集成电路技术集成电路技术综合练习精选试题Word文件下载.docx
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19、集成电路中常用的电容有哪些?
20、为什么基区薄层电阻需要修正?
21、为什么新的工艺中要用铜布线取代铝布线?
22、电压传输特性
23、开门电平
24、关门电平
25、逻辑摆幅
26、静态功耗
27、在四管标准与非门中,那个管子会对瞬态特性影响最大,并分析原因以及带来那些困难。
28、两管与非门有哪些缺点,四管及五管与非门的结构相对于两管与非门在那些地方做了改善,并分析改善部分是如何工作的。
四管和五管与非门对静态和动态有那些方面的改进。
29、相对于五管与非门六管与非门的结构在那些部分作了改善,分析改进部分是如何工作的?
30、四管与非门中,如果高电平过低,低电平过高,分析其原因,如与改善方法,请说出你的想法。
31、为什么TTL与非门不能直接并联。
32、OC门在结构上作了什么改进,它为什么不会出现TTL与非门并联的问题?
33、什么是器件的亚阈值特性,对器件有什么影响?
34、MOS晶体管的短沟道效应是指什么,其对晶体管有什么影响?
35、请以PMOS晶体管为例解释什么是衬偏效应,并解释其对PMOS晶体管阈值电压和漏源电流的影响。
36、什么是沟道长度调制效应,对器件有什么影响?
37、为什么MOS晶体管会存在饱和区和非饱和区之分(不考虑沟道调制效应)?
38、采用MOSFET作为nMOS反相器的负载器件有哪些优点?
39、耗尽型负载nMOS反相器相比于增强型负载nMOS反相器有哪些好处?
40、举例说明什么是有比反相器和无比反相器。
41、简述CMOS静态逻辑门功耗的构成。
42、降低电路的功耗有哪些方法?
43、简述动态组合逻辑电路中存在的常见的三种问题,以及他们产生的原因和解决的方法。
44、解释静态存储和动态存储的区别和优缺点比较。
45、阐述静态存储和动态存储的不同的的存储方法。
46、哪一年在哪儿发明了晶体管?
发明人哪一年获得了诺贝尔奖?
47、世界上第一片集成电路是哪一年在哪儿制造出来的?
发明人哪一年为此获得诺贝尔奖?
48、什么是晶圆?
晶圆的材料是什么?
49、目前主流集成电路设计特征尺寸已经达到多少?
预计2021年能实现量产的特征尺寸是多少?
50、晶圆的度量单位是什么?
当前主流晶圆的尺寸是多少?
51、摩尔是哪个公司的创始人?
什么是摩尔定律?
52、什么是SoC?
英文全拼是什么?
53、一套掩模一般只能生产多少个晶圆?
54、什么是有生产线集成电路设计?
55、什么是集成电路的一体化(IDM)实现模式?
56、什么是集成电路的无生产线(Fabless)设计模式?
57、一个工艺设计文件(PDK)包含哪些内容?
58、设计单位拿到PDK文件后要做什么工作?
59、什么叫“流片”?
60、什么叫多项目晶圆(MPW)?
MPW英文全拼是什么?
61、集成电路设计需要哪些知识范围?
62、对于通信和信息学科,所包括的系统有哪些?
63、RFIC、MMIC和M3IC是何含义?
64、著名的集成电路分析程序是什么?
有哪些著名公司开发了集成电路设计工具?
65、从事逻辑电路级设计和晶体管级电路设计需要掌握哪些工具?
66、为了使得IC设计成功率高,设计者应该掌握哪些主要工艺特征?
67、SSI、MSI、LSI、VLSI、ULSI的中文含义是什么?
68、电子系统特别是微电子系统应用的材料有哪几类?
69、集成电路制造常用的半导体材料有哪些?
70、为什么说半导体材料在集成电路制造中起着根本性的作用?
71、半导体材料得到广泛应用的原因是什么?
72、Si、GaAs、InP三种基本半导体材料中,电子迁移率最高的是哪种?
最低的是哪种?
73、0.13umCMOS工艺制成的CPU运行速度已达多少?
74、硅基最先进的工艺线晶圆直径已达到多少?
75、为什么市场上90%的IC产品都是基于Si工艺的?
76、与Si材料相比,GaAs具有哪些优点?
77、基于GaAs的集成电路中有哪几种有源器件?
78、为什么说InP适合做发光器件和OEIC?
79、IC系统中常用的几种绝缘材料是什么?
80、什么是欧姆接触和肖特基接触?
81、多晶硅的特点是什么?
82、在MOS及双极型器件中,多晶硅可用来做什么?
83、什么是材料系统?
84、半导体材料系统?
85、异质半导体材料的主要应用有哪些?
86、什么是半导体/绝缘体材料系统?
87、晶体和非晶体的区别?
88、什么是共价键结构?
89、什么是本征半导体和杂质半导体?
90、本征半导体有何特点?
91、杂质半导体中,多子和少子是如何形成的?
92、什么是扩散运动?
什么是漂移运动?
93、PN结的主要特点是什么?
94、双极型三极管三个区有什么不同?
95、双极型三极管有几种工作状态?
每个状态PN结偏置情况如何?
96、在放大状态下,三极管内部载流子传输过程是怎样进行的?
97、为什么晶体管的反向工作状态一般不用,尤其是在集成电路中更是如此?
98、MOS管的核心结构是什么?
99、根据形成导电沟道载流子类型的不同,MOS管有几种类型?
