MOSFET场效应管Word文档下载推荐.docx

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2.1.功率MOSFET的结构

功率MOSFET的内部结构和电气符号如图1所示；

其导通时只有一种极性的载流子（多子）参与导电，是单极型晶体管。

导电机理与小功率MOS管相同，但结构上有较大区别，小功率MOS管是横向导电器件，功率MOSFET大都采用垂直导电结构，又称为VMOSFET

VerticalMOSFET），大大提高了MOSFET器件的耐压和耐电流能力。

按垂直导电结构的差异，又分为利用V型槽实现垂直导电的VVMOSFET和具有垂直导电双扩散MOS结构的VDMOSFET（VerticalDouble-diffusedMOSFET），本文主要以VDMOS器件为例进行讨论。

功率MOSFET为多元集成结构，如国际整流器公司（InternationalRectifier）的HEXFET采用了六边形单元；

西门子公司（Siemens）的SIPMOSFET采用了正方形单元；

摩托罗拉公司（Motorola）的TMOS采用了矩形单元按“品”字形排列。

2.2.功率MOSFET的工作原理

截止：

漏源极间加正电源，栅源极间电压为零。

P基区与N漂移区之间形成的PN结J1反偏，漏源极之间无电流流过。

导电：

在栅源极间加正电压UGS，栅极是绝缘的，所以不会有栅极电流流过。

但栅极的正电压会将其下面P区中的空穴推开，而将P区中的少子—电子吸引到栅极下面的P区表面

当UGS大于UT（开启电压或阈值电压）时，栅极下P区表面的电子浓度将超过空穴浓度，使P型半导体反型成N型而成为反型层，该反型层形成N沟道而使PN结J1消失，漏极和源极导电。

2.3.功率MOSFET的基本特性

2.3.1静态特性MOSFET的转移特性和输出特性如图2所示。

漏极电流ID和栅源间电压UGS的关系称为MOSFET的转移特性，ID较大时，ID与UGS的关系近似线性，曲线的斜率定义为跨导Gfs

MOSFET的漏极伏安特性（输出特性）：

截止区（对应于GTR的截止区）；

饱和区（对应于GTR的放大区）；

非饱和区（对应于GTR的饱和区）。

电力MOSFET工作在开关状态，即在截止区和非饱和区之间来回转换。

电力MOSFET漏源极之间有寄生二极管，漏源极间加反向电压时器件导通。

电力MOSFET的通态电阻具有正温度系数，对器件并联时的均流有利。

2.3.2动态特性MOSFET其测试电路和开关过程波形如图3所示。

开通过程；

开通延迟时间td（on）—Up前沿时刻到UGS=UT并开始出现iD的时刻间的时间段；

上升时间tr—UGS从UT上升到MOSFET进入非饱和区的栅压UGSP的时间段；

iD稳态值由漏极电源电压UE和漏极负载电阻决定。

UGSP的大小和iD的稳态值有关，UGS达到UGSP后，在up作用下继续升高直至达到稳态，但iD已不变。

开通时间ton—开通延迟时间与上升时间之和。

关断延迟时间td（off）—Up下降到零起，Cin通过RS和RG放电，UGS按指数曲线下降到UGSP时，iD开始减小为零的时间段。

下降时间tf—UGS从UGSP继续下降起，iD减小，到UGS<

UT时沟道消失，iD下降到零为止的时间段。

关断时间toff—关断延迟时间和下降时间之和。

2.3.3MOSFET的开关速度MOSFET的开关速度和Cin充放电有很大关系，使用者无法降低Cin，但可降低驱动电路内阻Rs减小时间常数，加快开关速度，MOSFET只靠多子导电，不存在少子储存效应，因而关断过程非常迅速，开关时间在10～100ns之间，工作频率可达100kHz以上，是主要电力电子器件中最高的。

