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7.2.2.除膠渣(Desmear)
A.目的:
a.Desmearﻭ b.Create Micro-rough增加adhesionﻭB.Smear產生的原因:
由於鑽孔時造成的高溫Resin超過Tg值,而形成融熔狀,終致產生膠渣。
此膠渣生於內層銅邊緣及孔壁區,會造成P.I.(Poorlnterconnection) ﻭ C. Desmear的四種方法:
ﻭ 硫酸法(SulfericAcid)、電漿法(Plasma)、鉻酸法(CromicAcid)、高錳酸鉀法(Permanganate).
a. 硫酸法必須保持高濃度,但硫酸本身為脫水劑很難保持高濃度,且咬蝕出的孔面光滑無微孔,並不適用。
ﻭ b.電漿法效率慢且多為批次生產,而處理後大多仍必須配合其他濕製程處理,因此除非生產特殊板大多不予採用。
ﻭc.鉻酸法咬蝕速度快,但微孔的產生並不理想,且廢水不易處理又有致癌的潛在風險,故漸被淘汰。
d. 高錳酸鉀法因配合溶劑製程,可以產生微孔。
同時由於還原電極的推出,使槽液安定性獲得較佳控制,因此目前較被普遍使用。
7.2.2.1高錳酸鉀法(KMnO4 Process):
A.膨鬆劑(Sweller):
ﻭ a.功能:
軟化膨鬆Epoxy,降低Polymer 間的鍵結能,使KMnO4更易咬蝕形成 Micro-rough 速率 作 用Concentration
b.影響因素:
見圖7.1
c. 安全:
不可和KMnO4直接混合,以免產生強烈氧化還原,發生火災。
d.原理解釋:
(1)見圖7.2
初期溶出可降低較弱的鍵結,使其鍵結間有了明顯的差異。
若浸泡過長,強的鏈結也漸次降低,終致整塊成為低鏈結能的表面。
如果達到如此狀態,將無法形成不同強度結面。
若浸泡過短,則無法形成低鍵結及鍵結差異,如此將使KMnO4咬蝕難以形成蜂窩面,終致影響到PTH的效果。
ﻭ
(2)SurfaceTension的問題:
無論大小孔皆有可能有氣泡殘留,而表面力對孔內Wetting也影響頗大。
故 採用較高溫操作有助於降低Surface Tension及去除氣泡。
至於濃度的問題,為使Drag out降低減少消耗而使用略低濃度,事實上較高濃度也可操作且速度較快。
在製程中必須先Wetting孔內壁,以後才能使藥液進入作用,否則有空氣殘留後續製程更不易進入孔內,其Smear將不可能去除。
ﻭ B. 除膠劑(KMnO4):
ﻭ a.使用KMnO4的原因:
選KMnO4而未選NaMnO4是因為KMnO4溶解度較佳,單價也較低。
ﻭ b.反應原理:
ﻭ 4MnO4-+C+4OH- →MnO4= +CO2+2H2O(此為主反應式)ﻭ 2MnO4- +2OH- →2MnO4=+1/2O2+H2O (此為高PH值時自發性分解反應)ﻭ MnO4-+H2O→MnO2 +2OH-+1/2O2(此為自然反應會造成Mn+4沉澱)ﻭ c.作業方式:
早期採氧化添加劑的方式,目前多用電極還原的方式操作,不穩 定的問題已獲解決。
d.過程中其化學成份狀況皆以分析得知,但Mn+7為紫色,Mn+6為綠色,Mn+4為黑色,可由直觀的色度來直接判斷大略狀態。
若有不正常發生,則可能是電極效率出了問題須注意。
e. 咬蝕速率的影響因素:
見圖7.3
f. 電極的好處:
ﻭ
(1).使槽液壽命增長
(2).品質穩定且無By-product,其兩者比較如圖7.4:
g.KMnO4形成Micro-rough的原因:
由於Sweller造成膨鬆,且有結合力之強弱,如此使咬蝕時產生選擇性, 而形成所謂的Micro-rough。
但如因過度咬蝕,將再度平滑。
h. 咬蝕能力也會隨基材之不同而有所改變
i.電極必須留心保養,電極效率較難定出絕對標準,且也很難確認是否足夠應付實際需要。
故平時所得經驗及廠商所提供資料,可加一係數做計算,以為電極需求參考。
C.中和劑(Neutralizer):
ﻭa.NaHSO3是可用的Neutralizer之一,其原理皆類似Mn+7orMm+6orMn+4(Neutralizer)->
Mn+2 (Soluable)ﻭ b. 為免於PinkRing,在選擇Acidbase必須考慮。
HCl及H2SO4系列都有,但Cl易攻擊OxideLayer,所以用H2SO4為Base的酸較佳。
ﻭ c .藥液使用消耗分別以H2SO4及Neutralizer,用Auto-dosing 來補充,維 護。
7.2.2.2 .整條生產線的考慮:
A.Cycletime:
每Rack(Basket)進出某類槽的頻率(時間)ﻭ B.產能計算:
(Workinghours/Cycletime)*(FIightBar/Hoist)*(Racks/Flight Bar)*(SF/Rack)=SF/Monﻭ C.除膠渣前Pre-baking對板子的影響:
見圖7.5
ﻭ a.由於2.在壓合後己經過兩次Cure,結構會比1,3Cure更完全,故Baking會使結構均一,壓板不足處得以補償。
b.多量的氧,氧化了Resin間的Bonding,使咬蝕速率加劇2~3倍。
且使1,2,3區較均一。
c.釋放Stress,減少產生Void的機會.
