历年成人高考地理历史试题与答案汇总高起点Word文档下载推荐.docx
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二价阳离子散布在八面体间隙中,三价阳离子一半在四面体间隙中,另一半在八面体间隙中的尖晶石。
八、正尖晶石;
在AB2O4尖晶石结构中,A离子占据四面体间隙,B离子占据八面体间隙的尖晶石。
九、反尖晶石:
若是半数的B离子占据四面体间隙,A离子和另外半数的B离子占据八面体间隙则称反尖晶石。
10、晶胞参数:
表示晶胞的形状和大小可用六个参数即三条边棱的长度a、b、c和三条边棱的夹角α、β、γ即为晶胞参数。
1一、晶子学说:
以为玻璃结构是一种不持续的原子(晶子)的结合体,即无数“晶子”分散在无定形介质中,“晶子”的化学性质和数量取决于玻璃的化学组成,“晶子”不同于一般微晶,而是带有晶格极度变形的微小有序区域,在“晶子”中心质点排列较有规律,越远离中心则变形程度越大,从“晶子”部份到无定形部份的过渡是慢慢完成的,二者之间无明显界面。
1二、同质多晶:
化学组成相同的物质,在不同的热力学条件下结晶成结构不同的晶体的现象,称为同质多晶现象。
13、类质同晶:
物质结晶时,其晶体结构中本应由某种离子或原子占有的配位位置,一部份被介质中性质相似的它种离子或原子占有,一路结晶成均匀的呈单一相的混合晶体,但不引发键性或晶体结构型式发生质变的现象称为类质同晶。
14、晶面指数:
结晶学中经常常利用(hkl)来表示一组平行晶面,称为晶面指数。
数字hkl是晶面在三个坐标轴(晶轴)上截距的倒数的互质整数比。
二、选择题
1,依据等径球体的堆积原理得出,六方密堆积的堆积系数(A)体心立方堆积的堆积系数。
A、大于B、小于C、等于D、不肯定
某晶体AB,A—的电荷数为1,A—B键的S=1/6,则A+的配位数为(D)。
A、4B、12C、8D、6
2、在单位晶胞的CaF2晶体中,其八面体间隙和四面体间隙的数量别离为(A)。
A、4,8B、8,4C、1,2D、2,4
3、点群L6PC属()晶族()晶系。
A、高级等轴B、低级正交C、中级六方D、高级六方
4,晶体在三结晶轴上的截距别离为1/2a、1/3b、1/6c。
该晶面的晶面指数为(A)。
A、(236)B、(326)C、(321)D、(123)
5、晶体结构中一切对称要素的集合称为(D)。
A、对称型B、点群C、微观对称的要素的集合D、空间群
6、在ABO3(钙钛矿)型结构中,B离子占有()。
A、四面体间隙B、八面体间隙C、立方体间隙D、三方柱间隙晶体
7下列性质中(C)不是晶体的大体性质。
A、自限性B、最小内能性C、有限性D、各向异性
8金红石晶体中,所有O2-作稍有变形的立方密堆排列,Ti4+填充了()。
A、全数四面体间隙B、全数八面体间隙C、1/2四面体间隙D、1/2八面体间隙
9滑石(3MgO·
4SiO2·
H2O)和高岭土(Al2O3·
2SiO2·
2H2O)别离属于()层状结构的硅酸盐矿物。
A、1:
1和2:
1B、2:
1和1:
1C、3:
1和2:
1
三、填空
一、a=b≠cα=β=900,γ=1200的晶体属()晶系。
二、晶体的对称要素中宏观晶体中可能出现的对称要素种类有()、()、()、()。
3、六方紧密堆积的原子密排面是晶体中的()面,立方紧密堆积的原子密排面是晶体中的()面。
4、立方紧密堆积的原子密排面是晶体中的()面,六方紧密堆积的原子密排面是晶体中的()面。
四、问答题
1、MoO3和CaCO3反映时,反映机理受到CaCO3颗粒大小的影响。
当MoO3:
CaCO3=1:
1,MoO3的粒径r1为0.036mm,CaCO3的粒径r2为0.13mm时,反映是扩散控制的;
而当CaCO3:
MoO3=15:
1,r2<0.03mm时,反映由升华控制,试解释这种现象。
答:
当MoO3的粒径r1为0.036mm,CaCO3的粒径r2为0.13mm时,CaCO3颗粒大于MoO3,由于产物层较厚,扩散阻力较大,反映由扩散控制,反映速度随着CaCO3颗粒度减小而加速,当r2<
r1时存在过量CaCO3,,反映由MoO3粒径升华控制,并随着MoO3粒径减小而加重。
2、为何等轴晶系有原始、面心、体心格子,而没有单面心格子?
