缓冲电路设计及仿真Word格式.docx
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杂散电感是特定电路布局的结果,不容易计算出来,我们一般采用测量的方法来确定杂散电感的大小。
在没有任何缓冲回路时,用示波器观察器件关断时的振荡周期
T1;
接着,在开关管两端并联一个值确定的电容,即测试电容,重新测量器件关断时的振荡周期T2。
则杂散电感可由下式得出:
(2.1)
杂散电容为:
(2.2)
其中为无缓冲电路时的振荡频率。
3缓冲电路分类
缓冲电路主要分为如下三类,分为C型缓冲电路、RC型缓冲电路、RCD型缓冲电路。
图C缓冲电路适用于小功率等级的IGBT,对瞬变电压非常有效且成本较低。
但这种缓冲电路随着功率等级的增大,会与直流母线寄生电感产生振荡。
RCD型缓冲电路则可以避免这种情况,由于快恢复二极管可以箝位瞬变电压,从而抑制谐振产生。
在功率等级进一步增大时,此种缓冲电路的回路寄生电感会变得很大,导致不能有效控制瞬变电压。
因此在大功率场合可用RCD缓冲电路,该缓冲电路既可有效抑制振荡还具有回路寄生电感较小的优点。
电路类型
C型吸收电路
RC型吸收电路
RCD型吸收电路
特点
电路简单、成本
低、易产生振
荡、会引起集电
极电流升高
结构简单、易造成过
冲电压、会引起集电
克服过冲电压过
高、过电压抑制效果
较好、会引起集电极
电流升高
范围
中等容量装置
小容量、低频率装置
下表是针对直流母线电感量,以过冲电压100V为前提计算出的推荐值,便于缓冲电路的设计。
4缓冲电路工作原理及计算
线路因杂散电感会产生的瞬态浪涌高压,这种浪涌电压如果不加以抑制,可能会造成功率开关器件的损坏。
而减少这种浪涌电压的途径有2种,一是采用层状母线结构,降低母线寄生漏电感;
另一种方法是安装缓冲电路。
缓冲电路在开关器件关断时工作,起到提供旁路的作用,从而达到抑制尖峰电压的目的,同时还可以减小功率器件的开关损耗。
4.1电容型缓冲电路
电容型缓冲电路在器件开通时有浪涌电流,因此用于小电流应用场合(<
50A)。
在高频场合下,为减小损耗,也会考虑这种拓扑。
根据能量转移关系,要求在器件开通过程中将吸收的能量释放:
(4.1)
可得:
(4.2)
4.2RC型缓冲电路
RC缓冲电路中,缓冲电阻R越小,缓冲电容越大,则缓冲效果越明显,但是要考虑电阻R上的损耗。
器件关断时,电容C储存能量,在下一次器件开通时,电容中的能量以热能的形式消耗在电阻R上,而电容上的存储的能量为:
(4.3)
其中,为器件关断电压。
又在电阻上消耗的能量与每个周期电容的充放电次数成正比,因此在电阻上消耗的能量为:
(4.4)
其中f为器件工作频率。
n为每个周期电容电压转换次数,半桥电路中,每个周期电容电压发生两次转换,因此n取2,即:
(4.5)
缓存电容的选择要满足两个要求,首先,缓存电容能够存储的能量要比电路中杂散电感存储的能量要大,也就是要满足下式:
(4.6)
其次,缓冲电路的时间常数要比功率器件导通时间短,这样在开关管导通的时候存储在缓存电路中的能量才能够释放完毕,一般情况下,认为3倍的时间常数可以完成放电过程,则:
(4.7)
其中,D为占空比,T器件开关周期。
所以
(4.8)
此外,还要考虑放电电流不可太大。
最后综合电阻功率与过压情况选择参数。
综上所述,得到:
(4.9)
(4.10)
4.3RCD缓冲电路
RCD型电路又分为如下三类。
其中,Ⅱ型电路采用2组Ⅰ型缓冲电路,使用快恢复二极管钳位瞬变电压,可抑制振荡发生,适用于中大容量器件,但缓冲电路的损耗很大。
Ⅰ型电路将RCD缓冲电路直接并接在桥臂两端,这种电路抑制器件关断瞬态电压的效果好,而抑制器件开通时的瞬态电压效果稍差。
Ⅲ型缓冲电路由于每个元件有各自独立的吸收电路,既可抑制关断浪涌电压,缓冲电路的损耗又很小,适合于大功率电路。
RCD吸收电路(Ⅰ型)
RCD吸收电路(Ⅲ型)
过电压抑制效果好、不会引起集电极电流上升、附加损耗小、吸收回路寄生电感较大
过电压抑制效果好、不会引起集电极电流上升、附加损耗小、吸收回路寄生
电感小
适用范围
中等容量、较高频率装置
大容量、高频率装置
4.3.1Ⅰ型缓冲电路
缓冲电路工作过程可以简单分析如下:
当开关管T截止时,原来流过引线电感Ls的电流通过Cs、Ds旁路,从而将Ls上的储能转移到Cs,避免在器件关断时由于电流突变,引起在器件两端产生很高的电压尖峰,因而大大降低了在开关管截止瞬间在其两端所产生的过电压;
当开关管T导通时,Cs的储能通过开关管T、缓冲电阻Rs释放,从而使其两端的电压下降到母线电源电压Vd,为下次的缓冲吸收作好准备。
以开关T1关断时刻为起点来分析缓冲电路的工作原理,其工作过程可分为3个阶段,即线性化换流、杂散电感Lp谐振放能、缓冲电容Cs放电。
a)线性化换流过程
此阶段从开关T1接收关断信号开始到开关T1完全截止结束。
流过Lp的母线电流经T1和缓冲电路2条支路分流。