7.2.2.3.製程內主要反應及化學名稱:
A.化學反應:
ﻭ a.主要反應
4MnO4-+4OH-+Epoxy→4MnO4=+CO2↑ +2H2Oﻭ b.副反應:
2MnO4-+2OH- ←→2MnO4=+1/2O2 +H2O(Side reaction)
MnO4= +H2O (CI-/SO4=/CatalizeRx.) → MnO2↓+2OH-+1/2O2 ﻭ (Precipitationformation)
2MnO4= + NaOCI+H2O→2MnO4-+2OH-+NaCI
4MnO4=+NaS2O8+H2SO4→4MnO4-+2OH- +2Na2SO4ﻭ 4MnO4= +K2S2O8 + H2SO4 → 4MnO4-+2OH-+2K2SO4
(ForChemical regenerationtypeprocessreaction)ﻭ 2MnO4=+1/2O2 + H2O←→2MnO4-+2OH-
(Electrolyticreaction:
Need replenish airforOxgen consumption)
B.化學品名稱:
MnO4- Permanganate NaS2O8 Sodium Persulfateﻭ MnO4= Manganate S2O4- Sulfate
OH- Hydroxide(Caustic) CO2 CarbonDioxide
NaOCI SodiumHydrochlorideMnO2 ManganeseDioxide
7.2.2.4.典型的DesmearProcess:
見表
7.2.2.5.PocketVoid的解釋:
A.說法一:
Sweller殘留在Glassfiber中,在Thermalcycle時爆開。
B.說法二:
見圖7.6
a.壓板過程不良Stress積存,上鍚過程中力量釋出所致ﻭ b.在膨漲中如果銅結合力強,而Resin釋出Stress方向呈Z軸方向,當Curing 不良而Stress過大時則易形成a之斷裂,如果孔銅結合力弱則易形成B之Resinrecession,結合力好而內部樹脂不夠強軔則出現c之Pocketvoidﻭ C﹒如果爆開而形成銅凸出者稱為Pullaway
7.2.3化學銅(PTH)
PTH系統概分為酸性及鹼性系統,特性依基本觀念而有不同。
7.2.3.1 酸性系統:
A.基本製程:
ﻭ Conditioner →Microetch→Catalpretreatment→ Cataldeposit→Accelerator→ElectrolessDepositﻭ B.單一步驟功能說明:
a.整孔Conditioner:
ﻭ 1.Desmear後孔內呈現Bipolar現象,其中Cu呈現高電位正電,Glassfiber、Epoxy呈負電
2. 為使孔內呈現適當狀態,Conditioner具有兩種基本功能ﻭ (1)Cleaner:
清潔表面ﻭ
(2)Conditioner:
使孔壁呈正電性,以利Pd/SnColloid負電離子團吸附
3. 一般而言粒子間作用力大小如表
ﻭ因而此類藥液系統會有吸附過多或Colloid過多的吸附是否可洗去之顧慮
4. Conditioner若DragIn 至Activator槽,會使Pd+離子團降低 ﻭb. 微蝕Microetchﻭ 1.Microetching旨在清除表面之Conditioner所形成的Filmﻭ 2. 此同時亦可清洗銅面殘留的氧化物
c.預活化Catalpretreatment
1.為避免Microetch形成的銅離子帶入Pd/Sn槽,預浸以減少帶入
2.降低孔壁的Surface Tension
d.活化Cataldeposit
1. 一般Pd膠體皆以以下結構存在:
見圖7.7
ﻭ2. Pd2+:
Sn2+:
Cl-=1:
6:
12較安定
3. 一般膠體的架構方式是以以下方式結合:
見圖7.8
當吸附時由於Cl會產生架橋作用,且其半徑較大使其吸附不易
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