晶体缺陷Word文件下载.docx
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晶体内部质点由于热起伏的影响,质点从正常位置位移到晶体内部的间隙位置上,正常位置上出现空位。
4、什么是肖特基缺陷、弗兰克尔缺陷?
他们属于何种缺陷,发生缺陷时位置数是否发生变化?
答:
肖特基缺陷:
晶体的结构基元,从正常的结点位置上位移到晶体的表面而正常位置上出现了空位,这种缺陷即是。
位置数增殖,体积增大。
弗兰克尔缺陷:
晶体结构中的结构基元,从正常的结点位置上位移到晶体的间隙位置上,而正常位置上出现了空位,这种缺陷即是。
位置数不增殖,体积不增大。
5、什么是非化学计量化合物:
化合物原子数量的比例,不符合定比定律,即非简单的固定比例关系。
6、ZrO2中加入Y2O3形成置换固溶体,写出缺陷反应式?
Y2O3-(2ZrO2)->
2Yzr‘+3Oo+Vo,Y2O3-(2ZrO2)->
2YZr3++2e+3Oo+Vo。
。
7、试写出少量MgO掺杂到Al2O3中和少量YF3掺杂到CaF2中的缺陷方程。
(a)判断方程的合理性。
(b)写出每一方程对应的固溶式。
3MgO2++3OO
(1)
2MgO2++2OO
(2)
YF3Y+F+2FF(3)
2YF32Y++6FF(4)
(a)书写缺陷方程首先考虑电价平衡,如方程
(1)和(4)。
在不等价置换时,3Mg2+→2Al3+;
2Y3+→3Ca2+。
这样即可写出一组缺陷方程。
其次考虑不等价离子等量置换,如方程
(2)和(3)2Mg2+→2Al3+;
Y3+→Ca2+。
这样又可写出一组缺陷方程。
在这两组方程中,从结晶化学的晶体稳定性考虑,在离子晶体中除萤石型晶体结构可以产生间隙型固溶体以外,由于离子晶体中阴离子紧密堆积,间隙阴离子或阳离子都会破坏晶体的稳定性。
因而间隙型缺陷在离子晶体中(除萤石型)较少见。
上述四个方程以
(2)和(3)较合理。
当然正确的判断必须用固溶体密度测定法来决定。
(b)
(1)
(2)
(3)(4)
8、试写出以下缺陷方程(每组写出二种),并判断是否可以成立,同时简单说明理由。
(1)
(2)(3)
1、
(1)两种缺陷反应方程式为:
A、
B、
其中A可以成立,因为NaCl型的MgO晶体,只有较小的四面体空隙未被阳离子占据,Al3+离子填隙会破坏晶体的稳定性。
(2)两种缺陷反应方程式为:
A、B两种都可能成立,其中在较低温度下,以A方式固溶;
在高温下(>
1800℃),以B方式固溶。
因为ZrO2为萤石型结构,在高温下具有较大的立方体和八面体空隙,能够形成填隙型缺陷。
(3)两种缺陷反应方程式为:
A可能性较大。
因萤石晶体中存较多的八面体空隙,F-离子半径较小,形成填隙型固溶体比较稳定。
9、试述晶体结构中点缺陷的类型。
以通用的表示法写出晶体中各种点缺陷的表示符号。
试举例写出CaCl2中Ca2+置换KCl中K+或进入到KCl间隙中去的两种点缺陷反应表示式。
晶体结构中的点缺陷类型共分:
间隙原子、空位和杂质原子等三种。
在MX晶体中,间隙原子的表示符号为MI或XI;
空位缺陷的表示符号为:
VM或VX。
如果进入MX晶体的杂质原子是A,则其表示符号可写成:
AM或AX(取代式)以及Ai(间隙式)。
当CaCl2中Ca2+置换KCl中K+而出现点缺陷,其缺陷反应式如下:
CaCl2++2ClCl
CaCl2中Ca2+进入到KCl间隙中而形成点缺陷的反应式为:
CaCl2+2+2ClCl
10、在缺陷反应方程式中,所谓位置平衡、电中性、质量平衡是指什么?
位置平衡是指在化合物MaXb中,M格点数与X格点数保持正确的比例关系,即M:
X=a:
b。
电中性是指在方程式两边应具有相同的有效电荷。
质量平衡是指方程式两边应保持物质质量的守恒。
11、TiO2-x和Fe1-xO分别为具有阴离子空位和阳离子空位的非化学计量化合物。
试说明其导电率和密度随氧分压PO2变化的规律。
(以缺陷方程帮助说明)
(1)TiO2-x的缺陷反应方程为:
根据质量守恒定律可得,故其密度随氧分压增加而增加,而电导率随氧分压的增加而减小,与氧分压的1/6次方成反比。
(2)Fe1-xO缺陷反应方程式为:
根据质量守恒定律可得,故其密度随氧分压增加而下降,而电导率随氧分压的增加而增加,与氧分压的1/6次方成正比。
12、晶体结构中的热缺陷有(A)和(B)二类。
(A)肖特基缺陷,(B)弗伦克尔缺陷
13、当MgO加入到ZrO2晶格中形成固溶体时,试写出其缺陷反应方程式和对应的固溶式。
MgO加入到ZrO2晶格中形成固溶体时,其缺陷反应方程和对应的固溶式如下:
(1)低温:
,
(2)高温:
14、对某晶体的缺陷测定生成能为84KJ/mol,计算该晶体在1000K和1500K时的缺陷浓度。
根据热缺陷浓度公式:
exp(-)
由题意△G=84KJ/mol=84000J/mol
则exp()
其中R=8.314J/mol·
K
当T1=1000K时,exp()=exp=6.4×
10-3
当T2=1500K时,exp()=exp=3.45×
10-2
15、试写出在下列二种情况,生成什么缺陷?