场控器件静态时几乎不需输入电流。

但在开关过程中需对输入电容充放电，仍需一定的驱动功率。

开关频率越高，所需要的驱动功率越大。

4.动态性能的改进　　在器件应用时除了要考虑器件的电压、电流、频率外，还必须掌握在应用中如何保护器件，不使器件在瞬态变化中受损害。

当然晶闸管是两个双极型晶体管的组合，又加上因大面积带来的大电容，所以其du/dt能力是较为脆弱的。

对di/dt来说，它还存在一个导通区的扩展问题，所以也带来相当严格的限制。

　　功率MOSFET的情况有很大的不同。

它的dv/dt及di/dt的能力常以每纳秒（而不是每微秒）的能力来估量。

但尽管如此，它也存在动态性能的限制。

这些我们可以从功率MOSFET的基本结构来予以理解。

图4是功率MOSFET的等效电路，在应用中除了要考虑功率MOSFET每一部分都存在电容以外，还必须考虑MOSFET还并联着一个二极管。

同时从某个角度看、它还存在一个寄生晶体管。

（就像IGBT也寄生着一个晶闸管一样）。

这几个方面，是研究MOSFET动态特性很重要的因素。

首先MOSFET结构中所附带的本征二极管具有一定的雪崩能力。

通常用单次雪崩能力和重复雪崩能力来表达。

当反向di/dt很大时，二极管会承受一个速度非常快的脉冲尖刺，它有可能进入雪崩区，一旦超越其雪崩能力就有可能将器件损坏。

作为任一种PN结二极管来说，仔细研究其动态特性是相当复杂的。

它们和我们一般理解PN结正向时导通反向时阻断的简单概念很不相同。

当电流迅速下降时，二极管有一阶段失去反向阻断能力，即所谓反向恢复时间。

PN结要求迅速导通时，也会有一段时间并不显示很低的电阻。

在功率MOSFET中一旦二极管有正向注入，所注入的少数载流子也会增加作为多子器件的MOSFET的复杂性。

　　功率MOSFET的设计过程中采取措施使其中的寄生晶体管尽量不起作用。

在不同代功率MOSFET中其措施各有不同，但总的原则是使漏极下的横向电阻RB尽量小。

因为只有在漏极N区下的横向电阻流过足够电流为这个N区建立正偏的条件时，寄生的双极性晶闸管才开始发难。

然而在严峻的动态条件下，因du/dt通过相应电容引起的横向电流有可能足够大。

此时这个寄生的双极性晶体管就会起动，有可能给MOSFET带来损坏。

所以考虑瞬态性能时对功率MOSFET器件内部的各个电容（它是dv/dt的通道）都必须予以注意。

　　瞬态情况是和线路情况密切相关的，这方面在应用中应给予足够重视。

对器件要有深入了解，才能有利于理解和分析相应的问题。

4.功率MOSFET驱动电路

功率MOSFET是电压型驱动器件，没有少数载流子的存贮效应，输入阻抗高，因而开关速度可以很高，驱动功率小，电路简单。

但功率MOSFET的极间电容较大，输入电容CISS、输出电容COSS和反馈电容CRSS与极间电容的关系可表述为：

　　功率MOSFET的栅极输入端相当于一个容性网络，它的工作速度与驱动源内阻抗有关。

由于CISS的存在，静态时栅极驱动电流几乎为零，但在开通和关断动态过程中，仍需要一定的驱动电流。

假定开关管饱和导通需要的栅极电压值为VGS，开关管的开通时间TON包括开通延迟时间TD和上升时间TR两部分。

开关管关断过程中，CISS通过ROFF放电，COSS由RL充电，COSS较大，VDS（T）上升较慢，随着VDS（T）上升较慢，随着VDS（T）的升高COSS迅速减小至接近于零时，VDS（T）再迅速上升。

