三极管的判断方法Word文档格式.docx
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我们以PNP管为例来说明,一只PNP型的三极管的结构相当于两只二极管,负极靠负极接在一起。
我们首先用万用表R×
100或R×
1K挡测一下e与b之间和e与c之间的正反向电阻。
当红表笔接b
时,用黑表笔分别接e和c应出现两次阻值小的情况。
然后把接b
的红表笔换成黑表笔,再用红表笔分别接e和c,将出现两次阻值大的情况。
被测三极管符合上述情况,说明这只三极管是好的。
------检查三极管的穿透电流:
我们把三极管c、e之间的反向电阻叫测穿透电流。
用万用表红表笔接PNP三极管的集电极
c
黑表笔接发射极
e,看表的指示数值,这个阻值一般应大于几千欧,越大越好,越小说明这只三极管稳定性越差。
------测量三极管的放大性能:
分别用表笔接三极管的c和e看一下万用表的指示数值,然后再c与b间连接一只50--100K的电阻看指针向右摆动的多少,摆动越大说明这只管子的放大倍数越高。
外接电阻也可以用人体电阻代替,即用手捏住b和c.
之间的正反向电阻。
当红表笔接
二极管极性判定
测试时选R×
1K的档,黑表笔一端测得阻值小的一极为正极。
一般不用R×
10K的档测量晶体管,因电压较高会击穿晶体管。
如何用万用表判断电容器质量
1.极性判断:
正、负极性的判别有极性铝电解电容器外壳上的塑料封套上,通常都有"
+"
(正极)"
-"
(负极)。
未剪脚的电解电容器,长引脚为正极,短引脚为负极。
对于标志不清的电解电容器,可以根据电解电容器反向漏电流比正向漏电流大这一特性,通过用万用表R×
10k档测量电容器两端的正、反向电阻值来判别。
当表针稳定性,比较两次所测电阻值读数的大小。
在阻值较大的一次测量中,黑表笔所接的是电容器的正极,红表笔接的是电容器的负极。
2.正反接:
视电解电容器容量大小,通常选用万用表的R×
10、R×
100、R×
1K挡进行测试判断。
红、黑表笔分别接电容器的负极(每次测试前,需将电容器放电),由表针的偏摆来判断电容器质量。
若表针迅速向右摆起,然后慢慢向左退回原位,一般来说电容器是好的。
如果表针摆起后不再回转,说明电容器已经击穿。
如果表针摆起后逐渐退回到某一位置停位,则说明电容器已经漏电。
如果表针摆不起来,说明电容器电解质已经干涸推失去容量。
3.反接:
有些漏电的电容器,用上述方法不易准确判断出好坏。
当电容器的耐压值大于万用表内电池电压值时,根据电解电容器正向充电时漏电电流小,反向充电时漏电电流大的特点,可采用R×
10K挡,对电容器进行反向充电,观察表针停留处是否稳定(即反向漏电电流是否恒定),由此判断电容器质量,准确度较高。
黑表笔接电容器的负极,红表笔接电容器的正极,表针迅速摆起,然后逐渐退至某处停留不动,则说明电容器是好的,凡是表针在某一位置停留不稳或停留后又逐渐慢慢向右移动的电容器已经漏电,不能继续使用了。
表针一般停留并稳定在50-200K刻度范围内。
常用容量在0.47UF至2200uF之间的电容可以直接使用MF47型表检测其容量与好坏。
具体方法:
将电容充分放电,黑表笔接电容正极,红表笔接电容的负极,以摆动的最大格数判断电容是否损坏,
(满格为50格)数据如下表:
电容档位格数
0.47uFx10K7
1uFx10K12
2.2uFx10K20
4.7uFx1K7
10uFx1K12
22uFx1K20
47uFx1007
100uFx10012
220uFx10020
470uFx107
1000uFx1012
2200uFx1020
注意:
黑笔接电容正极,红笔为负,若接错可能造成数据不准确,每测一次电容量需重新放电。
结论:
若表针不动或微动证明该电容失效,若表针回位过慢则该电容可能漏电或万用表档位使用错误,若表针回位后逐渐升起则该电容有轻微漏电或质量不佳。
现如今市面上零售的数字万用表多数可直接测200uF以内电容,且价格不高,如遇个别电容吃不准应再用数字表进行比对。
另外,1.5uF、3.3uF、6.8uF等电容也可以与其相近容量的电容比较鉴别
4.绝缘性(两次冲击):
绝缘电阻的高低是也是电容器好坏的重要标志,用万用表能够检查出绝缘电阻的高低,当万用表的试棒第一次接连电容器两极时,因为电容器充电,指针必然发生冲击,试棒拿开后,经过5秒钟再试一次,如指针无明显的冲击,说明由于本身绝缘电阻高,电容器剩余电荷只漏去一点点,这种电容器是好的,如果仍然发生冲击,则说明5秒钟前充的电已经漏去,电容器的绝缘已经破坏。
5.电解电容器的检测补充
电容量和漏电电阻的测量电容器最好使用电感电容表或具有电容测量功能的数字万用表测量。
若无此类仪表,也可用指针式万用表来估测其电容量。
用万用表测量电解电容器时,应根据被测电容器的电容量选择适当的量程。
通常,1μF与2.2μF的电解电容器用R×
10k档,4.7~22μF的电解电容器用R×
1k档,47~220μF的电解电容器用R×
100档,470~4700μF的电解电容器用R×
10档,大于4700μF的电解电容器用R×
1档。
利用万用表内部电池给电容器进行正、反向充电,通过观察万用表指针向右摆动幅度的大小,即可估测出电容器的容量。
