大陆台湾英语led半导体照明术语对照表文档格式.docx
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固態照明
1-06
半导体照明
semiconductorlighting
采用LED作为光源的照明方式。
半導體照明
1-07
衬底
substrate
用于外延沉积、扩散、离子注入等后序工艺操作的基体单晶片。
基板
1-08
外延片
epitaxialwafer
用外延方法制备的具有电致发光功能的结构片。
磊晶片
1-09
发光二极管芯片
light-emittingdiodechip
具有PN结结构、有独立正负电极、加电后可辐射发光的分立半导体晶片。
發光二極體晶片(粒)
1-10
LED模块
LEDmodule
由单个或多个发光二极管芯片和驱动电路、控制电路封装在一起、带有连接接口并具有发光功能且不可拆卸的整体单元。
LED模組
1-12
LED组件
LEDdiscreteness
由LED或LED模块和电子元器件组合在一起,具有一定功能并可维修或拆卸的组合单元。
LED元組件
1-13
内量子效率
innerquantumefficiency
有源区产生的光子数与所注入有源区的电子-空穴对数之比。
內部量子效率
1-14
出光效率
lightextractionefficiency
逸出LED结构的光子数与有源区产生的光子数之比。
1-15
注入效率
Injectionefficiency
注入LED的电子-空穴对数与注入有源区的电子-空穴对数之比。
1-16
外量子效率
outerquantumefficiency
逸出LED结构的光子数与注入LED的电子-空穴对数之比,等于内量子效率与出光效率和注入效率的乘积。
外部量子效率
二、LED类型
2-01
单色光LED
monochromaticlightLED
发出单一颜色光的LED,有红色、绿色、蓝色、黄色、紫色等。
單色LED
2-02
白光LED
whitelightLED
用单色芯片加荧光粉或多色芯片组合合成白色光的LED。
2-03
直插式LED;
DIPLED
DualIn-linePackageLED
带有正负极引线、适用于穿孔直插安装工艺的LED。
砲彈型封裝LED
2-04
贴片式LED;
SMDLED
SurfaceMountedDevicesLED
正负电极在封装基板上、适用于表面贴装工艺的LED。
表面封裝型LED
2-05
小功率LED
lowpowerLED
单芯片工作电流在100mA(含100mA)以下的发光二极管。
2-06
功率LED
powerLED
工作电流在100mA以上的发光二极管。
高功率LED
2-07
LED数码管
LEDnixietube
采用LED显示数字或字符的器件或模块。
LED尼士管
2-08
LED显示器
LEDdisplayer
采用LED显示数字、符号或图形的器件或模块。
LED顯示器
2-09
LED背光源
LEDbacklight
采用LED作光源,为被动显示提供光源的LED器件或模块。
三、外延(工艺)
3-01
外延
epitaxy
用气相、液相或分子束等方法在衬底上生长单晶材料的工艺。
在衬底上生长组分与衬底材料相同的单晶材料,称同质外延;
在衬底上生长与衬底组分不同的单晶材料,称异质外延。
磊晶
3-02
量子阱
quantumwell
组分不同或掺杂不同的半导体超薄层材料交替排列形成载流子势垒或势阱,并且具有量子效应的材料结构。
量子井
3-03
单量子阱
singlequantumwell
只有一个量子阱的材料结构。
單層量子井
3-04
多量子阱
multi-quantumwell
包含多个单量子阱的材料结构。
多層量子井
3-05
金属有机化学汽相沉积;
MOCVD
metalorganicchemicalvapordeposition
金属有机化合物和非金属氢化物的汽相源经热分解合成反应外延生长单晶材料的方法。
有機金屬化合物半導體磊晶技術
3-06
超晶格
superlattice
两种(或两种以上)组分(或导电类型)不同、厚度极小的薄层材料交替生长在一起而得到的一种多周期材料结构,其薄层厚度远大于材料的晶格常数,但接近于或小于电子的平均自由程(或其德布洛意波长)。
超晶格
3-07
异质结
heterogeneousstructure
由两种或两种以上不同的半导体材料形成的异型(P-N)异质结构或同型(P-P或N-N)异质结构。
異質接面
3-08
单异质结
singleheterojunction
由两种不同的半导体材料形成的异型(P-N)异质结构或同型(P-P或N-N)异质结构。
單異質接面
3-09
双异质结
doubleheterojunction
包含两个异质结的异质结构。
雙異質接面
3-10
图形化衬底
graphicalsubstrate
