模电总复习题Word下载.docx
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D 时间和数值都不连续
6. 放大电路放大倍数是指 。
A 输出信号与输入信号的比值,∨
B 输入信号与输出信号的比值,
C 输出电压与输入电流的比值,
D 输出电流与输入电压的比值。
7. 某放大电路的电压增益为60dB,则该电路的电压放大倍数为 倍。
A 10,B 102,C 103,D 104
8. 放大电路中的非线性失真是有 引起的。
A 电抗元件,
B 放大元器件的非线性, ∨
C 非电抗元件,
D 输入信号的失真。
9. PN结雪崩击穿主要主要发生在 情况下。
A PN结反偏较低,
B PN结正偏电压较高,
C PN结反偏较高, ∨
D PN结正偏电压较低。
10. PN结齐纳击穿主要主要发生在 情况下。
A PN结反偏较低, ∨
B PN结正偏电压较高,
C PN结反偏较高,
D PN结正偏电压较低。
11. 锗(硅)晶体二极管的正常工作电压约为 。
A , (∨)
B ,
C ,
D 。
∨
12. 晶体三极管工作在放大(饱和、截止)状态的外部条件为 。
A. 发射结正偏,集电结反偏,∨
B. 发射结反偏,集电结正偏,
C. 发射结正偏,集电结正偏,(饱∨)
D. 发射结反偏,集电结反偏。
(截∨)
13. PNJ雪崩击穿和齐纳击穿同时出现在反偏电压为 。
A 5V以下,
B 8~1000V,
C 5~8V, ∨
D 10~500V。
14. 硅(锗)晶体二极管的门坎电压(又称为死区电压)为 。
A , ∨
B ,
C , (∨)
D 。
15. 对于低频小功率晶体管的基区体电阻rb,通常情况下为 。
A. 200Ω ∨
B. 100Ω
C. 150Ω
D. 300Ω
16. 当温度升高1oC时,晶体管的参数VBE将增大 。
A. -(2~mV, ∨
B. (2~mV,
C. (1~mV,
D. -(1~mV
17. 当温度升高1oC时,晶体管的参数β将增大 。
A. %,
B. %~%, ∨
C. %~%,
D. %~%
18. 三极管的电流分配关系为 。
A. IE=IC+IB ∨
B. IE=IC-IB
C. IC=IB-IE
D. IB=IC-IE
19. 晶体三极管放大作用的实质是 。
A. 把微弱的电信号加以放大,
B. 以弱电流控制强电流,
C. 以强电流控制弱电流,
D. 以弱电流控制强电流,把直流电能转
换为交流电能。
20. 多级放大电路总的放大倍数等于各级放大倍数 。
A. 的乘积, ∨
B. 的和,
C. 的差,
D. 相除的商。
21. 多级放大电路的频率特性(响应)随着级数的增加而 。
A. 变宽,
B. 变窄, ∨
C. 变大,
D. 变小。
22. fH(fL)称为放大电路的 。
A. 截止频率,
B. 上限频率, ∨
C. 下限频率, (∨)
D. 特征频率。
23. fβ(fT)称为共发射极 。
A. 截止频率, ∨
B. 上限频率,
C. 下限频率,
(∨)
24.BJT(FET)又称为 。
A.单极型晶体管, (∨)
B.双极型晶体管, ∨
C.电子型晶体管,
D.空穴型晶体管。
26. 互补对称功率放大电路BJT工作在甲乙类、负载电阻为理想值,忽略VCES时的效率约为 。
A. 30%,
B. %, ∨
C. 60%,
D. 85%。
27. 甲乙类互补对称功率放大电路当工作点不合适时,将产生 。
A.交越失真, ∨
B.线性失真,
C.频率失真,
D.相位失真。
28. 甲乙(甲、乙)类功放电路晶体管的导通角θ为 。
A. 2π, (甲∨)
B. π, (乙∨)
C. π<
θ<
2π, ∨
D. θ<
π。
29. 乙类双电源互补对称功率放大电路实际上是 。
A. 由两个不同类型晶体管构成的共发射极放大电路组成,
B. 由两个不同类型晶体管构成的共基极放大电路组成,
C. 由两个不同类型晶体管构成的射极输出器组成,∨
D. 由两个相同类型晶体管构成的射极输出器组成。
30. 大规模集成电路在一个硅片上可集中制作 。
A. 十~几十个元件,
B. 几十个~几百个元件,
C. 几百个~几千个元件, ∨
D. 几千个以上元件;
31. 三点式振荡电路的相位平衡条件为 。
A. 基(集同)射反,
B. 射同基(集)反, ∨
C. 基同射反,
D. 集同射反,