缺陷浓度是多少?
(a)在Al2O3中,添加0.01mol%的Cr2O3,生成淡红宝石(b)在Al2O3中,添加0.5mol%的NiO,生成黄宝石。
(a)在Al2O3中,添加0.01mol%的Cr2O3,生成淡红宝石的缺陷反应式为:
Cr2O3
生成置换式杂质原子点缺陷。
其缺陷浓度为:
0.01%×
=0.004%=4×
10-3%
(b)当添加0.5mol%的NiO在Al2O3中,生成黄宝石的缺陷反应式为:
2NiO++2OO
生成置换式的空位点缺陷。
0.5%×
=0.3%
16、非化学计量缺陷的浓度与周围气氛的性质、压力大小相关,如果增大周围氧气的分压,非化学计量化合物Fe1-xO及Zn1+xO的密度将发生怎样变化?
增大?
减少?
为什么?
(a)非化学计量化合物Fe1-xO,是由于正离子空位,引起负离子过剩:
按质量作用定律,平衡常数
K=
由此可得
[V]﹠
即:
铁空位的浓度和氧分压的1/6次方成正比,故当周围分压增大时,铁空位浓度增加,晶体质量减小,则Fe1-xO的密度也将减小。
(b)非化学计量化合物Zn1+xO,由于正离子填隙,使金属离子过剩:
根据质量作用定律
K=[][e′]2
得[]
间隙离子的浓度与氧分压的1/6次方成反比,故增大周围氧分压,间隙离子浓度减小,晶体质量减小,则Zn1+xO的密度也将减小。
17、非化学计量氧化物TiO2-x的制备强烈依赖于氧分压和温度:
(a)试列出其缺陷反应式。
(b)求其缺陷浓度表达式。
非化学计量氧化物TiO2-x,其晶格缺陷属于负离子缺位而使金属离子过剩的类型。
(a)缺陷反应式为:
2TiTi?
/FONT>
O2↑→2++3OO
OO→+2e′+O2↑
(b)缺陷浓度表达式:
[V]
18、(a)在MgO晶体中,肖特基缺陷的生成能为6ev,计算在25℃和1600℃时热缺陷的浓度。
(b)如果MgO晶体中,含有百万分之一mol的Al2O3杂质,则在1600℃时,MgO晶体中是热缺陷占优势还是杂质缺陷占优势?
说明原因。
(a)根据热缺陷浓度公式:
由题意△G=6ev=6×
1.602×
10-19=9.612×
10-19J
K=1.38×
10-23J/K
T1=25+273=298KT2=1600+273=1873K
298K:
exp=1.92×
10-51
1873K:
exp=8×
10-9
(b)在MgO中加入百万分之一的Al2O3杂质,缺陷反应方程为:
此时产生的缺陷为[]杂质。
而由上式可知:
[Al2O3]=[]杂质
∴当加入10-6Al2O3时,杂质缺陷的浓度为
[]杂质=[Al2O3]=10-6
由(a)计算结果可知:
在1873K,[]热=8×
显然:
[]杂质>[]热,所以在1873K时杂质缺陷占优势。
19、、MgO的密度是3.58克/厘米3,其晶格参数是0.42nm,计算单位晶胞MgO的肖脱基缺陷数。
设有缺陷的MgO晶胞的晶胞分子数为x,晶胞体积V=(4.20)3,x=ρVN0/M=3.96,单位晶胞的肖脱基缺陷数=4-x=0.04。
20、MgO晶体的肖特基缺陷生成能为84kJ/mol,计算该晶体在1000K和1500K的缺陷浓度。
n/N=exp(-E/2RT),R=8.314,T=1000k:
n/N=6.4×
10-3;
T=1500k:
n/N=3.5×
10-2。
21、非化学计量化合物FexO中,Fe3+/Fe2+=0.1,求FexO中的空位浓度及x值。
Fe2O32FeFe·
+3OO+VFe’’
y
2y
y
Fe3+2yFe2+1-3yO,
X=1-y=1-0.0435=0.9565,Fe0.9565O
[VFe’’]===2.22×
22、非化学计量缺陷的浓度与周围气氛的性质、压力大小相关,如果增大周围氧气的分压,非化学计量化合物Fe1-XO及Zn1+XO的密度将发生怎么样的变化?
增大还是减小?
为什么?
Zn(g)Zni·
+e’,Zn(g)+1/2O2=ZnO,Zni·
+e’+1/2O2ZnO,[ZnO]=[e’],
∴PO2
[Zni·
]
ρ
O2(g)OO+VFe’’+2h
k=[OO][VFe’’][h·
]/PO21/2=4[OO][VFe’’]3/PO21/2,[VFe’’]∝PO2-1/6,
∴
PO2
[VFe’’]
23、对于刃位错和螺位错,区别其位错线方向、柏氏矢量和位错运动方向的特点。
刃位错:
位错线垂直于,位错线垂直于位错运动方向;
螺位错:
位错线平行于,位错线平行于位错运动方向。
24、有两个相同符号的刃位错,在同一滑移面上相遇,它们将是排斥还是吸引?
排斥,张应力重叠,压应力重叠。
25、晶界对位错的运动将发生怎么样的影响?
能预计吗?
晶界对位错运动起阻碍作用。
26、晶界有小角度晶界与大角度晶界之分,大角度晶界能用位错的阵列来描述吗?
不能,在大角度晶界中,原子排列接近于无序的状态,而位错之间的距离可能只有一、两个原子的大小,不适用于大角度晶界。
27、试述影响置换型固溶体的固溶度的条件。
(1)原子或离子尺寸的影响,△r<
15%时,可以形成连续固溶体;
△r=15%~30%时,只能形成有限型固溶
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