河南大学纳米材料开题报告讲解Word文档格式.docx
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尚航影
导师姓名、职称:
李林松教授
填表日期:
2011年11月10日
河南大学研究生院制表
填表说明
1.开题报告为A4大小,封面及Ⅰ至Ⅶ项必须用计算机输入,不得随意改变表结构。
开题人应逐项认真填写,完毕,将本表全部打印输出,于左侧装订成册。
2.文字输入部分,一律五号字、仿宋体、单倍行间距编排。
3.“参考文献”著录按照GB7714-87文参考文献著录规则执行。
书写顺序为:
序号·
作者·
论文名或著作名·
杂志或会议名·
卷号、期号或会议地点·
出版社·
页号·
年。
4.开题报告应由本学科专业导师组评审通过。
指导教师审阅通过后,由开题人在学科组或更大范围内宣读,并接受质疑、评议。
导师组由三名以上导师组成。
评审合格后,本报告暂由导师负责保管。
5.为加强论文撰写进程的跟踪指导和督查,在论文定稿之前,至少应对研究写作进行三次考察。
开题人要向导师、本学科专业的内研究生汇报论文进展情况,包括论文已经取得的成果、目前面临的难题等,进行充分的讨论,并认真做好记录。
6.论文撰写完成,由导师确定定稿后,方可进入学位申请环节。
本表上交学院研究生教育管理办公室,归入开题人学位档案。
Ⅰ.选题简况
Ⅰ-1拟定论文题目
溶液-液相-固相法制备Ag-ZnS异质结纳米棒或纳米线以及Pb(OH)Cl纳米线
Ⅰ-2论文性质
基础理论研究;
□应用基础研究;
□应用技术研究
Ⅰ-3与导师目前研究课题的关系
其中一部分;
□没有关系
Ⅱ.选题依据
Ⅱ-1本选题的研究意义
一维异质结纳米材料因其新颖的结构、独特的光电特性和在纳器件制作等领域应用的巨大优势和潜力而受到科学家们的广泛关注和重视。
一维异质结纳米材料是由两种或两种以上不同性质的材料按一定的迭代顺序交替生长,由异质结连接而成的一维周期性纳米结构。
其周期性的异质结能有效地控制电子、空穴和各种激子的传输,从而使其具有新颖的库仑阻塞效应、肖特基二极管现象、欧姆接触特性、热电特性和电致发光特性等。
目前,科学家们已经利用这些独特的特性将一维异质结纳米材料制作成单电子晶体管、场效应晶体管、光电检测器、生物/化学传感器、发光二极管、二极管逻辑装置、由p-n结和p-n-p结构成的量子点立体装等。
这些新型纳器件的出现,对纳电子领域的发展将起到极大的促进作用。
而作为一维异质结纳米材料的一种维金属-半导体纳米材料在纳电子器件的制作中起着至关重要的作用,因为许多纳电子器件只有在金属半导体异质结存在的条件下,才有欧姆接触特性或高的肖特基接触势垒,从而使纳器件具有良好的热稳定性和低的接触电阻。
因此,一维金属-半导体异质结纳米材料是一类迫切需要研究开发的新型纳米材料。
设计合理的合成路线,制备出高质量和技术可用的一维金属-半导体异质结纳米材料是推进此类异质结纳米材料研究开发的前提和基础。
目前主要的制备方法有:
化学气相沉积法、热蒸发沉积法、模板法、自组装法和液相法等;
其中液相法能有效获得高质量和技术可用的一维金属-半导体异质结纳米材料,使用该法进行制备和性能研究将成为此类纳米材料的未来发展方向。
Ⅱ-2国内外研究现状(文献综述)
目前,一维金属-半导体异质结纳米材料的制备方法有很多。
主要有
(1)化学气相沉积法
化学气相沉积法就是气相物质通过化学反应在工作表面析出固相物质的方法。
化学气相沉积法的装置一般由如下部件组成:
反应物供应系统、气相反应器和气流传送系统。
反应物先被加热到一定温度,达到足够高的蒸气压,然后借助载气(一般为Ar或H2)送入反应器,最后发生化学反应,并沉积在工作表面上。
