半导体集成电路常见封装缩写解释Word文件下载.docx
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近似小外形封装,但宽度要比小外形封装更窄,可节省组装面积的新型封装。
2.DIP(dualtapecarrierPACkage)
同上。
日本电子机械工业会标准对DTCP的命名(见DTCP)。
QTCP(quadtapecarrierPACkage)
四侧引脚带载封装。
TCP封装之一,在绝缘带上形成引脚并从封装四个侧面引出。
是利用TAB技术的薄型封装(见TAB、TCP)。
COB(chiponboard)
板上芯片封装,是裸芯片贴装技术之一,半导体芯片交接贴装在印刷线路板上,芯片与基板的电气连接用引线缝合方法实现,芯片与基板的电气连接用引线缝合方法实现,并用树脂覆盖以确保可靠性。
虽然COB是最简单的裸芯片贴装技术,但它的封装密度远不如TAB和倒片焊技术。
JLCC(J-leadedchipcarrier)
J形引脚芯片载体。
指带窗口CLCC和带窗口的陶瓷QFJ的别称(见CLCC和QFJ)。
部分半导体厂家采用的名称。
QTP(quadtapecarrierPACkage)
日本电子机械工业会于1993年4月对QTCP所制定的外形规格所用的名称(见TCP)。
SO(smallout-line)
SOP的别称。
世界上很多半导体厂家都采用此别称。
(见SOP)。
SOI(smallout-lineI-leadedPACkage)
I形引脚小外型封装。
表面贴装型封装之一。
引脚从封装双侧引出向下呈I字形,中心距1.27mm。
贴装占有面积小于SOP。
日立公司在模拟IC(电机驱动用IC)中采用了此封装。
引脚数26。
SOW(SmallOutlinePACkage(Wide-Jype))
宽体SOP。
SH-DIP(shrinkdualin-linePACkage)
同SDIP。
SIL(singlein-line)
SIP的别称(见SIP)。
欧洲半导体厂家多采用SIL这个名称。
SIMM(singlein-linememorymodule)
单列存贮器组件。
只在印刷基板的一个侧面附近配有电极的存贮器组件。
通常指插入插座的组件。
标准SIMM有中心距为2.54mm的30电极和中心距为1.27mm的72电极两种规格。
在印刷基板的单面或双面装有用SOJ封装的1兆位及4兆位DRAM的SIMM已经在个人计算机、工作站等设备中获得广泛应用。
至少有30~40%的DRAM都装配在SIMM里。
DSO(dualsmallout-lint)
双侧引脚小外形封装。
SOP的别称(见SOP)。
部分半导体厂家采用此名称。
SOIC(smallout-lineintegratedcircuit)
国外有许多半导体厂家采用此名称。
SIP(singlein-linePACkage)
单列直插式封装。
引脚从封装一个侧面引出,排列成一条直线。
当装配到印刷基板上时封装呈侧立状。
引脚中心距通常为2.54mm,引脚数从2至23,多数为定制产品。
封装的形状各异。
也有的把形状与ZIP相同的封装称为SIP。
SQL(SmallOut-LineL-leadedPACkage)
按照JEDEC(美国联合电子设备工程委员会)标准对SOP所采用的名称(见SOP)。
QUIP(quadin-linePACkage)
四列引脚直插式封装。
引脚从封装两个侧面引出,每隔一根交错向下弯曲成四列。
引脚中心距1.27mm,当插入印刷基板时,插入中心距就变成2.5mm。
因此可用于标准印刷线路板。
是比标准DIP更小的一种封装。
日本电气公司在台式计算机和家电产品等的微机芯片中采用了些种封装。
材料有陶瓷和塑料两种。
引脚数64。
SK-DIP(skinnydualin-linePACkage)
DIP的一种。
指宽度为7.62mm、引脚中心距为2.54mm的窄体DIP。
通常统称为DIP(见DIP)。
SOJ(SmallOut-LineJ-LeadedPACkage)
J形引脚小外型封装。
引脚从封装两侧引出向下呈J字形,故此得名。
通常为塑料制品,多数用于DRAM和SRAM等存储器LSI电路,但绝大部分是DRAM。
用SOJ封装的DRAM器件很多都装配在SIMM上。
引脚中心距1.27mm,引脚数从20至40(见SIMM)。
CQFP(quadfiatPACkagewithguardring)
带保护环的四侧引脚扁平封装。
塑料QFP之一,引脚用树脂保护环掩蔽,以防止弯曲变形。
在把LSI组装在印刷基板上之前,从保护环处切断引脚并使其成为海鸥翼状(L形状)。
这种封装在美国Motorola公司已批量生产。
引脚中心距0.5mm,引脚数最多为208左右。
H-(withheatsink)
表示带散热器的标记。
例如,HSOP表示带散热器的SOP。
LCC(Leadlesschipcarrier)
无引脚芯片载体。
指陶瓷基板的四个侧面只有电极接触而无引脚的表面贴装型封装。
是高速和高频IC用封装,也称为陶瓷QFN或QFN-C(见QFN)。
SL-DIP(slimdualin-linePACkage)
