盲埋孔设计规范Word下载.docx
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L5
L6
L1-2、L3-4、L5-6、L1-6
L1-2、L7-8、L3-6、L1-8機械鑽孔。
L7
L8
(C)說明:
L1-4、L5-8、L1-8
(D)說明:
L1-2、L3-8、L1-8
(E)說明:
L1-2、L2-3(L1-2-3、L1-3)、L6-7、L7-8(L6-7-8、L6-8)鐳射鑽孔。
L2-7、L1-8
(F)說明:
L1-2、L2-3(L1-2-3、L1-3)、L6-7、L7-8(L6-7-8、L6-8)
L3-6、L1-8
四、
(1)線寛:
3
mil,間距:
線到線4mil、線到Pad
3mil。
8mil)
(2)機械鑽孔最小尺寸:
8mil。
(孔邊距導體至少
(3)鐳射鑽孔最小尺寸:
單階4mil(L1-2、L2-3),雙階8
mil(L1-2-3、L1-3)。
(4)各層Pad最小尺寸:
鑽孔尺寸+12mil(至少10mil)。
(5)鐳射鑽孔介電層厚度限制:
單階3mil以下(L1-2、L2-3)。
雙階5mil以下(L1-2-3、L1-3)。
(機械鑽孔介電層厚度不受限制)。
(6)內層埋孔(IVH)板厚不可超過32mil,否則需先樹脂塞孔。
(7)以上為HDI基本疊構與做法,必要時可加以變化。
9mm
盲
埋孔(二組鉚釘.二組靶)靶標位置圖
9mm
10mm
第一組T/G靶標(正常T/G靶標位置向板外10mm)
第二組T/G靶標(正常T/G靶標位置)
第一組鉚釘靶標(正常鉚釘位置)
第二組鉚釘靶標(正常鉚釘位置向板內9mm)
防焊、文字印刷PIN孔(依板序會產生5.6.7.8mm的不同間距)
內層曝光、外層曝光、文字印刷PIN孔(依板序會產生5.6.7.8mm的不同間距)防焊、文字二次元量測靶標
層間對位靶標噴錫掛鉤孔
第二組T/G靶標(正常T/G靶標位置向板外5mm)
第三組T/G靶標(正常T/G靶標位置)
第二組鉚釘靶標(正常鉚釘位置向板內9mm--Y軸移動)
第三組鉚釘靶標(正常鉚釘位置向板內9mm--X軸移動)
盲埋孔(三組鉚釘.三組靶)
靶標位置圖
5mm5mm
5mm5mmmmmmmmmm
HDI範例
(一)
料號:
I906455-1D0
流程:
A.L3/4
L2/5
CU0.5Oz
PP2116HR
CCL0.13H/HPP2116HR
L3/4
(1)
(2)
(3)
L3/4三明治。
L2/5負片。
L2-5機械鑽孔孔徑0.2mm(≦0.25mm),程式:
I9064551.L25(無漲縮補償值)
I9064551.X25(有漲縮補償值)。
埋孔電鍍條件:
12ASFx60分(孔銅0.6mil)。
機械鑽孔上PadRing至少3.5mil(刮過後)。
(4)
(5)
(6)鐳射鑽孔CapturePadRing至少3.5mil(刮過後)。
B.L2/5
L1/6
CU1/3Oz
PP2116
CCL0.451/1
膠片(RCC、LDP、一般PP)選用考量因素:
板厚、阻抗、L2/5厚度、孔徑、孔數。
L1-2、L5-6介電層厚度不宜超
過2116or2116HR膠片厚度。
L1-2、L5-6鐳射鑽孔,
程式:
I9064551.L12、I9064551.L56(無漲縮補償值)
I9064551.X12、I9064551.X56(有漲縮補償值)
工單上鐳射鑽孔孔徑等於銅窗直徑(此為Conformal做法),
若為Largewindow做法則鐳射鑽孔孔徑小於銅窗直徑2~3mil。
銅窗直徑視介電層厚度而定。
1080銅窗直徑至少4mil最好5mil(含)以上。
2116銅窗直徑至少6mil(含)以上。
介電層厚度:
銅窗直徑<0.8:
1。
盲孔電鍍條件:
tenting:
12ASFx90分(孔銅0.8mil)
12
pattern:
10
ASFx115分(孔銅1.0mil)
ASFx30分
ASFx45分
12ASFx75分(孔銅0.8mil)
12ASFx75分(孔銅1.0mil)
(5)BGA區Pad大小需一致(以無鐳射鑽孔的小BGAPAD為基準)。
Pad有鐳射鑽孔,原稿10mil。
Pad無鐳射鑽孔,原稿8.6mil。
皆放大至11mil再刮間距3mil(削Pad平均分攤)。
銅面上防焊Pad大小同外層Pad或比外層Pad大1mil(直徑)。
銅面不完整需補銅比防焊Pad大2mil(單邊)。
C.L2/5
裁板尺寸265mmx345mm(L3/4發料尺寸)。
壓合裁邊
箭靶尺寸
裁板尺寸
255mmx335mm。
191
255
251
171
mm306mm。
mm
x335mm(L2/5壓合裁邊)。
x316mm。
306mm。
二次壓合:
第一次壓合發料各加大10mm,壓合後各裁小10
第二次壓合回復至正常發料尺寸。
mm。
二組靶距:
第一次壓合使用較大靶距(短邊大20mm,長邊不變)。
第二次壓合回復至正常靶距。
板框設計:
L3/4底片二組靶距:
大靶距保留Symbol。
小靶距刪除Symbol(留底材)。
L2/5量測大靶距、鉆靶。
L2/5底片二組靶距:
大靶距刪除Symbol(留底材)。
小靶距保留Symbol。
L1/6量測小靶距、鉆靶。
D.鐳射鑽孔外包資料:
(E-mail)
(1)L1-2、L5-6鐳射鑽孔程式。
(2)註明銅窗直徑---Conformal做法或鐳射鑽孔孔徑、銅窗直徑---Largewindow做法。
HDI範
例
(二)
M04A003-1D0
A.L2/3+L4/5
CCL0.131/1
L2/3
L4/5
L2/3、L4/5三明治。
L6負片(黑膜作業)。
L1-6機械鑽孔孔徑0.3mm(雖不受特別限制,但仍需考量填膠)程式:
M04A0031.L16(無漲縮補償值)
M04A0031.X16(有漲縮補償值)。
ASFx60分(孔銅0.6mil)。
Ring至少3.5mil(刮過後)。
(5)L6機械鑽孔上Pad
B.L8/9
L7/A
L8/9
LA
L8/9三明治。
L7負片(黑膜作業)。
L7-A機械鑽孔孔徑0.3mm(雖不受特別限制,但仍需考量填膠)程式:
M04A0031.L7A(無漲縮補償值)
M04A0031.X7A(有漲縮補償值)。
L7機械鑽孔上PadRing至少3.5mil(刮過後)。
C.
(1)
L1-6與L7-A鑽孔程式的漲縮補償值需相同。
L1/6與L7/A漲縮差異需控制在±
2mil內(在壓合穩定的前提下,可依實際經驗值調整L2/3、L4/5與L8/9的內層漲縮值)。
(2)取L1/6與L7/A量測平均值出L1-6與L7-A鑽孔程式的漲縮補償值。
E.L1/6、L7/A
L1/6、L7/A
L1/A
L1/
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