二极管和二极和二极整流电路练习题Word文件下载.docx
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3、晶体二极管正偏时相当于()
A断开的开关B闭合的开关C以上都不对
4、二极管具有()
A信号放大作用B单向导电性C双向导电性D负阻特性
四、问答题:
1、如图所示的电路中,当输入端ab间输入交流电压时,通过R1、R2两电阻上的是交流电,还是直流电。
2、二极管电路如下图所示,判断图中二极管的状态是导通还是截止,并确定输出电压为多少
3、如下图所示,二极管导通电压约为0.7V,试分析开关断开和闭合时R上的电压各为多少。
4、在下图所示的电路中,灯会亮吗?
复习题二(PN结)
1、半导体是指导电性能的物体。
2、在半导体中存在两种载流子:
一种是,带电;
一种是,带电。
3、称为本征半导体。
4、P型半导体又称半导体,其内部空穴数量(填“多于”或“少于”)自由电子数量,是多数载流子。
5、P型半导体又称半导体,其内部空穴数量(填“多于”或“少于”)自由电子数量,是多数载流子。
6、在本征半导体中加入微量的硼元素可得到型半导体,在本征半导体中加入微量的磷元素可得到型半导体。
7、在硅或锗单晶基片上加工出P型区和N型区,二极管的正极从区引出,负极从区引出。
在P型区和N型区的结合部是一个特殊的薄层,称为。
8、二极管之所以具有单向导电性,是因为其内部有一个具有单向导电性的。
1、空穴是半导体中特有的一种带正电的电荷。
2、N型半导体中导电的是自由电子。
3、硅和锗是制作半导体器件的主要材料。
4、在半导体内部,只有空穴是载流子。
5、在P型半导体中多数载流子是空穴,少数载流子是自由电子。
6、半导体中导电的是多数载流子。
7、把一块P型半导体和一块N型半导体接触在一起就能形成PN结。
8、PN结具有单向导电性。
9、在二极管中由P型区引出的管脚是二极管的阴极。
1、在P型半导体中参与导电的是()
A离子B自由电子C空穴DB和C
2、PN结正向导通的条件是()
AN区电位高于P区电位BP区电位高于N区电位
CN区电位等于P区电位D都不对
3、关于N型半导体,下列说法错误的是()
A空穴是少数载流子
B在二极管中由N型区引出的管脚是二极管的阳极
C在纯净的硅晶体中加入磷可形成N型半导体
D在PNP型晶体管中,基区是N型半导体
4、本征半导体是()
AP型半导体BN型半导体C纯净半导体D掺杂半导体
5、半导体中的空穴和自由电子数目相等,这样的半导体称为()
6、PN结正偏时相当于()
A阻值无限大的电阻B阻值很小的电阻C以上均不对
复习题三(二极管的分类和型号)
1、画出下列几种二极管的电路图符号:
整流二极管发光二极管稳压二极管光电二极管变容二极管
2、整流二极管是一种利用二极管的性,把交流电变换成的二极管,它工作在偏置状态。
3、稳压二极管工作于偏置状态。
4、发光二极管是把能转化为光能的发光器件,它工作在偏置状态,发光二极管正常工作时管压降为。
5、光电二极管是一种能将接收到的信号转换成电信号的二极管,又称为,它工作在偏置状态。
6、当给变容二极管施加电压时,由于PN结展宽而呈现特性。
7、国产半导体器件型号各部分的意义:
第一部分:
用数字表示器件的,2表示该器件为,3表示该器件为;
第二部分:
用汉语拼音字母表示,A,B,
C,D
第三部分:
用汉语拼音字母表示,P,W,
Z,U
1、2AP系列二极管是由硅半导体材料制成的。
2、2CZ系列二极管是由锗半导体材料制成的。
3、2BP系列二极管是稳压管。
1、发光二极管的特点是()
A工作电压低,工作电流小,耗电省,寿命长
B工作电压高,工作电流小,耗电省,寿命长
C工作电压低,工作电流大,耗电省,寿命长
D工作电压高,工作电流大,耗电省,寿命长
2、某稳压二极管上标有“6V5”字样,该字样表示()
A该稳压管的稳压值为65VB该稳压管的稳压值为6.5V
C该稳压管的稳压值为6V误差为5%D是厂家的生产编号
3、某二极管上标有2CW字样,表示它是()
AN型硅材料稳压管BP型硅材料稳压管
CN型锗材料整流管DP型硅材料普通管
复习题四(二极管的伏安特性和参数)
1、和间的关系称为二极管的伏安特性。
2、从二极管的伏安特性曲线可以看出,二极管的电压和电流深化呈关系,其内阻(填“是”或“不是”)常数,所以二极管属于器件。
3、当二极管的正向电压较小时,二极管的电阻很,基本上处于状态,这个区域称为正向特性的死区,硅管的死区电压约为,锗管约为。
(死区电压又称为电压或电压)
4、硅二极管的导通电压约为,锗管的导通电压约为。
5、反向截止区:
二极管加反向电压时,二极管的电阻很,二极管处于状态,这时会有反向电流流过二极管,称为。
二极管的反向漏电流很,且基本(填“随”或“不随”)反向电压的变化而变化。
6、硅管的反向漏电流比锗管。
7、反向击穿区:
