模拟电子技术题库答案Word格式.docx
- 文档编号:13669220
- 上传时间:2022-10-12
- 格式:DOCX
- 页数:30
- 大小:584.87KB
模拟电子技术题库答案Word格式.docx
《模拟电子技术题库答案Word格式.docx》由会员分享,可在线阅读,更多相关《模拟电子技术题库答案Word格式.docx(30页珍藏版)》请在冰豆网上搜索。
9、PN结中进行着两种载流子的运动:
多数载流子的扩散运动和少数载流子的___漂移_____运动。
10、硅二极管的死区电压约为__0.5____V,锗二极管的死区电压约为__0.1____V。
11、晶体管穿透电流是反向饱和电流的___1+β_______倍,在选用晶体管的时候,一般希望尽量___小_______。
12、场效应管实现放大作用的重要参数是___跨导_______。
13、PN结具有__单向导电_______特性。
14、双极型三极管有两个PN结,分别是___集电结____和_发射结______。
15、为了保证三极管工作在放大区,应使发射结_____正向________偏置,集电路______反向_______偏置。
16、场效应管是____电压______控制型元件,而双极型三极管是____电流_______控制型元件。
17、本征硅中若掺入3价元素的原子,则多数载流子应是空穴,少数载流子应是电子。
18、P型半导体的多数载流子是空穴,少数载流子是电子。
19、PN结外加正向电压,即电源的正极接P区,电源的负极接N区,这种接法称为正向接法或_正向偏置______。
20、从双极型三极管内部三个区引出三个电极,分别是_集电极______、___发射极____和__基极______。
21、双极型三极管起放大作用的外部条件是:
(1)发射结外加_正____________向电压;
(2)集电结外加___反________向电压。
22、N型半导体可用___正________离子和等量的___负电子________来简化表示。
23、PN结正向偏置时,空间电荷区将变___窄________。
24、二极管的两个电极分别称为__阳____极和__阴____极,二极管的符号是________。
25、当温度升高时,三极管的输入特性曲线会__左___移,输出特性曲线会上________移,而且输出特性曲线之间的间隔将__增大_________。
26、影响双极型三极管参数变化的主要因素是___温度__________。
27、P型半导体可用_负______离子和等量的___空穴_____来简化表示。
28、主要半导体材料是_硅_____和__锗____;
两种载流子是__空穴_______和__电子_______;
两种杂质半导体是_P型________和___N型________。
29、二极管外加正向电压导通,外加反向电压截止。
30、当温度升高时,三极管的参数β会变大________,会增加________,导通电压会变小_________。
31、双极型三极管有两种载流子导电,即____多数载流子_________和_少数载流子____________导电,而单极型三极管只有一种载流子导电,即__多数载流子___________导电。
32、N型半导体的多数载流子是电子,少数载流子是___空穴_____。
33、某晶体管的极限参数,,。
若它的工作电压,则工作电流不得超过__15_____;
若工作电压,则工作电流不得超过____100___;
若工作电流,则工作电压不得超过___30____。
34、放大电路中,已知三极管三个电极的对地电位为=-9V,=-6.2V,=-6V,则该三极管是______PNP_______型三极管,A为_______集电______极,B为_____基________极,C为______发射_______极。
35、双极型三极管实现放大作用的重要参数是_____。
36、场效应管输出特性的三个区域分别是_______恒流______区、____可变电阻_________区、___夹断__________区。
37、纯净的、不含其他杂质的半导体称为_____本征半导体_____。
38、场效应管与晶体管比较,场效应管的热稳定好,输入电阻高,晶体管的放大能力强。
39、双极型三极管内部有三个掺杂区域,分别是__发射区_______、___基区_______和___集电区_______。
二、选择题
1、从二极管伏安特性曲线可以看出,二极管两端压降大于(B)时处于正偏导通状态。
A.0B.死区电压C.反向击穿电压D.正向压降
2、杂质半导体中(A)的浓度对温度敏感。
A.少子B.多子C.杂质离子D.空穴
3、晶体管的集电结反向偏置、发射结正向偏置,它的工作状态是(B),若集电结和发射结都反向偏置,它的工作状态是(A),若集电结和发射结均正向偏置,则它的工作状态是(C)。
A.截止B.放大C.饱和D.损毁
4、当晶体管工作在放大区时,发射结电压和集电结电压应为(B)。
A.前者反偏、后者也反偏B.前者正偏、后者反偏
C.前者正偏、后者也正偏D.前者反偏、后者也正偏
