南京工业大学模拟电子技术综合复习题有答案Word文档下载推荐.docx
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9、稳压管的稳压区是其工作在C。
A.正向导通B.反向截止C.反向击穿
10、当晶体管工作在放大区时,发射结电压和集电结电压应为B。
A.前者反偏、后者也反偏
B.前者正偏、后者反偏
C.前者正偏、后者也正偏
D.前者反偏、后者正偏
11、当温度升高时,二极管的反向饱和电流将A。
A.增大B.不变C.减小D.都有可能
12、工作在放大区的某三极管,如果当IB从12μA增大到22μA时,IC从1mA变为2mA,那么它的β约为C。
A.83B.91C.100D.10
13、当场效应管的漏极直流电流ID从2mA变为4mA时,它的低频跨导gm将A。
A.增大B.不变C.减小D.都有可能
14、晶体管是A器件。
A.电流控制电流B.电流控制电压C.电压控制电压D.电压控制电流
15、实践中,判别晶体管是否饱和,最简单的方法是测量D。
16、在正常放大的电路中,测得晶体管三个电极的对地电位如图所示,试判断管子的类型和材料。
图1为D;
图2为A。
[基极电位总是处于中间]
①6V
②0V
③
图1
①3V
②9V
图2
硅管硅管锗管锗管
17、增强型PMOS管工作在放大状态时,其栅源电压B,耗尽型PMOS管工作在放大状态时,其栅源电压D。
A.只能为正B.只能为负C.可正可负D.可正可负,也可为零
18、在放大电路中,场效应管工作在漏极特性的C。
A.可变电阻(欧姆)区B.截止区C.饱和区D.击穿区
19、表征场效应管放大能力的重要参数是B。
A.夹断电压UGS(off)B.低频跨导gmC.饱和漏极电流IDSSD.开启电压UGS(th)
20、场效应管是D器件。
A.电流控制电流B.电流控制电压C.电压控制电压D.电压控制电流
21、基本共射放大电路中,基极电阻Rb的作用是A。
A.限制基极电流,使晶体管工作在放大区,并防止输入信号短路
B.把基极电流的变化转化为输入电压的变化
C.保护信号源D.防止输出电压被短路
22、基本共射放大电路中,集电极电阻Rc的作用是B。
A.限制集电极电流的大小B.将输出电流的变化量转化为输出电压的变化量
C.防止信号源被短路D.保护直流电压源EC
23、基本共射放大电路中,如果使用直流电压表测出UCE≈0,可能是因为A。
短路开路短路D.β过小
24、基本共射放大电路中,输入正弦信号,现用示波器观察输出电压uo和晶体管集电极电压uc的波形,二者相位A。
A.相同B.相反C.相差90°
D.相差270°
25、NPN管基本共射放大电路输出电压出现了非线性失真,通过减小Rb失真消除,这种失真一定是B失真。
A.饱和B.截止C.双向D.相位
26、分压式偏置工作点稳定电路,当β=50时,IB=20μA,IC=1mA。
若只更换β=100的晶体管,而其他参数不变,则IB和IC分别是A。
A.10μA,1mAB.20μA,2mAC.30μA,3mAD.40μA,4mA
27、有两个空载放大倍数相同,输入和输出电阻不同的放大器甲和乙,对同一信号源进行放大,在负载开路的情况下,测得甲的输出电压小,这说明甲的B。
A.输入电阻大B.输入电阻小C.输出电阻大D.输出电阻小
28、放大电路产生零点漂移的主要原因是A。
A.环境温度变化引起参数变化B.放大倍数太大
C.采用了直接耦合方式D.外界存在干扰源
29、要求组成的多级放大电路体积最小,应选B耦合方式。
A.阻容B.直接C.变压器D.阻容或变压器
30、放大电路的三种组态(C)。
A.都有电压放大作用B.都有电流放大作用
C.都有功率放大作用D.都不是
一个放大器由两级相同的放大器组成,已知它们的增益分别为30dB和40dB,则放大器的总增益为(C)。
A.30dBB.40dBC.70dBD.1200dB
31.多级放大器与单级放大器相比,电压增益将( A )。
A.提高B.降低 C.不变D.不确定
二、填空
1、PN结中扩散电流的方向是:
从P区到N区,漂移电流的方向是从N区到P区。
2、PN结的最大特点是单向导电性。
3、使PN结正偏的方法是:
将P区接高电位,N区接低电位。
4、PN结正偏时,有利于多数载流子的运动,阻碍少数载流子的运行。
5、PN结反偏时,内电场与外电场的方向相同,空间电荷区变宽,有利于少数载流子的漂移运动,阻碍多数载流子的扩散运动,此时PN结呈现的电阻大,PN结处于截止状态。
6、温度增加PN结呈现的电阻将会变小。
7、P型半导体中的多数载流子是空穴,N型半导体中的多数载流子是电子。
以上为第一章习题
8、从基极输入,从集电极输出的是共射极电路,从基极输入,从发射极输出的是共集电极电路。
9、从栅极输入,从漏输出的是共源极电路;
从栅极输入,从源极输出的是共漏极电路。