因为从结构散布看,单面心格子不符合立方格子所固有的4L3的对称性。
3、说明高岭石和蒙脱石的结构特点,并解释为何蒙脱石具有膨胀性和高的阳离子互换容量,而高岭石则不具有膨胀性、阳离子互换容量也很低。
高岭石的阳离子互换容量较小,而蒙脱石的阳离子互换容量较大。
因为高岭石是1:
1型结构,离子的取代很少,单网层与单网层之间以氢键相连,氢键强于范氏键,水化阳离子不易进入层间,因此阳离子互换容量较小。
而蒙脱石是为2:
1型结构,铝氧八面体层中大约1/3的Al3+被Mg2+取代,为了平衡多余的负电价,在结构单位层之间有其它阳离子进入,而且以水化阳离子的形式进人结构。
水化阳离子和硅氧四面体中O2-离子的作使劲较弱,因此,这种水化阳离子在必然条件下容易被互换出来。
C轴可膨胀和阳离子互换容量大,是蒙脱石结构上的特征。
4、硅酸盐晶体结构分类依据是什么?
可分为哪几类,每类的结构特点是什么?
硅酸盐晶体结构分类依据是:
结构中硅氧四面体的连接方式。
可分为岛状:
硅氧四面体孤立存在;
组群状:
硅氧四面体以两个、三个、四个或六个,通过共用氧相连成硅氧四面体群体,群体之间由其它阳离子连接;
链状:
硅氧四面体通过共用氧相连,在一维方向延伸成链状,链与链之间由其它阳离子连接;
层状:
硅氧四面体通过三个共用氧在两维平面内延伸成硅氧四面体层;
架状:
每一个硅氧四面体的四个顶角都与相邻的硅氧四面体共顶,形成三维空间结构。
5、在硅酸盐晶体结构中,[SiO4]四面体或孤立存在,或共顶存连接,而不共棱更不共面,解释之。
按照鲍林规则,高电价低配位的阳离子与阴离子形成的配位多面体以共棱,专门是共面方式存在时,结构的稳固性降低。
在硅酸盐晶体结构中,[SiO4]四面体以共棱、共面方式相连时,中心阳离子间距较孤立存在或共顶存连接时小,中心阳离子间的斥力大,尤其是共面时斥力更大,结构不稳固,因此在硅酸盐晶体结构中,[SiO4]四面体或孤立存在,或共顶存连接,而不共棱更不共面。
六、简述硅酸盐晶体结构分类的原则和各类结构中硅氧四面体的形状。
硅酸盐晶体结构分类的原则:
各类结构中硅氧四面体的形状:
岛状结构:
四面体;
组群状结构;
双四面体、三节环、四节环和六节环;
链状结构:
单链、双链;
层状结构:
平面层;
架状结构:
三维空间延伸的骨架。
7、在硅酸盐晶体结构中,[SiO4]四面体或孤立存在,或共顶连接,而不共棱,更不共面,解释之。
在硅酸盐晶体结构中,[SiO4]四面体中的Si4+是高电价低配位的阳离子,以共棱、共面方式存在时,两个中心阳离子(Si4+)间距离较近、排斥力较大,所以不稳固,而孤立存在,或共顶连接。
八、试比较伊利石和蒙脱石的结构特点。
伊利石和蒙脱石是2:
l型结构,其结构皆属于单斜晶系;
都存在同晶取代,蒙脱石同晶取代主要发生在八面体层中,而伊利石是发生在硅氧面体层中;
蒙脱石的电荷不平衡由进入层间的水化阳离子补偿,这种水化阳离子在层间无固定位置,结合力弱,容易被互换出来;
伊利石的电荷不平衡由进入层间的K+离子补偿,K+离子有固定位置和配位数,结合较牢固,因此蒙脱石的阳离子互换能力比伊利石强,蒙脱石结构中有层间水,并有膨胀性,而伊利石没有。
九、试解释说明为何在硅酸盐结构中Al3+常常取代[SiO4]中Si4+,但Si4+一般不会置换[AlO6]中的Al3+?
