图腾柱电路解析整理文档格式.docx

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三极管的电流Ic要满足什么样的条件才能驱动后端的mos？

在下帖

15楼胡庄主曾提到“

1）首先要确定的是你需要多少的驱动能力？

要驱动的负载（一般可认为是功率管）有多少？

以MOSFET为例，驱动其实就是对MOS的门级电容的充放电，这就要考虑你有几个MOS并联，门级电容有多大？

MOS的Rg有多大，加上驱动回路寄生电感等，其实就是一个LRC串联回路。

2）驱动能力用个简化的公式来算就是I=C*Du/Dt，MOS的门级电容先确定，再来考虑你准备要几V的门级电压，然后就是这个电压建立和消除的时间，也就牵涉到MOS的开通关断速度，这会直接影响到功率管的损耗及其它问题，如应力等。

这几个想好了，所要的驱动电流也就出来了。

3）得到这个所要的驱动电流，再考虑上驱动回路的一堆寄生参数等，也就可以推出你图腾柱电路需提供多少驱动电流（注意这是个脉冲电流）。

”

针对上边的内容我有些疑问：

1、MOS属于单级型电压驱动器件，是栅极电压来控制漏极电流的，如果从表面理解的话，是不是只要保证栅极的电压达到Vgs就可以？

和电流没有关系？

？

2、MOS管的门极电容是怎么确定的？

是下图这些参数吗？

二、驱动电路之二

问：

1、图中的C18的作用？

二极管D是否有必要加？

要加的话，起作用？

2、R15、R16加与不加？

R15、R16在一般电路中，是并接在mos的GS端，起消除Cgs累计电荷的作用，防止mos处于开始处于导通或者状态不明确的情况。

在这里，采用了，脉变驱动。

变压器绕组可以起到放电作用,所以即使不加GS电阻,在驱动没有的情况下,管子也不会自己导通。

请有经验的朋友们，说下，在这个时候R15和R16加与不加？

影响如何？

三、驱动电路之三

1、各电阻的作用？

D1、D2的作用？

2、Q1、Q3构成的图腾柱与Q2、Q4构成的图腾柱，为何相反？

为什么用两级？

难道是为了增强驱动能力？

Q1、Q3的选择和Q2、Q4的选择上是否不同？

三幅图中，第三图很完整，逻辑关系比较有意思，很有把玩趣味·

·

第二幅图电路不是很齐全，让人像猜谜样猜，说话都得讲究个语境，看电路图不能就只给瞧某个单元模块，管中窥豹啊，楼主在搞非常6+1耶~

第一幅图画个等效电路出来不就明白VCC与Vg之间的关系麽，楼主·

楼主的电路分析有待加强，把《模电》，《电路》这两书来来回回翻看个五六七八遍，再回过头来分析这几幅图你就有自己的体会喇·

第一幅图，实际上不经过等效电路就知道VCC应该和VGS差不多相等，但是仿真的时候就不一样了。

还有就是虽然等效电路出来VCC≈VGS，但你给出的仿真结构却不是。

你可能没太注意，通道A、B的幅格大小是不一样的，一个是5V/Div，一个是2V/Div，实际上都是5V，和V1的大小相等，这个multisim仿真我也做过，但结果和你的一样，不过现在我知道这个图的原因所在了。

第二个图，实际上不需要完整的电路图，只是个图腾柱+脉变，只是有些疑问。

不过还是很感谢

嘿，我贴出的仿真图是想让你看：

输出波形（信号）与输入信号（激励源）同步且同相，A、B幅值不一样是爲了看得清楚些（好区分），至于输出幅值，它不仅受VCC影响，也受V1制约，因为并联的@#￥%~^*&

-（此省略数十字符）……所以，第三幅图中，D2的作用就基本明朗了，D1你再推敲推敲也就差不多了，至于Q1~Q4，你明白它们的逻辑关系没有，明白了就知道它们不单是为了增强驱动能力而前后构造不一了~而而 

不过经过仿真，实际上输出幅值基本上和VCC有关，和输入V1关系不大

我看了，saber中好像不用设置吧，因为看它的模型就是7.5V的

你看看我的截图，在仿真中试一下就知道了嘛~

对第一点中的那个问题也很感兴趣，MOS驱动应该是将驱动电压加在GS两端，I=Cdu/dt,但是对于驱动端来说，能做的只是提供一个良好的脉冲波形和足够的“能力”，至于实际的驱动电流为多少，是驱动能定的吗？

