DDR3-RAM-IntroducePPT文件格式下载.ppt
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这样一来系统的整体性能也得到了提升.整合内存控制器虽然可以达到高宽带和低延迟,但是其升级换代就成了一个大问题,如果一种新的内存标准推出,芯片组厂商可以直接开发支持新内存的芯片组来支持。
而内存控制器整合到处理器核心中,就造成升级的困难,因为改一下支持内存的规格就需要改内核。
Nehalem处理器的集成DDR3内存控制器,Nehalem处理器集成了全新的DDR3内存控制器,这不是双通道而是三通道控制器!
因此总计内存总线带宽从128字节提升到了192字节。
内存控制器本身的处理能力带宽最大限度为每秒64GB。
但在处理器采用了集成内存控制器后,它就能直接与物理存储器阵列相连接,从而极大程度上减少了内存延迟的现象。
集成内存控制器可以支持DDR3-800,DDR3-1066,DDR3-1333JEDEC标准,也为将来的升级预留了空间.不过由于内存控制器的处理能力为每秒64GB,一个三通道的DDR3-1333控制器所能执行的带宽最大负荷只有每秒32GB。
每个处理器都使用三通道,每个通道都能支持3组双列直插内存模块(DIMM)。
这就意味着一个处理器最大限度能支持9列内存插槽。
最少也能支持3列,即每个通道采用1组双列直插内存模块。
这主要取决于所使用的主板的级别,每个主板都能配置为3列,6列或9列内存插槽。
Nehalem架构引入三通道内存技术,IntelPM45架构,Nehalem在测试平台中的应用,Nikita1.0(SP7):
Intel5SeriesExpressChipsets:
PM55-PlatformControllerHub(PCH-IbexPeak-M)PM57-PlatformControllerHub(PCH-IbexPeak-M)Processor:
Nehalem架构IntelCore2Quad(Clarksfield-SocketrPGA939)(四核心)IntelCore2Duo(Aarrandale-SocketrPGA939)(双核心)Jones2.0/Cujo(UP6/UP7):
Intel5SeriesExpresschipsets(IbexPeak-M)Processor:
IntelCore2Duo(Aubrundale-uPGASocket35W)(UP7无)IntelCore2Quad(Clarksfield-rPGASocket,45W),DDR3在DDR2基础上采用的新型设计,8bit预取设计,而DDR2为4bit预取,这样DRAM内核的频率只有接口频率的1/8,DDR3-800的核心工作频率只有100MHz。
采用点对点的拓朴架构,以减轻地址/命令与控制总线的负担。
采用100nm以下的生产工艺,将工作电压从1.8V降至1.5V,增加异步重置(Reset)与ZQ校准功能。
DDR3内存规格,PC3-6400,6.4GB/S,tCK=2.5ns,fCK=400MHz,DateRate=800MB/sPC3-8500,8.5GB/S,tCK=1.875ns,fCK=533MHz,DateRate=1066MB/sPC3-10600,10.6GB/S,tCK=1.5ns,fCK=667MHz,DateRate=1333MB/sPC3-12800,12.8GB/S,tCK=1.25ns,fCK=800MHz,DateRate=1600MB/sDDR3采用8bit预取机制以及4倍的时钟频率.DDR3:
数据频率=2倍时钟频率,时钟频率=4倍核心频率.内存带宽总量(MB)=最大时钟速频率(MHz)总线宽度(bits)每时钟数据段数量/8.,DDR3与DDR2的不同之处,突发长度(BurstLength,BL)由于DDR3的预取为8bit,所以突发传输周期(BurstLength,BL)也固定为8,而对于DDR2和早期的DDR架构系统,BL=4也是常用的,DDR3为此增加了一个4bitBurstChop(突发突变)模式,即由一个BL=4的读取操作加上一个BL=4的写入操作来合成一个BL=8的数据突发传输,届时可通过A12地址线来控制这一突发模式。
而且需要指出的是,任何突发中断操作都将在DDR3内存中予以禁止,且不予支持,取而代之的是更灵活的突发传输控制(如4bit顺序突发)。
寻址时序(Timing)就像DDR2从DDR转变而来后延迟周期数增加一样,DDR3的CL周期也将比DDR2有所提高。
DDR2的CL范围一般在25之间,而DDR3则在511之间,且附加延迟(AL)的设计也有所变化。
DDR2时AL的范围是04,而DDR3时AL有三种选项,分别是0、CL-1和CL-2。
另外,DDR3还新增加了一个时序参数写入延迟(CWD),这一参数将根据具体的工作频率而定。
DDR3新增的重置(Reset)功能重置是DDR3新增的一项重要功能,并为此专门准备了一个引脚。
DRAM业界很早以前就要求增加这一功能,如今终于在DDR3上实现了。
这一引脚将使DDR3的初始化处理变得简单。