在外延生长前,采用蚀刻的方法,在表面形成一定图案的衬底。
圖形化基板
四、芯片(工艺)
4-01
湿法蚀刻
wetetching
将晶片浸没于化学溶液中,通过化学反应去除晶片上不需要的部分,使光刻图形转移到晶片表面。
濕式蝕刻
4-02
干法蚀刻
dryetching
将晶片置于等离子气体中,通过气体放电去除晶片上不需要的部分,使光刻图形转移到晶片表面。
乾式蝕刻
4-03
曝光
exposure
利用光学的方法,对涂布在晶片表面的光刻胶进行光化学反应的过程。
曝光
4-04
烘胶
baking
在一定的温度下,使光刻胶固化的过程。
烘烤
4-05
蒸镀
evaporation
将原材料通过某种方法变成蒸汽,使其在真空状态下沉积在待镀材料表面。
蒸鍍
4-06
激光剥离
laserlift-off
利用激光照射在芯片上,使外延层和衬底界面处熔化,从而将二种材料分离的方法。
雷射剝離
4-07
欧姆接触
ohmiccontact
电压-电流特性遵从欧姆定律的非整流性的电和机械接触。
歐姆接觸
4-08
氧化铟锡电极
IndiumTinOxideelectrodeITO
蒸镀在芯片表面的一种化学成分为氧化铟锡的透明导电膜,以形成欧姆接触,有利于电流扩展及透光。
氧化銦錫電極
4-09
衬底转移;
金属键合
substratetransfer
metalbonding
<
芯片制造>
将外延材料的外延层键合到其它衬底材料上并将原来的衬底去除的方法。
基板黏合
4-10
金属反射层
reflectivemetalelectrode
在LED芯片表面蒸镀一层金属,形成一种可提高外量子效率的光反射层。
金屬反射層
4-11
同侧电极结构
lateralelectrodestructure
P、N电极在芯片的上面,使部分电流横向流过外延层的一种电极结构。
同側電極結構
4-12
垂直电极结构
verticalelectrodestructure
P、N电极分别在芯片的上下二端,使电流垂直流过外延层的一种电极结构。
垂直電極結構
4-13
承载基板
supportsubstrate
用来承载外延层或芯片,并提供电极接触的一种材料。
承載基板
4-14
表面粗化
surfaceroughening
在LED外延片或芯片表面形成可以提高芯片出光效率和外量子效率的粗糙表面结构。
表面粗化
4-15
正装芯片
normalchip
发光二极管芯片电极在出光面上,衬底材料与支架焊接在一起的一种芯片结构。
傳統晶片
4-16
倒装芯片
flipchip
发光二极管芯片电极倒扣焊接在承载基板上,形成一种芯片衬底(或靠原衬底面)朝上、引出电极在承载基板上的芯片结构。
覆晶晶片
4-17
芯片分选
chipsorting
按不同参数(例如电压、电流、波长、光强等)对芯片进行分档测试选择。
晶片分級
4-18
内陷电极
recessedelectrode
电极镶嵌在LED芯片外延层刻槽中。
嵌入電極
4-19
互补电极
complementaryelectrode
在LED芯片垂直结构中,为避免底部所发光被顶部N电极吸收,在N电极正下方电极区域制作一个高阻层,使电流分布在N电极投影以外的互补区域。
互補電極
4-20
N面出光
lightextractionfromNside
发光二极管有源区发出的光从LED芯片的N面取出。
N極出光
4-21
侧面钝化
lateralpassivation
在LED芯片侧面镀上保护层,使芯片避免沾污、保护芯片稳定性和可靠性。
側面鈍化
五、封装
5-01
支架;
框架
leadframe
提供引线端子和芯片焊接区域的一个或一组零件。
支架
5-02
点胶
coat
在LED支架的相应位置点上银胶或绝缘胶。
點膠
5-03
装架
dieattachment(diebond)
将LED芯片安装在涂有银胶或绝缘胶的PCB或LED支架相应的位置上。
固晶
5-04
烧结
sinter
通过高温加热,使银胶固化。
固化
5-05
引线键合;
压焊
wirebonding
为了形成欧姆接触用金属引线连接LED芯片电极与支架(框架)的引出端。
打線
5-06
LED封装
LEDpackage
将LED芯片和焊线包封起来,并提供电连接、出光和散热通道、机械和环境保护及外形尺寸。
LED封裝
5-07
灌封
embedding
采用模条灌装成型的封装方式。
嵌入
5-08
塑封
moulding
采用模压成型的封装方式。
模具成型
5-09
点胶封装
coatingpackage
采用点胶成型的封装方式,也称软包封。
點膠封裝
5-10
热沉
heatsink
与功率芯片粘接在一起的可以传导热量的金属或其它材料的导热体。
散熱片
5-12
共晶焊
eutecticbonding
在LED芯片与支架或热沉中间放置一种合金焊料(
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