10、共集电极放大电路的电压放大倍数不可能大于1,共基极放大电路的电流放大倍数不可能大于1
11、某多级放大器中各级电压增益为:
第一级25dB、第二级30dB、第三级-15dB、第四级60dB,放大器的总增益为100,总的放大倍数为10。
12、当电压放大倍数下降为最大电压放大倍数Avo的时,所对应的两个频率分别称为上限频率和下限频率,它们之间的频率范围,称为放大电路的通频带,它是放大电路频率特性的一个重要质量指标。
13、多级电压放大器级间耦合方式有直接耦合、变压器耦合和阻容耦合三种。
三、判断题
1、漂移运动是少数载流子运动而形成的。
(√)
2、PN结正向电流的大小由温度决定的。
(×
)
3、PN结内的扩散电流是载流子的电场力作用下形成的。
4、在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素,可将其改型为P型半导体。
5、因为N型半导体的多子是自由电子,所以它带负电。
6、PN结在无光照、无外加电压时,结电流为零。
7、处于放大状态的晶体管,集电极电流是多子漂移运动形成的。
8、结型场效应管外加的栅-源电压应使栅-源间的耗尽层承受反向电压,才能保证其RGS大的特点。
9、若耗尽型N沟道MOS管的UGS大于零,则其输入电阻会明显变小。
10、只有电路既放大电流又放大电压,才称其有放大作用;
11、可以说任何放大电路都有功率放大作用;
12、放大电路中输出的电流和电压都是由有源元件提供的;
13、电路中各电量的交流成份是交流信号源提供的;
14、放大电路必须加上合适的直流电源才能正常工作;
15、由于放大的对象是变化量,所以当输入信号为直流信号时,任何放大电路的输出都毫无变化;
16、只要是共射放大电路,输出电压的底部失真都是饱和失真。
17、某两级放大器中各级电压增益为:
第一级2dB、第二级3dB,放大器的总增益为6dB。
四、分析题
1、已知稳压管的稳定电压UZ=6V,稳定电流的最小值IZmin=5mA,最大功耗PZM=150mW。
试求左图所示电路中电阻R的取值范围。
解:
稳压管的最大稳定电流
IZM=PZM/UZ=25mA
电阻R的电流为IZM~IZmin,所以其取值范围为
2、下图示电路中,已知输入R1=1kΩ,RL=3kΩ,UI=12V,UZ=6V,IZ=5mA,PZM=90mW,问输出电压UO能否等于6V?
解:
稳压管正常稳压时,工作电流IDZ应满足IZ<IDZ<IZM,而
即5mA<IDZ<15mA
设电路中DZ能正常稳压,则UO=UZ=6V。
可求得:
显然,IDZ不在稳压工作电流范围内。
3、测得工作在放大电路中三极管1、2、3脚的电位分别是,,。
试判断它是NPN型还是PNP型,是硅管还是锗管,并在图上分别标出e、b、c。
4、管子对地电位如图所示。
判断管子的工作状态和材料。
(A)
+
+6V
-3V
(C)
-2V
0V
+1V
(B)
+6V
(D)
(E)
+4V
+4V
(A)NPN型管。
UBE==,JE正偏,
UBC==,JC反偏。
故该管工作在放大状态,为锗管。
(B)PNP型管。
UEB==,JE正偏,
UCB==,JC反偏。
故该管工作在放大状态,为硅管。
(C)NPN型管。
UBE=-3-(-2)=-1V,JE反偏,
UBC=-3-0=-3V,JC反偏。
故该管工作在截止状态。
(D)PNP型管。
UCB=,JC正偏。
故该管工作在饱和状态,为硅管。
(E)NPN型管。
UBE=4-4=0V,
UBC=4-4=0V。
则该管可能被击穿损坏,也可能电路接线问题。
5、判断以下两工作电路处于何种状态
图(a)没有放大作用。
VBB对信号有短接作用;
UBE过大,JE可能烧毁。
在VBB中串接电阻RB。
图(b)没有放大作用。
放大元件T没有合适的偏置状态。
RB接点移至到C1后
五、计算题(都为第二章习题)
1、在右图所示电路中,已知RB1=5kΩ,RB1=20kΩ,RE=Ω,RC=RL=10kΩ,VCC=15V,β=80,rbb′=100Ω,UBEQ=。
试求解:
(1)估算静态工作点Q;
(2)估算电压放大倍数Au、输入电阻Ri和输出电阻Ro。
(3)若将晶体管换成β为100的管子,Q点将如何变化?
(4)若CE开路,则Au与Ri将如何变化。
解
(1)求解Q点。
因为RB1<<(1+β)RE,所以
(2)求解Au、Ri和Ro。
画出微变等效电路
(3)当β由80变为100时,ICQ与UCEQ基本不变,而
(4)CE开路,那么电路的微变等效电路如图[P79T2.3.4]所示。
2、如右图所示电路中,已知VCC=15V,RB=750kΩ,RC=RL=Ω,β=80,rbb′=100Ω。
(1)静态工作点Q;
(2)RL接入和断开两种情
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