100、简述PMOS管的具体结构。
101、简述MOS管的导电沟道是如何形成的。
102、什么叫阈值电压?
阈值电压是否可变?
阈值电压为负时称为什么电压?
103、对NMOS晶体管,注入何种杂质使阈值电压增加或降低?
104、根据阈值电压不同,常把MOS器件分为几种?
105、在CMOS电路里,MOS管一般采用何种类型?
106、为什么说MOS晶体管是一种电压控制器件?
107、MOS管的IDS大小除与源漏电压和栅极电压有关外,还与哪些因素有关?
108、一个MOS管的正常导电特性可分为几个区域?
109、用什么参数衡量MOS器件的增益?
110、外延生长的目的是什么?
111、外延生长的方法有哪几种?
112、什么是卤素传递生长法?
它属于4种生长方法中的哪一种?
113、液态生长有什么优缺点?
114、金属有机物气相外延生长和一般的气相外延生长的最大区别是什么?
115、分子束外延生长有什么特点?
116、什么是掩模?
掩模与集成电路制造有什么关系?
制做掩模的数据从哪儿来?
117、什么是整版接触式曝光?
118、光刻的作用是什么?
119、什么是光刻?
光刻的主要流程有哪些?
120、负性和正性光刻胶有什么区别和特点?
121、光刻的曝光方式有几种?
各有何特点?
122、接触曝光方式的关键技术有哪些?
它的主要优缺点是什么?
123、什么是非接触曝光方式?
124、氧化的目的是什么?
125、为什么说栅氧化层的生长是非常重要的一道工序?
126、淀积的主要作用是什么?
127、什么是湿法刻蚀?
128、湿法刻蚀有什么缺点?
129、什么是刻蚀?
130、什么是干法刻蚀?
干法有几种刻蚀方法?
131、掺杂的目的是什么?
掺杂在何时进行?
惨杂方法有哪几种?
132、离子注入法有哪些优点?
133、说明用硅材料采用CMOS工艺可形成哪些元件、电路形式以及可达到的电路规模?
134、集成电路特别是逻辑集成电路技术的类型有哪些?
135、为什么说速度和功耗是每一种工艺两个最重要的特性?
136、在各种工艺中,哪种工艺的速度最高?
哪种工艺的功耗最小?
137、双极型硅工艺的特点是什么?
有哪些主要应用?
138、典型双极型硅工艺中的硅晶体管存在哪些问题?
139、双极型晶体管的最高速度取决于哪些因素?
140、超高频Si双极型晶体管的截止频率fT已达多少?
141、什么是异质结?
按照两种材料的导电类型不同,异质结可分为哪些类型?
异质结形成的条件是什么?
制造异质结的技术通常有哪些?
142、异质结有什么特点?
它适宜于制作哪些器件?
143、为什么GaAs同质结双极型晶体管的性能很难达到或超过硅基BJT的性能?
144、为什么采用AlGaAs/GaAs异质结结构制造的双极型晶体管(HBT)具有好的性能?
145、InP/InGaAsHBT具有什么特点?
146、目前,III/V族化合物构成的高速HBT可达到哪些性能?
147、Si/SiGe材料系统的HBT工艺取得了哪些长足进步?
148、HBT的主要优点是什么?
适于何种应用?
149、MESFET的有源层是如何形成的?
它的导电沟道是如何控制的?
150、为什么说栅长是MESFET的重要参数?
151、进一步提高MESFET性能的措施是什么?
152、高电子迁移率晶体管(HEMT)速度高的主要原因是什么?
153、二维电子气是如何形成的?
154、亚微米、深亚微米和纳米的具体范围是多少?
155、什么情况下器件的栅极通常要考虑采用蘑菇型即T型栅极?
156、什么是赝晶或赝配HEMT?
157、由Si/SiGe材料系统研制的HEMT取得了哪些进展?
158、HEMT有更高截止频率更高跨导和更低噪声的原因?
它的主要应用领域是什么?
159、与Si三极管相比,MESFET和HEMT存在哪些缺点?
160、MOS工艺包括有哪几种?
MOS工艺的重要参数是什么?
什么是特征尺寸?
161、铝栅MOS工艺的缺点是什么?
162、铝栅重叠设计方法虽然可解决铝栅MOS工艺的缺点,但还存在哪些缺点?
163、什么是自对准技术?
164、硅栅工艺有哪些优点?
165、为什么NMOS工艺优于PMOS工艺?
166、FET的不同分类方法有哪些?
167、CMOS工艺是如何在一种衬底材料上实现不同类型场效应晶体管的?
阱有几种类型?
每种类型可制作什么类型的场效应管?
168、CMOS包括哪几种具体工艺?
169、什么是BiCMOS?
BiCMOS的特点是什么?
170、BiCMOS有几种类型?
每种类型有什么特点?
171、哪种BiCMOS工艺用的较多?
为什么?
172、以P阱CMOS工艺为基础的BiCMOS工艺存在哪些缺点?
173、以N阱CMOS工艺为基础的BiCMOS工艺有哪些优缺点?
174、集成电路中,有源器件是指哪些种类的晶体管?
175、什么是CMOS工艺?
176、MOS管的实际组成是什么?
基本参数是什么?
177、为什么说MOS电容的组成复杂?
178、按MOS沟道随栅压正向和负向增加而形成或消失的机理,存在着哪两种类型的MOS器件?
179、什么是MOS管的体效应?
180、阈值电压VT与衬底掺杂浓度是什么关系?
采取什么方式或手段以调整VT大小?
影响VT的其它因素有哪些?
181、MOS
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