((配位数为6时,S14+、A13+和O2-的离子半径别离为0.40Å
、0.53Å
和1.40Å
;
配位数为4时,一离子半径依次为0.26Å
、0.40Å
和1.38Å
))。
CN=4,rAl3+/ro2-=0.4/1.38=0.29,Al3+四配位稳固,故在硅酸盐结构中Al3+常常取代[SiO4]中Si4+形成[AlO4];
CN=6,rSi4+/ro2-=0.4/1.38=0.29,Si4+四配位稳固,六配位不稳固,故在硅酸盐结构中Si4+一般不会置换[AlO6]中的Al3+,形成[SiO6]。
第三章
一、名词解释
一、弗伦克尔缺点:
正常晶格上的原子进入晶格间隙形成填隙原子,在原来的位置上形成空位。
网络变性剂:
单键强度<250KJ/mol。
这种氧化物不能形成玻璃,但能改变网络结构,从而使玻璃性质改变。
二、刃位错:
柏格斯矢量与位错线垂直的位错。
3、类质同晶:
4、对称型,是指宏观晶体中对称要素的集合。
五、肖特基缺点:
若是正常格点上的原子,热起伏进程中取得能量离开平衡位置迁移到晶体的表面,在晶体内正常格点上留下空位,这即是肖特基缺点。
7、弗伦克尔缺点:
在晶格热振动时,一些能量足够大的原子离开平衡位置后,挤到晶格点的间隙中,形成间隙原子,而原来位置上形成空位,这种缺点称为弗伦克尔缺点。
八、线缺点:
指在一维方向上偏离理想晶体中的周期性、规则性排列所产生的缺点。
九、面缺点:
指在两维方向上偏离理想晶体中的周期性、规则性排列所产生的缺点。
10、点缺点:
三维方向上缺点尺寸都处于原子大小的数量级上。
1一、热缺点:
晶体温度高于绝对0K时,由于热起伏使一部份能量较大的质点(原子或离子)离开平衡位置所产生的空位和/或间隙质点。
1二、可塑性:
粘土与适当比例的水混合均匀制成泥团,该泥团受到高于某一个数值剪应力作用后,能够塑造成任何形状,当去除应力泥团能维持其形状,这种性质称为可塑性。
二、填空题
一、Zn1+xO在还原气氛中可形成()型半导体,缺点浓度与氧分压的1/6次方成(),若是减少周围氧气的分压,Zn1+xO的密度将()。
2、b与位错线()的位错称为刃位错,;
b与位错线()的位错称为螺位错,。
形成持续固溶体的条件是()、()和()。
3、晶体的热缺点有()和()两类,热缺点浓度与温度的关系式为()。
4、TiO2在还原气氛中可形成()型非计量化合物,可形成()型半导体,缺点浓度与氧分压的1/6次方成(),若是减少周围氧气的分压,TiO2-x的密度将()。
五、晶体的热缺点有()和()两类,热缺点浓度与温度的关系式为()。
六、由于()的结果,必然会在晶体结构中产生“组分缺点”,组分缺点的浓度主要取决于:
()和()。
7、b与位错线()的位错称为刃位错,可用符号()表示;
b与位错线()的位错称为螺位错,可用符号()表示。
八
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