32. 正弦振荡的起振(平衡)条件为 。
∨A.AF>
1,
B.AF<
(∨)C.AF=1,
D.AF<
0。
33. 在电源电压不变的情况下,提高OTL功率放大电路输出功率的有效方法是 。
A. 加接自举电路, ∨
B. 改变工作状态,
C. 降低静态工作点,
D. 提高静态工作点。
34. 正弦波电压信号的数学表达式是 。
Av(t)=C,
B
C
D∨
35. 如图所示,设二极管是理想二极管,该电路 A 。
A:
VAO=-6V,二极管处于正偏导通状态。
B:
VAO=-12V,二极管处于反偏截止状态。
C:
VAO=-6V,二极管处于反偏截止状态。
D:
VAO=-12V,二极管处于正偏导通状态。
36. 如图所示,设二极管是理想二极管,该电路 B 。
VAO=-15V,二极管处于正偏导通状态。
VAO=-15V,二极管处于反偏截止状态。
37. 如图所示,设二极管是理想二极管,该电路 C 。
VAO=-12V,D1正偏导通,D2反偏截止。
VAO=-15V,D1反偏截止,D2正偏导通。
VAO=0V,D1正偏导通,D2反偏截止。
VAO=0V,。
D2正偏导通,D1反偏截止。
38. 如图所示,设二极管是理想二极管,该电路 D 。
VAO=-12V,D1反偏截止,D2正偏导通。
VAO=—6V,D1正偏导通,D2反偏截止。
VAO=—6V,D1反偏截止,D2正偏导通。
39. 有两个BJT,其中一个管子的β=150,ICEO=200μA,另一个管子的β=50,ICEO=10μA,其它参数一样,你选 B 。
A:
β=150,ICEO=200μA的管子。
B:
β=50,ICEO=10μA的管子。
二、多选题(每空1分,共20分)
40. 桥式整流输出电压与电源变压器次级电压的关系为 A ,电容滤波电路输出电压与电源变压器次级电压的关系为 C。
A. VL=,B. VL=,
C. VL=,D. VL=。
41. 给乙类互补对称功率放大电路 D ,可消除 E 。
A. 加一放大电路,
B. 加一很大的集电极电流,
C. 加一衰减电路,
D. 加一合适的静态工作点。
E. 交越失真, F. 线性失真,
G. 频率失真, H. 相位失真。
42. 晶体三极管内部载流子的运动规律为
B、 D 、 C 。
A.基区向发射区注入载流子
B.发射区向基区注入载流子
C.集电区收集载流子
D.非平衡载流子在基区的扩散与复合
E.发射区收集载流子
F.载流子在发射区的扩散与复合
43. BJT的制造工艺特点为:
A 、 D 、 C 。
A.e区掺杂浓度最高,
B. e区掺杂浓度最低,
C. c区掺杂浓度适中,
D. b区掺杂浓度最低且最薄,
E. c区掺杂浓度最高,
F. b区掺杂浓度最高且最薄。
44. PNJ的单向导电性表现为:
B 、 C 。
A PNJ反偏导通,
B PNJ正偏导通,
C PNJ反偏截止,
D PNJ正偏截止。
45. PN结又称为 A 、 C 、
和 E。
A 空间电荷区, B 电阻层,
C 耗尽层, D 电位区,
E 势垒区, F 扩散区。
46. PN结的形成过程是:
B、A、F。
A少子的漂移运动,B多子的扩散运动
C 多子与少子的相互作用,
D少子的扩散运动,E多子的漂移运动,
F多子的扩散与少子的漂移运动达到动态平衡。
G 多子的漂移与少子的扩散运动达到动态平衡。
47. 一般情况下,当信号源内阻远远小于放大电路输入电阻(即Rs<
<
Ri)时,信号源使用A更为有利;
当信号源内阻远远大于放大电路输入电阻(即Rs>
>
Ri)时,信号源C使用更为有利。
A.电压源, B.分压电路,
C.电流源, D.集成运放。
48. 测得某放大电路中BJT的三个电极A、B、C的对地电压分别为VA=—9V,VB=—6V,VC=—,则 A ,该管 D 。
A为集电极,B为发射极,C基极;
A为发射极,B为集电极,C基极;
C:
A为集电极,B基极;
C为发射极,
D:
为PNP管
E:
为NPN管
49. 某放大电路中BJT三个电极A、B、C的电流如图所示,用万用表电流档测得IA=—2mA,IB=—,IC=+,该管为 B ,其中 E 。
A:
为PNP管 B:
C:
A为集电极,B为发射极,C基极;
D:
A为发射极,B为集电极,C基极;
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