指宽度为10.16mm,引脚中心距为2.54mm的窄体DIP。
通常统称为DIP。
SONF(SmallOut-LineNon-Fin)
无散热片的SOP。
与通常的SOP相同。
为了在功率IC封装中表示无散热片的区别,有意增添了NF(non-fin)标记。
部分半导体厂家采用的名称(见SOP)。
SDIP(shrinkdualin-linePACkage)
收缩型DIP。
插装型封装之一,形状与DIP相同,但引脚中心距(1.778mm)小于DIP(2.54mm),因而得此称呼。
引脚数从14到90。
也有称为SH-DIP的。
FQFP(finepitchquadflatPACkage)
小引脚中心距QFP。
通常指引脚中心距小于0.65mm的QFP(见QFP)。
部分导导体厂家采用此名称。
CPAC(globetoppadarraycarrier)
美国Motorola公司对BGA的别称(见BGA)。
SMD(surfacemountdevices)
表面贴装器件。
偶而,有的半导体厂家把SOP归为SMD(见SOP)。
QUIL(quadin-line)
QUIP的别称(见QUIP)。
DICP(dualtapecarrierPACkage)
双侧引脚带载封装。
TCP(带载封装)之一。
引脚制作在绝缘带上并从封装两侧引出。
由于利用的是TAB(自动带载焊接)技术,封装外形非常薄。
常用于液晶显示驱动LSI,但多数为定制品。
另外,0.5mm厚的存储器LSI簿形封装正处于开发阶段。
在日本,按照EIAJ(日本电子机械工业)会标准规定,将DICP命名为DTP。
pingridarray(surfacemounttype)
表面贴装型PGA。
通常PGA为插装型封装,引脚长约3.4mm。
表面贴装型PGA在封装的底面有陈列状的引脚,其长度从1.5mm到2.0mm。
贴装采用与印刷基板碰焊的方法,因而也称为碰焊PGA。
因为引脚中心距只有1.27mm,比插装型PGA小一半,所以封装本体可制作得不怎么大,而引脚数比插装型多(250~528),是大规模逻辑LSI用的封装。
封装的基材有多层陶瓷基板和玻璃环氧树脂印刷基数。
以多层陶瓷基材制作封装已经实用化。
flip-chip
倒焊芯片。
裸芯片封装技术之一,在LSI芯片的电极区制作好金属凸点,然后把金属凸点与印刷基板上的电极区进行压焊连接。
封装的占有面积基本上与芯片尺寸相同。
是所有封装技术中体积最小、最薄的一种。
但如果基板的热膨胀系数与LSI芯片不同,就会在接合处产生反应,从而影响连接的可靠性。
因此必须用树脂来加固LSI芯片,并使用热膨胀系数基本相同的基板材料。
FP(flatPACkage)
扁平封装。
QFP或SOP(见QFP和SOP)的别称。
SOF(smallOut-LinePACkage)
小外形封装。
表面贴装型封装之一,引脚从封装两侧引出呈海鸥翼状(L字形)。
材料有塑料和陶瓷两种。
另外也叫SOL和DFP。
SOP除了用于存储器LSI外,也广泛用于规模不太大的ASSP等电路。
在输入输出端子不超过10~40的领域,SOP是普及最广的表面贴装封装。
引脚中心距1.27mm,引脚数从8~44。
另外,引脚中心距小于1.27mm的SOP也称为SSOP;
装配高度不到1.27mm的SOP也称为TSOP(见SSOP、TSOP)。
还有一种带有散热片的SOP。
LGA(landgridarray)
触点陈列封装。
即在底面制作有阵列状态坦电极触点的封装。
装配时插入插座即可。
现已实用的有227触点(1.27mm中心距)和447触点(2.54mm中心距)的陶瓷LGA,应用于高速逻辑LSI电路。
LGA与QFP相比,能够以比较小的封装容纳更多的输入输出引脚。
另外,由于引线的阻抗小,对于高速LSI是很适用的。
但由于插座制作复杂,成本高,现在基本上不怎么使用。
预计今后对其需求会有所增加。
MCM(multi-chipmodule)
多芯片组件。
将多块半导体裸芯片组装在一块布线基板上的一种封装。
根据基板材料可分为MCM-L,MCM-C和MCM-D三大类。
MCM-L是使用通常的玻璃环氧树脂多层印刷基板的组件。
布线密度不怎么高,成本较低。
MCM-C是用厚膜技术形成多层布线,以陶瓷(氧化铝或玻璃陶瓷)作为基板的组件,与使用多层陶瓷基板的厚膜混合IC类似。
两者无明显差别。
布线密度高于MCM-L。
MCM-D是用薄膜技术形成多层布线,以陶瓷(氧化铝或氮化铝)或Si、Al作为基板的组件。
布线密度在三种组件中是最高的,但成本也高。
LOC(leadonchip)
芯片上引线封装。
LSI封装技术之一,引线框架的前端处于芯片上方的一种结构,芯片的中心附近制作有凸焊点,用引线缝合进行电气连接。
与原来把引线框架布置在芯片侧面附近的结构相比,在相同大小的封装中容纳的芯片达1mm左右宽度。
L-QUAD
陶瓷QFP之一。
封装基板用氮化铝,基导热率比氧化铝高7~8倍,具有较好的散热性。
封装的框架用氧化铝,芯片用灌封法密封,从而抑制了
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