　　根据以上对功率MOSFET特性的分析，其驱动通常要求：

触发脉冲要具有足够快的上升和下降速度；

②开通时以低电阻力栅极电容充电，关断时为栅极提供低电阻放电回路，以提高功率MOSFET的开关速度；

③为了使功率MOSFET可靠触发导通，触发脉冲电压应高于管子的开启电压，为了防止误导通，在其截止时应提供负的栅源电压；

④功率开关管开关时所需驱动电流为栅极电容的充放电电流，功率管极间电容越大，所需电流越大，即带负载能力越大。

4.1几种MOSFET驱动电路介绍及分析

4.1.1不隔离的互补驱动电路。

图7

a）为常用的小功率驱动电路，简单可靠成本低。

适用于不要求隔离的小功率开关设备。

图7（b）所示驱动电路开关速度很快，驱动能力强，为防止两个MOSFET管直通，通常串接一个0.5～1Ω小电阻用于限流，该电路适用于不要求隔离的中功率开关设备。

这两种电路特点是结构简单。

功率MOSFET属于电压型控制器件，只要栅极和源极之间施加的电压超过其阀值电压就会导通。

由于MOSFET存在结电容，关断时其漏源两端电压的突然上升将会通过结电容在栅源两端产生干扰电压。

常用的互补驱动电路的关断回路阻抗小，关断速度较快，但它不能提供负压，故抗干扰性较差。

为了提高电路的抗干扰性，可在此种驱动电路的基础上增加一级有V1、V2、R组成的电路，产生一个负压，电路原理图如图8所示。

当V1导通时，V2关断，两个MOSFET中的上管的栅、源极放电，下管的栅、源极充电，即上管关断，下管导通，则被驱动的功率管关断；

反之V1关断时，V2导通，上管导通，下管关断，使驱动的管子导通。

因为上下两个管子的栅、源极通过不同的回路充放电，包含有V2的回路，由于V2会不断退出饱和直至关断，所以对于S1而言导通比关断要慢，对于S2而言导通比关断要快，所以两管发热程度也不完全一样，S1比S2发热严重。

该驱动电路的缺点是需要双电源，且由于R的取值不能过大，否则会使V1深度饱和，影响关断速度，所以R上会有一定的损耗。

4.1.2隔离的驱动电路

（1）正激式驱动电路。

电路原理如图9（a）所示，N3为去磁绕组，S2为所驱动的功率管。

R2为防止功率管栅极、源极端电压振荡的一个阻尼电阻。

因不要求漏感较小，且从速度方面考虑，一般R2较小，故在分析中忽略不计。

其等效电路图如图9（b）所示脉冲不要求的副边并联一电阻R1，它做为正激变换器的假负载，用于消除关断期间输出电压发生振荡而误导通。

同时它还可以作为功率MOSFET关断时的能量泄放回路。

该驱动电路的导通速度主要与被驱动的S2栅极、源极等效输入电容的大小、S1的驱动信号的速度以及S1所能提供的电流大小有关。

由仿真及分析可知，占空比D越小、R1越大、L越大，磁化电流越小，U1值越小，关断速度越慢。

该电路具有以下优点：

①电路结构简单可靠，实现了隔离驱动。

②只需单电源即可提供导通时的正、关断时负压。

③占空比固定时，通过合理的参数设计，此驱动电路也具有较快的开关速度。

该电路存在的缺点：

一是由于隔离变压器副边需要噎嗝假负载防振荡，故电路损耗较大；

二是当占空比变化时关断速度变化较大。

脉宽较窄时，由于是储存的能量减少导致MOSFET栅极的关断速度变慢。

MOSFET栅极的关断速度变慢。

（2）有隔离变压器的互补驱动电路。

如图10所示，V1、V2为互补工作，电容C起隔离直流的作用，T1为高频、高磁率的磁环或磁罐。

导通时隔离变压器上的电压为（1-D）Ui、关断时为DUi，若主功率管S可靠导通电压为12V，而隔离变压器原副边匝比N1/N2为12/（1-D）/