当Reset命令有效时,DDR3内存将停止所有操作,并切换至最少量活动状态,以节约电力。
在Reset期间,DDR3内存将关闭内在的大部分功能,所有数据接收与发送器都将关闭,所有内部的程序装置将复位,DLL(延迟锁相环路)与时钟电路将停止工作,而且不理睬数据总线上的任何动静。
这样一来,将使DDR3达到最节省电力的目的。
DDR3新增ZQ校准功能ZQ也是一个新增的脚,在这个引脚上接有一个240欧姆的低公差参考电阻。
这个引脚通过一个命令集,通过片上校准引擎(On-DieCalibrationEngine,ODCE)来自动校验数据输出驱动器导通电阻与ODT的终结电阻值。
当系统发出这一指令后,将用相应的时钟周期(在加电与初始化之后用512个时钟周期,在退出自刷新操作后用256个时钟周期、在其他情况下用64个时钟周期)对导通电阻和ODT电阻进行重新校准。
参考电压分成两个在DDR3系统中,对于内存系统工作非常重要的参考电压信号VREF将分为两个信号,即为命令与地址信号服务的VREFCA和为数据总线服务的VREFDQ,这将有效地提高系统数据总线的信噪等级。
点对点连接(Point-to-Point,P2P)这是为了提高系统性能而进行的重要改动,也是DDR3与DDR2的一个关键区别。
在DDR3系统中,一个内存控制器只与一个内存通道打交道,而且这个内存通道只能有一个插槽,因此,内存控制器与DDR3内存模组之间是点对点(P2P)的关系(单物理Bank的模组),或者是点对双点(Point-to-two-Point,P22P)的关系(双物理Bank的模组),从而大大地减轻了地址/命令/控制与数据总线的负载。
而在内存模组方面,与DDR2的类别相类似,也有标准DIMM(台式PC)、SO-DIMM/Micro-DIMM(笔记本电脑)、FB-DIMM2(服务器)之分,其中第二代FB-DIMM将采用规格更高的AMB2(高级内存缓冲器)。
对比现有的DDR2-800产品,DDR3-800、1066及1333的功耗比分别为0.72X、0.83X及0.95X,不但内存带宽大幅提升,功耗表现也比上代更好。
DDR3拥有更高内存带宽,测试平台RAM配置情况,目前测试平台上常用RAM一般为:
DDR2-800,1GB,2GB厂家为:
Micron,Elpida,Qimonda,Samsung,HynixDDR2-800,4GB,Samsung,Qimonda(UT1/2,Soyuz3.0)DDR3RAM:
UP6/UP7(Jones2.0/Cujo2.0):
supportDDR31066/1333MHz,upto8GBmaxsystemRAM目前机器上标配DDR3-10661GB,2GB,4GBSamsung,Elpida,Hynix,MicronBond:
1GBsoldered(焊接)memory(Samsung1GB)+oneSODIMMslot(upto4GB,total5GB)PC3-8500(DDR3-1066):
Elpida2GB,Hynix2GB,Micron2GBSamsung2GBElpida1GB,Samsung1GB,Nikita(SP7):
4SODIMMslot,supportup16GBsystemmaxmemory标配:
PC3-106002GBX2DRR3-1066Dualchannelsupport(Uses1066MHz/1333MHzpartsanddowngradeto1066MHzduetoCPUmemorycontrollerlimitation)DDR3-1333MHz/2048MB(1x2048)DDR3-1333MHz/4096MB(2x2048)DDR3-1333MHz/6144MB(3x2048)DDR3-1333MHz/8192MB(4x2048)DDR3-1066MHz/8192MB(2x4096)DDR3-1333MHz/1066MHz/10240MB(3x2048+1x4096)DDR3-1066MHz/16384MB(4x4096)Morpheus2.0(UT8A_NB10P):
PC3-10600(DDR31333MHz)1GB,2GBMicron,Elpida.supportuptoMaxsize8GB一般平台支持DDR22SODIMMslot,supportupto8GB.,Prescoot1.0(FP6):
Chipset:
nVidiaMCP79MHProcessor:
IntelAtomN2701.60GHz,512KBL2,533MHzFSBIntelAtomN2801.66GHz,512KBL2,667MHzFSBMemory:
Onboard1GB(8pcs128Mbx8)DDR3+OneDDR3SODIMMslotsupportupto3GBmaxDDR3-1066MHzdualchannelsupportDDR3-1333MHzdualchannelsupport(Downgradespeedto1066Mhz),Q&
A,2009-3-10,
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