很疑惑~

由于本人最近接触才saber，仿真能力有限，本想仿真，但实在是由于有关saber的基础东西还很多不会呢，所以只能请教大家了

1，不同的NPN,PNP对管，能提供的驱动电流是不一样的。

2，Ciss=Cgs+Cgd

Coss=Cds+Cgd

Crss=Cgd

在计算栅极驱动电流时，要根据栅极电荷Qg来计算

1）VCC的选择与MOS管的驱动电压有关。

驱动电压比VCC低一个BE的压降。

（2）三极管的电流要满足MOS管子的驱动速度

谢谢！

三极管的电流是不是要满足Igs啊？

还有MOS管的技术指标中有mos管的驱动速度？

三极管的电流怎样满足mos的驱动速度？

有没有相关的计算公式来方便选择三极管呢？

MOS管是电压控制不错，但电压是维持导通的条件，电流确实决定开启速度的条件，如果只有电压电流很小，那么MOS管栅极电容充电就比较慢，造成的结果就是开通速度减慢。

那怎么样选择我的NPN和PNP的管子呢

1、vcc的选择确实跟Vgs有关；

2、图腾驱动管子的选取依照正常的电压电流值，及其高频特性，电流一般都能满足，因为后接mos需要的电流很小。

1、vcc的选择确实跟Vds有关；

你这应该是笔误吧，Vgs吧

SORRY 

纯属笔误 

我用的图，是IGBT管，P沟场管更好，内阻小，我打算做摩托车稳压器，主要是串联在正极上用的

下面这张图，也在电源网找的，

回复6帖

我用494和P沟的做串联式稳压电源，P沟的管或者IGBT要用600V20A以上的

这个电路看似简单，其实用起来要考虑的还比较多，简单谈谈个人的看法，先声明一下，只是随手总结，可能有不对或不足之处，

4）这个时候再考虑的就是你PCB板layout的空间，位置，准备为这个电路花多少钱选器件，用MOS还是BJT，综合考虑，然后就想办法选器件吧，当然还要考虑IC的输出信号和你选的图腾柱器件（MOS或BJT）之间也是个回路，这会不会有问题？

5）另外要考虑的是，这个图腾柱能不能彻底关掉，这就又要考虑N在上还是P在上，正开还是负开,比如选用PMOS做关断，关断时图腾柱输出会仍有一个等于Vgs电压的电压加在你的负载MOS上，如果这个电压高于你的负载MOS门槛的话，----这就意味着你没关掉，虽然你前面关掉了。

更痛苦的是，前面和后面的MOS门槛电压tolerance都会非常大，再考虑到温度系数，......这要坐下来算算了

6）还要重点考虑的是图腾柱的器件也是要损耗功率的，所以要考虑它的温度及功耗会不会有问题。

总之，具体用时要考虑的问题还真不少，单挑一个出来都非常简单，但加到一块，还真要花点时间研究计算一下。

因为是做产品，所有的规格参数，寄生参数，tolerance，温度，cost,PCB空间等等等等，前前后后的一堆问题都得面对，不象写paper或仿真,抓住一点，其它都可考虑为理想状态，这样当然很快可以推出理想的结果。

输出极采用一个上电阻接一个NPN型晶体管的集电极,这个管子的发射极接下面管子的集电极同时输出;

下管的发射极接地.两管的基极分别接前级的控制.就是上下两个输出管,从直流角度看是串联,两管联接处为输出端.上管导通下管截止输出高电平,下管导通上管截止输出低电平,如果电路逻辑可以上下两管均截止则输出为高阻态.

其实也是用NPN和PNP管子的搭配使用，当上升沿的时候NPN工作打开，当下降沿的时候PNP工作关闭，依次循环。

不就是OUT高位时，上三极管导通，下三极管关断，Rgate接上Vdrv，MOS开通，

OUT低位时，反过来，Rgate接地，MOS关断。

按照你的说法那mosfet的驱动信号就是：

低电平0，高电平Vdrv？

可实际是低电平0，高电平Vout。

我讲的不严谨，只是个大概意思。

实际应该是Vout±

Vbe，（忽略Rb上压降），不过Vbe在过程中，不是个定值

Rgate推动的可以看作是一个电容C，反复将它充放电。

上管：

最大充电电流（=Vout-Vbe）/Rgate，这也是三极管的最大电流，它的Vceo需要大於Vdrv，功耗最小等於（Vdrv-Vout-Vbe）*充电电流平均值

下管：

放电，计算类似。

图腾柱式的驱动方式，一方面增加了驱动能力，另一方面，当PWM的输出端为低的时候，下管为MOS的结电容提供放电回路。

如此而已，所以此种驱动方式在MOS管的驱动上面应用比较广，对了晶体管的驱动而已，没有任何优势

以MOSFET为例，驱动其实就是对MOS的门级电容的充放电，这就要考虑你有几个MOS并联，门级电容