将万用表置于适当的量程。
将其两表笔短接后调零。
黑表笔接电解电容器的正极,红表笔接其负极时,电容器开始充电,所以万用表指针缓慢向右摆动,摆动至某一角度后(充电结束后)又会慢慢向左返回(表针通常不能返回"
∞"
的位置)。
漏电较小的电解电容器,指针向左返回后所指示的漏电电阻会大于500kΩ。
若漏电电阻值小于100kΩ,则说明该电容器已漏电,不能继续使用。
再将两表笔对调(黑表笔接电解电容器负极,红表笔接电容器正极)测量,正常时表针应快速向右摆动(摆动幅度应超过第一次测量时表针的摆动幅度)后返回,且反向漏电电阻应大于正向漏电电阻。
若测量电解电容时表针不动或第二次测量时表针的摆动幅度不超过第一次测量时表针的摆动幅度,则说明该电容器已失效或充放电能力变差。
6.电容器的型号命名方法
国产电容器的型号一般由四部分组成(不适用于压敏、可变、真空电容器)。
依次分别代表名称、材料、分类和序号。
第一部分:
名称,用字母表示,电容器用C。
第二部分:
材料,用字母表示。
第三部分:
分类,一般用数字表示,个别用字母表示。
第四部分:
序号,用数字表示。
用字母表示产品的材料:
A-钽电解、B-聚苯乙烯等非极性薄膜、C-高频陶瓷、D-铝电解、E-其它材料电解、G-合金电解、H-复合介质、I-玻璃釉、J-金属化纸、L-涤纶等极性有机薄膜、N-铌电解、O-玻璃膜、Q-漆膜、T-低频陶瓷、V-云母纸、Y-云母、Z-纸介
电容器容量标示
1、直标法
用数字和单位符号直接标出。
如1uF表示1微法,有些电容用"
R"
表示小数点,如R56表示0.56微法。
2、文字符号法
用数字和文字符号有规律的组合来表示容量。
如p10表示0.1pF,1p0表示1pF,6P8表示6.8pF,2u2表示2.2uF.
3、色标法
用色环或色点表示电容器的主要参数。
电容器的色标法与电阻相同。
电容器偏差标志符号:
+100%-0--H、+100%-10%--R、+50%-10%--T、+30%-10%--Q、+50%-20%--S、+80%-20%--Z
4、数学计数法:
如上图瓷介电容,标值272,容量就是:
27X100pf=2700pf.如果标值473,即为47X1000pf=0.047uf。
(后面的2、3,都表示10的多少次方)。
又如:
332=33X100pf=3300pf。
若测量电解电容器的正、反向电阻值均接近0,则说明该电解电容器已击穿损坏
从电路中拆下的电解电容器,应将其两引脚短路放电后,再用万用表测量。
对于大容量电解电容器和高压电解电容器,可以用1只60~100W、220V的白炽灯泡对其放电。
其方法是:
将灯泡装在灯头上,从灯头引出两条线,分别接到电解电容器的两引引脚上。
若此时灯泡瞬间亮一下,则说明电容器已放电完毕。
小容量固体电容器的检测
小容量固体电容器(包括有机介质电容器和无机介质电容器)的电容量一般为1μF以下,因为容量太小,难以用万用表一般无法估测出其电容量,而只能视其是否漏电或击穿损坏。
正常时,用万用表R×
10k档测量其两端的电阻值应为无穷大。
若测出一定的电阻值或阻值接近0,则说明该电容器已漏电或已击穿损坏。
判断光敏电阻质量
用万用表电阻档测量,测量中改变一下光照强度(手遮挡即可),电阻有明显变化说明基本正常。
可控硅介绍与检测
一.可控硅结构组成与特点
今天大家使用的是单向晶闸管,也就是人们常说的普通晶闸管,它是由四层半导体材料组成的,有三个PN结,对外有三个电极〔图2(a)〕:
第一层P型半导体引出的电极叫阳极A,第三层P型半导体引出的电极叫控制极G,第四层N型半导体引出的电极叫阴极K。
从晶闸管的电路符号〔图2(b)〕可以看到,它和二极管一样是一种单方向导电的器件,关键是多了一个控制极G,这就使它具有与二极管完全不同的工作特性。
以硅单晶为基本材料的P1N1P2N2四层三端器件,起始于1957年,因为它的特性类似于真空闸流管,所以国际上通称为硅晶体闸流管,简称晶闸管T,又因为晶闸管最初的在静止整流方面,所以又被称之为硅可控整流元件,简称为可控硅SCR.
在性能上,可控硅不仅具有单向导电性,而且还具有比硅整流元件(俗称"
死硅"
)更为可贵的可控性.它只有导通和关断两种状态.
可控硅能以毫安级电流控制大功率的机电设备,如果超过此频率,因元件开关损耗显着增加,允许通过的平均电流相降低,此时,标称电流应降级使用.
可控硅的优点很多,例如:
以小功率控制大功率,功率放大倍数高达几十万倍;
反应极快,在微秒级内开通、关断;
无触点运行,无火花、无噪音;
效率高,成本低等等.
可控硅的弱点:
静态及动态的过载能力较差;
容易受干扰而误导通.
可控硅从外形上分类主要有:
螺栓形、平板形和平底形.
可控硅元件的结构
不管可控硅的外形如何,它们的管芯都是由P型硅和N型硅组成的四层P1N1P2N2结构.见图1.它有三个PN结(J1、J2、J3),从J1结构的P1层引出阳极A,从N2层引出阴级K,从P2层引出控制极G,所以它是一种四层三端的半导体器件.
可控硅最主要的作用之一就是稳压稳流。
可控硅主要应用于无触点开关,调速,调光,稳压
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- 三极管 判断 方法