警条件）的器件；

9）负电压特性，电源极性接反时，温度计不会因发热而烧毁，但不能正常工作。

2、DS18B20的内部结构

DS18B20采用3脚PR－35封装；

DS18B20的内部结构，如图2.3所示。

3、DS18B20内部结构主要由四部分组成

1）64位光刻ROM。

开始8位是产品类型的编号，接着是每个器件的惟一的序号，共有48位，最后8位是前56位的CRC校验码，这也是多个DS18B20可以采用一线进行通信的原因[10]。

64位闪速ROM的结构如下.

8b检验CRC

48b序列号

8b工厂代码（10H）

MSBLSBMSBLSBMSBLSB

图2.2ROM结构

图2.3DS18B20内部结构

2）非挥发的温度报警触发器TH和TL，可通过软件写入用户报警上下限值。

3）高速暂存存储，可以设置DS18B20温度转换的精度。

DS18B20温度传感器的内部存储器还包括一个高速暂存RAM和一个非易失性的可电擦除的E2PRAM。

高速暂存RAM的结构为8字节的存储器，结构如表2.5所示。

头2个字节包含测得的温度信息，第3和第4字节TH和TL的拷贝，是易失的，每次上电复位时被刷新。

第5个字节，为配置寄存器，它的内容用于确定温度值的数字转换分辨率。

DS18B20工作时寄存器中的分辨率转换为相应精度的温度数值。

它的内部存储器结构和字节定义如图2.6所示。

低5位一直为１，TM是工作模式位，用于设置DS18B20在工作模式还是在测试模式。

DS18B20出厂时该位被设置为0，用户要去改动，R1和R0决定温度转换的精度位数，来设置分辨率,如表2.7。

由表可见，分辨率越高，所需要的温度数据转换时间越长。

因此，在实际应用中要将分辨率和转换时间权衡考虑。

高速暂存RAM的第6、7、8字节保留未用，表现为全逻辑1。

第9字节读出前面所有8字节的CRC码，可用来检验数据，从而保证通信数据的正确性。

当DS18B20接收到温度转换命令后，开始启动转换。

转换完成后的温度值就以16位带符号扩展的二进制补码形式存储在高速暂存存储器的第1、2字节。

单片机可以通过单线接口读出该数据，读数据时低位在先，高位在后，数据格式以0.0625℃／LSB形式表示。

Byte0

温度测量