《模拟电子技术》复习题10套与答案Word文件下载.docx

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EN沟道结型FP沟道结型

图2－10

4、有一晶体管接在放大电路中，今测得它的各极对地电位分别为V1＝-4Ｖ，V2＝-1.2Ｖ，V3＝-1.4Ｖ，试判别管子的三个管脚分别是（）。

A1：

ｅ、2：

ｂ、3：

ｃB1：

ｃ、2：

e、3：

ｂ

C1：

ｅD其它情况

5、集成运放中间级的作用是（）。

A提高共模抑制比B提高输入电阻

C提高放大倍数D提供过载保护

6、根据相位平衡条件，判断图2-6所示振荡电路中（）发生振荡。

A可能B不能

7、差模信号电压是两个输入信号电压（）的值。

A差B和C算术平均

8、在单相桥式整流电容滤波电路中，已知变压器二次电压有效值U2＝24V，设二极管为理想二极管，用直流电压表测得RL的电压值约为21.6V，问电路的现象是（）。

A正常工作情况BRL开路CC开路

D一个二极管和C开路E一个二极管开路F其它情况

9、某仪表放大电路，要求输入电阻大，输出电流稳定，应选（）负反馈。

A电压串联B电压并联C电流串联D电流并联

10、设图2-10所示电路中二极管D1、D2为理想二极管，判断它们是导通还是截止？

（）

AD1导通，D2导通BD1导通，D2截止

CD1截止，D2导通DD1截止，D2截止

三、判断题

（）1、温度升高后，本征半导体中自由电子和空穴数目都增多，且增量相同。

（）2、结型场效应管通常采用两种偏置方式，即（源极）自给偏压式和栅极分压与源极自偏相结合的偏置方式。

（）3、共集电极电路没有电压和电流放大作用。

（）4、用电流源代替Re后电路的差模倍数增加。

（）5、集成运放内部第一级是差分放大电路，因此它有两个输入端。

（）6、只有两个晶体管的类型相同（都为NPN管或都为PNP管时）才能组成复合管。

（）7、RC桥式振荡电路只要Rｆ≤2R１就能产生自激振荡。

（）8、一个理想的差分放大电路，只能放大差模信号，不能放大共模信号。

（）9、电压负反馈可以稳定输出电压。

（）10、直流电源是一种电能形式转换电路，将交流电变为直流电。

四、分析题

电路如图所示：

（1）写出输入级、中间级、输出级的电路名称。

（2）电阻R3和二级管D1、D2的作用是什么？

（3）静态时T4管射级电位UE4=？

负载电流IL=？

（4）动态时，若输出VO出现正负半周衔接不上的现象，为何失真？

应调哪个元件？

怎样调才能消除失真？

（5）判断级间反馈为何种组态?

深度负反馈时，电路的闭环增益应为多少?