5、双极型晶体管工作时有(A)和(B)两种载流子参与导电,而场效应管所导电过程仅仅取决于(A)的流动。
A.多子B.少子C.自由电子D.空穴
6、当NPN型晶体管工作在放大区时,各极电位关系为(A )(A )。
A.>
B.<
C.=D.≤
7、对二极管正向电阻和反向电阻的要求是(C)
A.、都大B.、都小
C.很小,很大D.大,小
8、稳压二极管动态电阻(B),稳压性能愈好。
A.愈大B.愈小C.为任意值
9、三极管当发射结和集电结都正偏时工作于(C)状态。
A.放大B.截止C.饱和D.无法确定
10.结型场效应管放大电路的偏置方式是(A、D)
A.自给偏压电路B.外加偏压电路
C.无须偏置电路D.栅极分压与源极自偏结合
11、在杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于(A),而少数载流子的浓度与(B)有很大关系。
A.温度B.掺杂工艺C.杂质浓度D.晶体管缺陷
12、场效应管属于(B)控制型器件,而晶体管若用简化h参数来分析,则可认为是(C)控制型器件。
A.电荷B.电压C.电流
13、当PN节外加反向电压时,扩散电流(B)漂移电流,耗尽层(D)。
A.大于B.小于C.等于D.变宽E.变窄F.不变
14、当温度升高时,二极管正向特性和反向特性曲线分别(D)。
A.左移,下移B.右移,上移C.左移,上移D.右移,下移
15、PN结加正向电压时导通,此时空间电荷区将(A)。
A.变窄B.基本不变C.变宽D.先变窄,后变宽
16、在25º
C时,某二极管的死区电压Uth≈0.5V,反向饱和电流Is≈0.1pA,则在35º
C时,下列哪组数据可能正确:
(D)。
AUth≈0.575V,Is≈0.05pABUth≈0.575V,Is≈0.2pA
CUth≈0.475V,Is≈0.05pADUth≈0.475V,Is≈0.2pA
17、用万用表判断放大电路中处于正常工作的某个晶体管的类型(NPN或PNP)与三个电极时,最为方便的测试方法为(B)。
A.测试各极间电阻
B.测试各极间、对地电压
C.测试各极电流
三、判断题
1、三极管在工作频率大于最高工作频率时会损坏。
(╳)
2、稳压管正常稳压时应工作在正向导通区域。
(╳)
3、与三极管放大电路相比,场效应管放大电路具有输入电阻很高、噪声低、温度稳定性好等优点。
(√)
4、P型半导体可通过在纯净半导体中掺入五价磷元素而获得。
(╳)
5、有人测得晶体管在=0.6V时,=5,因此认为在此工作点上的大约为。
(√)
6、通常结型场效应管JFET在漏极和源极互换使用时,仍有正常的放大作用。
(√)
7、通常的双极型晶体管BJT在集电极和发射极互换使用时,仍有较大的电流放大作用。
(╳)
8、在N型半导体中,掺入高浓度的三阶杂质可以改型为P型半导体。
(√)
9、P型半导体带正电,N型半导体带负电。
(╳)
10、PN结内扩散电流是载流子在电场作用下形成的。
11、漂移电流是少数载流子在电场作用下形成的。
12、由于PN结交界面两边存在电位差,所以当把PN结两端短路时,就有电流流过。
13、PN结方程可以描述PN结的正向特性和反向特性,也可以描述PN结的反向击穿特性。
14、场效应管的突出优点是具有特别高的输出电阻(╳)
15、有人测试晶体管的,方法是通过测得晶体管的,,推算出。
(╳)
四、综合题
1、放大电路中测得晶体管各电极电位如下表所示,试将表格填写完整。
(10分)
管脚(各电极)电位
晶体管1
晶体管2
3V
3.7V
6V
-4V
-1.2V
-1.4V
电极(e或b或c)
e
b
c
NPN或PNP
NPN
PNP
材料(Si或Ge)
Si
Ge
2、判断下列管子的工作状态(a.饱和;
b.放大;
c.截止;
d.损坏)(共8分)
管子类型
各电极电位(V)
Ue
Ub
Uc
2
1.7
6
-0.1
-0.3
-3
4
1.3
1.1
1.2
状态
d
a
3、如下图,试确定二极管D是正偏还是反偏?
设二极管正偏时的正向压降为0.7V,试计算UX和UY的值(共9分)
(a)(b)
答案:
(a)
D正偏导通
I=
2RI==6.2V
(b)
D仅偏截止
I=0
=0
=10V
4、如下图,设硅稳压管、的稳压值分别为6V和9V,求Uo为多少?
(共3分)
答:
=9-6=3V
5、(3分)图示电路中二极管为理想二极管,请判断它是否导通,并求出u0。
D导通,
6、判断下列电路能否放大电压信号。
(设图中所有电容对交流信号视为短路)
(9分)都不能放大电压信号
(a)(b)(c)
输入交流短路无直流基极偏压输入交流短路
7、如下图,设硅稳压管、的稳压值分别为6V和9V,稳压管的正向压降为0.7V,试写出输出电压Uo为多少?
(共
- 配套讲稿:
如PPT文件的首页显示word图标,表示该PPT已包含配套word讲稿。双击word图标可打开word文档。
- 特殊限制:
部分文档作品中含有的国旗、国徽等图片,仅作为作品整体效果示例展示,禁止商用。设计者仅对作品中独创性部分享有著作权。
- 关 键 词:
- 模拟 电子技术 题库 答案