当加到二极管两端的反向电压超过某一规定数值(此电压值称为)时,反向电流突然急剧增大,这种现象称为,反向击穿电压用字母表示。
8、整流二极管的主要参数有:
最大整流电流:
是二极管通话通过的,用字母表示,如果实际工作时的正向电流平均值超过此值,二极管会;
最高反向工作电压是二极管允许承受的,用字母表示,为了留有余地,通常标定的最高反向工作电压是向向击穿电压的。
1、二极管的伏安特性说明:
二极管两端加正向电压就导通,加上反向电压就截止。
2、一般来说,硅二极管的死区电压小于锗二极管的死区电压。
3、晶体二极管击穿后立即烧毁。
4、晶体二极管在反向电压小于反向击穿电压时,反向电流极小,当反向电压大于反向击穿电压时,反向电流会迅速增大。
5、当二极管两端的正向电压超过死区电压后,二极管的电阻变得很小,二极管导通。
6、二极管被反向击穿后就不能再用了。
7、二极管加反向电压时,形成很小的反向电流,在电压不超过某一范围时,二极管的反向电流胡电压的增加而基本不变。
1、当晶体二极管的正向电压大于其门槛电压时,它相当于()
A阻值很大的电阻B阻值很小的电阻C接通的开关D以上都不对
2、当硅二极管加上0.4V的正向电压时,二极管相当于()
A阻值很小的电阻B断开的开关C闭合的开关D以上都不对
3、当二极管两端正向电压大于()电压时,二极管才能导通。
A击穿B饱和C门坎D以上都不对
4、二极管两端的反向电压增大时,在达到()电压以前,通过的电流很小。
复习题五(二极管的测试)
1、使用万用电表测试二极管时应使用档,一般用或这两档。
R*1档太大,R*10K挡太大,都容易使被测管损坏。
2、当万用电表拨至欧姆挡时,其红表笔接内电源的极,黑表笔接内电源的极。
3、用万用电表测试二极管时,用红黑表笔分别接二极管的两极测试一次,将红黑表笔对调再测一次,若两次所测阻值一次大,一次小,则说明二极管,测得阻值较大的一次是电阻,阻值较小的一次是电阻,此时与表笔接触的是二极管的正极。
若两次阻值都很大,说明二极管。
若两次阻值都很小,说明二极管。
4、由于发光二极管的正向导通电压一般在1.5V以上,所以检测时必须用万用表的挡,当正向电阻小于,反向电阻大于时,发光二极管为正常的。
1、二极管的正向电阻大于反向电阻。
2、用万用表测试所有的二极管都应该用R*100或R*1K挡。
3、用万用表测某晶体二极管的反向电阻是,红表笔所连接的是二极管的阳极,黑表笔接的是二极管的阴极。
1、如果用万用表测得二极管的正反向电阻都很小,则二极管()
A特性良好B已被击穿C内部开路D功能正常
2、在用万用表测量二极管过程中,对于同一种二极管,用万用表不同的挡位测出的正向电阻不同,主要原因是()
A万用表在不同的挡们,其内阻不同B二极管具有非线性的伏安特性
C被测二极管质量很差D二极管已被损坏
1、有人在没一个二极管反向时,为了使万用表的表笔与管脚接触良好,她用两手把两端接触处捏紧,结果发现管子的反向电阻比较小,认为不合格,但接入电路时却正常工作,这是什么原因?
2、测量电流时为保护线圈式电表的脆弱转动部件,不致因接错直流电源的极性或通过电流太大而损坏,常在表头处串联或并联一个二极管,如下图所示,试分别说明这两种接法的二极管各起什么作用。
综合复习题一(二极管)
1、导电能力介于和之间的物体称为半导体。
2、在N型半导体中为多数载流子,为少数载流子。
3、从半导体二极管内部的PN结的区引出的电极叫二极管的正极,从区引出的电极叫二极管的负极。
给二极管正极加高电位,负极加低电位时,叫给二极管加电压。
给二极管正极加低电位,负极加高电位时,叫给二极管加偏电压。
4、当加在硅二极管上的正向电压超过伏时,二极管进入导通状态。
5、根据是否掺入杂质,半导体可分为半导体和半导体两大类。
6、二极管的特性是。
具体指:
给二极管加电压,二极管导通;
给二极管加电压,二极管截止。
7、常用二极管以材料分类,可分为二极管和二极管;
以PN结面积大小分类,又可分为接触型和接触型。
8、用万用表的欧姆档对二极管进行正反两次测量,若两次读数都为∞,则此二极管_____;
若两次读数都接近零,则此二极管_____________;
若读数一次很大,一次读数小,则此二极管______________。
9、设如右图电路中,D1为硅二极管,D2为锗二极管,则D1处于状态,D2处于状态,输出电压Uo为伏。
10、图11电路中,设所有二极管均为理想的。
当开关S打开时,A点定位
VA=伏,此时流过电阻R1中的电流I1=毫安;
当开关S闭合时,A点定位VA=伏,此时流过电阻R1的电流I1=毫安。
(提示:
开关S打开时,V3管优先导通)
12、在图12路中,V为理想二极管,则当开关S打开时,A点定位VA=伏;
开关S闭合时,VA=
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