Park等用化学气相沉积法合成了ZnO纳米棒,然后将Au蒸发沉积在ZnO纳米棒上形成Au-ZnO异质结,最后在Au-ZnO异质结上生长出Au纳米棒。
化学气相沉积法能得到稳定的一维金属-半导体异质结纳米材料,但它只适合于制备含一个异质结的纳米棒,而要得到多个异质结的一维金属-半导体纳米材料却非常困难。
另外,它的操作比较复杂(如需要高温),也很难将它从工作表面操纵到目标器件上。
(2)热蒸发沉积法
热蒸发沉积法属于物理气相沉积,它需要在高真空的条件下进行,即在真空和高温的条件下将目标金属或半导体蒸发为气态原子,然后沉积在目标基底上的方法。
热蒸发沉积法相对化学气相沉积法有一些明显的优势,如较高的沉积速率和真空度可使制备的材料纯度比较高、易形成多个异质结等。
Hu等用热蒸发沉积法成功合成了In-Si异质结纳米线。
热蒸发沉积法能得到稳定且含多个异质结的一维金属P半导体纳米材料。
但它的反应条件非常苛刻,如需要高温和高的真空度,而且要将它操纵在目标电子器件上也非常困难。
(3)模板法
模板法是一种能有效控制纳米材料形貌的合成方法,通过制备目标尺寸和结构的模板,可获得所需的纳米材料。
模板法可以用来制备各种尺寸和形状的纳米材料,其中包括一维金属-半导体异质结纳米材料。
模板法制备一维金属-半导体异质结纳米材料最常见的方法是阳极氧化铝模板法。
首先,用化学或电化学沉积方法将金属沉积在模板的纳米孔洞中,然后再用其它方法将半导体沉积在金属纳米棒(线)上,如此反复,最后得到多个金属-半导体异质结的一维纳米材料。
Luo等用模板法成功制备了银纳米线-无定形碳纳米管异质结纳米材料。
模板法不仅能得到稳定且多个异质结的一维金属-半导体纳米材料,而且能有效地控制异质结纳米材料的尺寸、长度和异质结的数量。
但在用模板法制备一维金属-半导体异质结纳米材料的过程中容易形成空穴甚至掺进杂质。
而且,将它从模板中提取出来时,需要溶解模板,而在模板溶解的过程中异质结纳米材料的表面甚至结构可能会受到破坏。
(4)自组装法
自组装方法制备一维异质结纳米材料是指通过分子间非共价键的相互作用力将两种或两种以上不同纳米材料自发地组装成异质结纳米材料的过程,是以分子水平构筑异质结纳米材料的一种新方法。
目前,人们已经用自组装方法成功地获得了金属-金属或半导体-半导体异质结的纳米材料。
然而用自组装的方法成功获得一维金属-半导体异质结纳米材料的例子还不多。
不过,Kohno等用具有硅-氧化物周期性纳米结构的纳米材料作为模板,通过自组装的方法得到了具有周期性纳米结构的硅-硅化物-氧化物异质结的纳米线。
自组装法制备一维金属-半导体异质结纳米材料有操作简单、条件温和、容易得到多个异质结,甚至可获得具有二维异质结网络结构等的优点。
但它也存在如下缺点:
异质结和纳米材料的尺寸不均一而且界面不整齐;
多数通过非共价键获得的异质结还存在稳定性较差,进而导致不容易操纵的缺点。
(5)液相法
液相法制备一维金属-半导体异质结纳米材料是指在液相中通过晶体成核、生长,然后再异相成核、生长,如此反复得到一维金属-半导体异质结纳米材料的方法。
中国科学院理化技术研究所刘春艳研究小组成功地通过溶剂热方法合成了竹子状的含银-二氧化钛异质结的二氧化钛纳米线。
除了上面描述的方法以外,制备一维金属-半导体异质结纳米材料的方法还有气-液-固沉积法、电沉积法、电化学“蘸墨笔”纳米刻蚀法、分子束外延法及多种方法共用等。
液相法在合成一维金属-半导体异质结纳米材料时具有巨大的优势:
(1)操作简单和反应条件温和,不需要高温,也不需要低压;
(2)不需要模板或借助基底,合成的纳米材料通过微流控等技术容易操纵在目标器件上;
(3)因为液相晶体生长是一个动态生长过程,得到的纳米材料和异质结尺寸均匀、界面整齐和无缺陷;