（6）求负载RL上最大输出幅度Vom和最大输出功率Pom。

（设VCES=0V，RL=24Ω）

（7）若Rf=100kΩ，Rb2=2kΩ，求RL上输出幅度最大时，输入VI的有效值为多少？

五、计算题

1、电路如图所示，晶体管的β＝60，。

（1）求电路的Q点。

（2）画出微变等效电路，并计算。

（3）设Us＝10mV（有效值），问Ui＝？

Uo＝？

若C3开路，则Ui＝？

2、如图所示电路参数理想对称，晶体管的β均为50，，UBEQ≈0.7。

试计算RW滑动端在中点时T1管和T2管的发射极静态电流IEQ，以及动态参数Ad和Ri。

3、电路如图所示，设集成运放均有理想的特性，写出输出电压uo与输入电压uI1、uI2的关系式。

《模拟电子技术》复习题一参考答案

1、自由电子，空穴。

2、绝缘栅型，电压

3、共射

4、输入

5、负反馈

6、饱和，放大，截止

7、放大电路，选频网络，正反馈网络，稳幅环节

1、B2、B3、D4、B5、C

6、A7、A8、C9、C10、B

1、√2、√3、×

4、×

5、√6、×

7、×

8、√9、√10、√

答：

（1）输入级为差分放大电路，中间级为共射放大电路，输出级为无输出电容的功率放大电路。

（2）消除交越失真。

（3）UE4=0，IL=0。

（4）为交越失真。

应调Ｒc3，应将阻值调大。

（5）电压串联负反馈。

（6）（幅值）或（有效值）

（7）

1、

解：

（1）Q点：

（2）画出微变等效电路

动态分析：

（3）设Us＝10mV（有效值），则

若C3开路，则

2、

RW滑动端在中点时T1管和T2管的发射极静态电流分析如下：

Ad和Ri分析如下：

3、

由图可知，运放A1、A2组成电压跟随器

，

运放A4组成反相输入比例运算电路

运放A3组成差分比例运算电路

以上各式联立求解得：

《模拟电子技术》复习题二

1、当PN结外加正向电压时，P区接电源极，N区接电源

极，此时，扩散电流漂移电流。

2、二极管最主要的特性是。

3、一个放大电路的对数幅频特性如图所示。

由图1-3可知，中频放大倍数|Avm|=____。

图1-3图1-7

4、乙类放大器中每个晶体管的导通角是___，该放大器的理想效率为____，每个管子所承受的最大电压为_______。

5、差动放大电路的基本功能是对差模信号的__作用和对共模信号的__作用。

6、小功率直流稳压电源由变压、、____、四部分组成。

7、图1-8（a）和（b）是两个放大管的不完整的符号，根据图中所给数据和电流方向，判断它们的导电类型分别为___________型和___________型，用半导体材料___________和___________制成，电流放大系数β分别为___________和___________。

图2-3图2-8图2-9图2-10

1、图2-3所示复合管中，下列答案正确的是（）。

ANPN型BPNP型C不正确

2、N型半导体是在本征半导体中加入（）后形成的杂质半导体。

A空穴B三价元素C五价元素

3、有一晶体管接在放大电路中，今测得它的各极对地电位分别为V1＝2Ｖ，V2＝2.7Ｖ，

V3＝6Ｖ，试判别管子的三个管脚分别是（）。

e、2：

b、3：

cB1：

c、2：

b

eD其它情况

4、用万用表直流电压档测得电路中PNP型晶体管各极的对地电位分别是：

Vb＝－12.3Ｖ，Ve＝－12Ｖ，Vc＝－18Ｖ。

则三极管的工作状态为（）。

A放大B饱和C截止

5、判断图2-5电路中的反馈组态为（）。

A电压并联负反馈B电压串联负反馈

C电流串联负反馈D电流并联负反馈

6、已知降压变压器次级绕组电压为12V，负载两端的输出电压为10.8V，则这是一个单相（）电路．

A桥式整流B半波整流

C桥式整流电容滤波D半波整流电容滤波

7、直接耦合式多级放大电路与阻容耦合式（或变压器耦合式）多级放大电路相比，低频响应（）。

A差B好C差不多

8、某场效应管的转移特性如图2-8所示，该管为（）。

AP沟道增强型MOS管BP沟道结型场效应管

CN沟道增强型MOS管DN沟道耗尽型MOS管

9、设图2-9所示电路中二极管D1、D2为理想二极管，判断它们是导通还是截止？

10、图2-10所示电路是（）。

A差分放大电路B镜像电流源电路C微电流源电路

（）1、耗尽型绝缘栅场效应管不能采用自给偏压方式。

（）2、放大的实质不是对能量的控制作用。

（）3、功率的放大电路有功率放大作用，电压放大电路只有电压放大作用而没有功率放大作用。

（）4、共模信号都是直流信号，差模信号都是交流信号。

（）5、集成运放是直接耦合的多级放大电路。

（）6、电压串联负反馈有稳定输出电压和降低输入电阻的作用。

（）7、复合管的β值近似等于组成它的各晶体管β值的乘积。

（）8、反相比例运算电路属于电压串联负反馈，同相比例运算电路属于电压并联负反

馈。

（）9、只要满足正弦波振荡的相位平衡条件，电路就一定振荡。

（）10、滤波是将交流变为直流。

图示电路是没有画完的功率放大电路，已知输入电压ui为正弦波，运算放大电路为理想运放。

（1）在图上标出三极管VT1和VT2的发射极箭头，并合理连接输入信号ui和反馈电阻Rf，使电路具有输入电阻大、输出电压稳定的特点。

在题图上完成。

（2）设三极管VT1和VT2的饱和管压降可忽略不计，计算VT1和VT2的极限参数ICM、U（BR）CEO、PCM大体应满足什么条件？

（3）电路最大的输出功率有多大？

（Pomax=?

）

五、计算题

1、电路如下图所示，晶体管的β＝100，。

（3）若电容Ce开路，则将引起电路的哪些动态参数发生变化？

如何变化？

（15分）

2、电路如下图所示，晶体管的β=50，。

（1）计算静态时T1管和T2管的集电极电流和集电极电位；

（2）用直流表测得uO=2V，uI=？

若uI=10mV，则uO=？

3、电压－电流转换电路如图所示，已知集成运放为理想运放，R2＝R3＝R4＝R7＝R，R5＝2R。

求解iL与uI之间的函数关系。

《模拟电子技术》复习题二参考答案

1、正，负，大于

2、单向导电性

3、100

4、180˙，78.5%，2VCC

5、放大，抑制

6、整流，滤波，稳压

7、NPN,PNP，硅，锗，50，20

1、A2、C3、A4、A5、B

6、A7、B8、D9、C10、B

1、×

2、×

3、×

7、√8、×

9、×

10、×

（1）

1接3，2接地，4接运放反相输入端，5接输出端。

（2），，

（3）

（1）静态分析：

（2）画出微变等效电路