由于此过程时间很短,一般为纳秒级,因此可将此工作过程中电压、电流的变化线性化来处理。
其等效电路如下图:
设线性化换流过程持续的时间为,由上图得:
(4.18)
当时,即换流过程结束,有:
(4.19)
在此过程中,开关器件1端的电压为,由于实际的换流过程并非完全线性,因此在过程中会出现第一个电压尖峰,且此电压尖峰与母线电流、缓冲电路寄生电感、关断时电流的有关。
b)杂散电感谐振放能阶段
线性化换流阶段结束后,开关完全截止。
主回路杂散电感与缓冲电容Cs谐振,中储存的能量通过Cs泄放·
当达到谐振峰值时,回路电流i为零,缓冲电路二极管DS截止,钳位防止振荡的发生。
在此过程中将出现第二个电压尖峰,且此电压尖峰是由杂散电感引起,在下面的分析中可看到,该电压尖峰与母线电流、杂散电感、
缓冲电路寄生电感、缓冲电容有关。
这一过程的等效电路如下图:
令
(4.20)
电路方程为:
(4.21)
初始条件为:
(4.22)
由电路方程得:
(4.23)
其中,,,
可求得,当时,电容两端的电压峰值:
(4.24)
因此,可得:
(4.25)
若是忽略换流器件的升高,可取:
(4.26)
c)缓冲电容放电阶段及缓冲电阻的参数计算
谐振放能阶段结束后,通过、电源和负载放电。
在放电期间,可认为负载是恒流源。
有了负载后,可不考虑Ls、Lp对放电的影响。
其等效电路图如下图。
电路方程为:
(4.27)
(4.28)
可求得在放电过程中:
(4.29)
(4.30)
(4.31)
对于不同拓扑结构的缓冲电路,允许Cs放电的最大时间各不一样。
对于三相两电平拓扑结构其最大放电时间为(线性化换流时间和谐振放能时间相对很短,可忽略)。
对单相逆变器,其最大放电时间为Ts/2,假设当时认为上的过电压放电完毕,且限定,则三相两电平拓扑下:
(4.32)
(4.33)
由前面可知:
同理可求出单相拓扑下:
(4.12)
1)缓冲二极管的选择
缓冲二极管电压容量应与IGBT额定电压容量相当,且应选用快速软恢复二极管。
在缓冲电路工作过程中,只有线性化换流阶段和谐振放能阶段有电流流过缓冲二极管。
在线性化换流阶段电流为,在谐振放能阶段电流由前面式可得为(忽略线性化换流阶段电压的变化),由此可得流过Ds电流的有效值:
同理可得单相逆变器中二极管:
从上面的计算可以看出,大功率的IGBT电路要求缓冲回路的寄生电感非常小.在工程实现上可从三个方面到达上述要求.
1)选用无感型电阻、电容和快速恢复型二极管.
2)缓冲回路尽量靠近IGBT.
3)尽量采用多个小的电容并联构成缓冲电容,因为越小的电容并联成的等效电容的寄生电感要比单个电容要小得多。
4.3.2Ⅱ型RCD缓冲电路
4.3.3Ⅲ型RCD缓冲电路
Ⅲ型RCD缓冲电路与前面的Ⅰ型RCD缓冲电路工作原理相似。
以开关管T1关断时刻为起点,分析缓冲电路的工作原理,其工作过程可分为:
线性化换流、母线寄生电感Lp谐振转移能量和缓冲电容Cs放电共3个阶段。
1)线性化换流过程
此阶段从开关管T1接收关断信号开始到开关管T1完全截止结束。
流过母线寄生电Lp的母线电流Io经T1和缓冲电路2条支路分流。
由于这个过程时间极短,一般为纳秒级,故此过程中的电流、电压变化可线性化处理。
由于实际的换流并非完全线性,因此在这个过程中会出现第一个电压尖峰(图3中ΔUp1)。
这个尖峰是由缓冲电路的寄生电感和缓冲二极管的正向恢复联合引起的。
如果缓冲二极管采用与IGBT匹配的快恢复二极管,则该电压尖峰主要取决于缓冲电路寄生电感Ls,可估计出ΔUp1为:
式中:
Ls为缓冲电路的等效寄生电感;
di/dt为关断瞬间或二极管恢复瞬间的电流变化率。
2)母线寄生电感Lp谐振转移能量过程及缓冲电容Cs的参数计算
在线性化换流阶段结束后,开关管T1完全截止。
此时,主回路寄生电感Lp与缓冲电容
Cs产生谐振,Lp中储存的能量向Cs转移。
当缓冲电容上电压UCs达到最大值UCspk,即谐振峰值时,谐振电流i为零,缓冲电路二极管Ds截止,箝位UCs防止有振荡。
在这个过程中将出现第二个电压尖峰(图3中ΔUp2)。
此尖峰主要是由母线寄生电感Lp引起,可以用能量守恒定律来确定ΔUp2:
Lp为母线寄生电感;
i为工作电流;
Cs为缓冲电容值;
ΔUp2为缓冲电压峰值。
如果已经确定了ΔUp2的限定值,则可用式
(2)确定缓冲电容Cs的值:
3)缓冲电容Cs放电阶段及缓冲电阻Rs的参数计算
在第二阶段结束之后,缓冲电容Cs上过冲能量通过缓冲电阻Rs、电源和负载放电。
在放电过程中,近似认为负载是恒流源。
因为负载的存在,可不考虑Ls、Lp对放电的影响。
其等效电路图如下图所示。
电路方程:
在Cs放电阶段:
对于不同拓扑结构的缓冲电路,允许Cs放电的最大时间也各不一样。
为保证开关管T1再次关断前,能将储存
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- 缓冲 电路设计 仿真