(4)异质结有很高的稳定性,因为经过异相成核和生长后得到的异质结与纳米材料有机地共价键合在一起。
然而,液相法合成一维金属-半导体异质结纳米材料有很多瓶颈问题仍然没有解决,如定向异相成核和异相成核后的一维生长等问题。
一维金属-半导体异质结纳米材料的性能具有许多独特的特性,如新颖的库仑阻塞效应、肖特基二极管现象、欧姆接触特性和电致发光特性等。
(1)库仑阻塞效应
库仑阻塞效应是指如果有一个足够小的岛,这个岛里原来有一个电子,当另一个电子进到这个岛里时,随着新来电子与原来电子的相互靠近,由于排斥力的增强和系统能量的升高,原来的电子将会阻止新来电子的进入,只有当外加电场使系统释放出原来这个电子后,新来的电子才能进来的效应。
具有库仑阻塞效应的材料可以用来制作单电子晶体管和单电子存储器,是构筑纳米电子学的基础。
Kanda等制备了金属钛-多壁碳纳米管-金属钛异质结构,并研究了它的库仑阻塞效应。
(2)肖特基二极管效应
肖特基二极管是利用金属与半导体接触形成金属-半导体异质结的原理制成的。
与p-n结二极管相比,具有开关频率高、正向电压降低和不存在少数载流子寿命和反向恢复问题等优点。
但肖特基二极管也存在反向势垒低和表面容易被击穿的缺点。
为了克服这些问题,科学家们试图将一维金属-半导体异质结纳米材料制成肖特基二极管,例如Hu等报道了碳纳米管-硅纳米线异质结纳米材料的可控生长与电学性能。
研究表明,碳纳米管在这里主要表现出金属的特性,碳纳米管-硅纳米线异质结纳米材料是一维金属-半导体异质结纳米材料。
(3)欧姆接触特性
欧姆接触是指金属与半导体的接触,其接触面的电阻值远小于导体本身的电阻,使得在组件操作时,大部分的电压降发生在活动区,而不是在接触面。
欧姆接触特性对纳电子器件来说具有非常重要的作用。
Luo等合成了具有欧姆接触效应的银纳米线-无定形碳纳米管的异质结,测量得到的电阻值主要来自于这个金属-半导体异质结。
(4)电致发光特性
电致发光材料具有巨大的应用前景,其研究目前已经进入快速发展阶段。
电致发光的原理如下:
在外界电压的驱动下,由电极注入的电子和空穴在物质中复合,并释放出能量,然后再把能量传递给发光物质的分子,使其从基态跃迁到激发态,当受激分子从激发态跃回基态时,辐射跃迁而产生发光现象。
电致发光过程通常由以下5个阶段完成。
(1)载流子的注入:
在外加电场作用下,电子和空穴分别从阴极和阳极注入到电解质;
(2)载流子的迁移:
注入的电子和空穴分别从电子传输层和空穴传输层向发光层迁移;
(3)载流子复合:
电子和空穴结合产生激子;
(4)激子的迁移:
激子在电场作用下迁移,将能量传递给发光分子,并激发电子从基态跃迁到激发态;
(5)电致发光:
激发态能量通过辐射失活,产生光子,释放能量。
Chen等在二氧化硅-硅基底上制备得到了核壳氧化锌P铟异质结纳米棒和纯氧化锌纳米棒,并用不同的单色激发波长测量了它们的光电流谱。
铟的掺杂大大地增强了氧化锌纳米棒的光电流。
较宽的光子响应特性可用于光捕获光电器件的光电转换。
总之,一维金属-半导体异质结纳米材料具有很多独特的光电性能。
然而,目前有关一维金属-半导体异质结纳米材料光电性能的报道仍然很少,其根本原因是很难获得高质量和技术可用的一维金属-半导体异质结纳米材料。
Ⅲ.选题材料收集
目前人们已经成功地制备出一些一维金属-半导体异质结纳米材料,但国内外有关它的性能和应用研究的报道仍然非常有限,其根本原因是目前的合成方法很难获得高质量和技术可用的一维金属-半导体异质结纳米材料。
目前的方法都存在下面一种或几种不足:
(1)操作复杂和反应条件苛刻,如常需要高
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