专用集成电路复习Word文件下载.docx
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再生性条件为:
一个门的VTC应当具有一个增益绝对值大于1的过渡区,该过渡区以两个合法的区域为界,合法区域的增益应当小于1。
这样的一个门具有两个稳定的工作点。
这就清楚地定义了构成合法区域和过渡区边界的Vih和Vil电平。
5传播延时tp=(tpLH+tpHL)/2
振荡周期T=2*tp*N
6深亚微米数字IC设计面临的挑战
微观:
超高速电路设计、内部互联、噪声串扰、可靠性和可制造性、功耗、时钟分布
宏观:
面市时间、百万门电路设计、高层抽象、IP复用、可预测性
CH3器件
1扩散与漂移
扩散:
载流子从浓度高的区域向浓度低的区域移动,电子(n->
p)空穴(p->
n)
漂移:
电荷在耗尽区边界形成方向n->
p的电场,使电子从p->
n移动,空穴(n->
p)
2结电容与偏压的定性关系:
1)高度非线性关系;
2)电容随反向偏置的增加而减小,5V偏压使电容降低2倍以上。
3)Cj=Cj0/(1–Vd/$0)m,m为梯度系数,对于突变结是1/2,对于线性或梯度结是
1/3。
3MOS的阈值电压:
沟道发生强反型时的Vgs值称为阈值电压。
Vt=$ms-2$f-Qb/Cox–Qss/Cox–Qi/Cox
Vt与几个因素有关:
栅和沉底之间的功函数差、氧化层厚度、费米电势、沟道和栅氧层表面被俘获的杂志电荷,以及为调整阈值所注入的离子剂量。
4深亚微米MOS的非理想特性(亚阈值电流、速度饱和响应)
亚阈值电流:
当电压低于阈值电压时,MOS管已经部分导通,这一现象称之为亚阈值特性。
亚阈值电流偏离了假设的MOS开关理想特性,动态电路依靠电荷在电容上的存储,因此它的工作可以因亚阈值漏电而收到严重影响。
速度饱和效应:
沟道电场到达一临界值时,载流子的速度将由于散射而趋于饱和,使得晶体管电流与控制电压关系不再是平方,变成线性关系。
5长沟道器件与短沟道器件的I/V特性:
长沟道:
电阻区,晶体管的特性像一个电压控制的电阻;
饱和区,像电压控制的电流源。
Id与Vgs成平方关系。
短沟道:
短沟道即使是非常小的Ids,由于速度饱和使得器件达到饱和。
高电压时电流驱动能力明显下降。
Id与Vgs曲线中,短沟的线性关系十分明显。
PMOS的短沟道影响没有NMOS大,因为空穴的迁移率比电子小。
6MOS的等效电阻特性
1)电阻反比与器件的宽长比。
晶体管的宽度加倍时将使电阻减半。
2)当Vdd>
>
Vt+Vdsat/2时,电阻实际上将于电源电压无关。
当提高电源电压时,由于沟长调制效应使电阻的改善很小。
3)一点电源电压接近Vt,电阻会急剧增加。
7MOS动态特性——各种情况下的电容
本征电容:
MOS结构电容:
Cgso=Cgdo=CoW
沟道电容:
Cgcs
Cgcd
Cgcb
截止
0
Cox*W*Leff
线性
Cox*W*Leff/2Cox*W*Leff/20
饱和
Cox*W*Leff*2/30
0
结电容(源漏反偏PN结耗尽区):
Cdiff=Cbottom+Csw
额外电容:
互连线及负载
CH4互连
1互连线寄生效应对芯片的影响
导线引起电容、电阻和电感等寄生参数效应,影响有:
1)增加传播延时,引起性能下降。
2)影响能耗和功率分布。
3)引起额外的噪声来源,从而影响电路的可靠性。
2减小互连电阻的方法:
先进工艺、互连材料、增加互连层。
3互连Elmore延时时间(描述不清,看懂)
树形RC链
τdi=(∑)Ck*Rik
无分支的RC链
τdi=(∑)Ci*(∑)Rii
1)导线的延时是长度的二次函数;
2)分布rc线延时是集总RC模型预测延时的一半,集总模型代表了延时计算的保守估计。
4导线电容经验规则:
1)rc延迟只在Tprc近似或超过驱动门的Tpgate才考虑;
2)rc延时只是在导线输入信号的上升(下降)时间小于导线的上升(下降)时间RC时才予以考虑,即Trise<
RC。
5趋肤效应
高频电流趋向导体的表面流动,使导体电阻随频率提高而增加。
趋肤效应是对较宽导线才有的问题。
采用良导体会使趋肤效应在较低频率时就发生。
CH5CMOS反相器
1静态CMOS反相器的重要特性:
1)电压摆幅等于电源电压,噪声容限大。
2)逻辑电平与器件的相对尺寸无关,无比逻辑。
3)低输出阻抗,对噪声和干扰不敏感。
4)极高输入阻抗。
稳态输入电流几乎为0。
5)没有静态功耗。
2反相器开关阈值与器件尺寸的特性关系:
当Vdd较大时,Vm≈rVdd/(1+r),r=VsatpWp/VsatnWn
表面开关阈值取决于比值r,他是PMOS管和NMOS管相对驱动强度的比。
开关阈值Vm定义为Vin=Vout的点,一般希望Vm=Vdd/2。
1)Vm对于器件比值变化相对来说不敏感。
2)改变Wp和Wn比值的使VTC的过渡区平移。
增加PMOS宽度,Vm向Vdd偏移,反之想gnd移动。
输入干扰严重时可以通过提高反相器的阈值来得到一个正确的响应。
3噪声容限
NMh=Vdd-VihNMl=Vil
4低工作电压下反相器的VTC特性
优点1)反相器在过渡区的增益实际上随电源电压的降低而增大。
2)反相器在电源电压接近构成它的晶体管阈值电压时仍然能够很好的工作。
缺点1)减少电源电压虽然会减少能耗,但是会增大门延时。
2)dc特性对器件参数(如Vt)的变化变得敏感。
3)降低电压意味着减少信号摆幅,虽可减少内部噪声,但对外部噪声更加敏感。
5反相器器件尺寸比例与延时的关系
通常设计中PMOS管较宽,以使它的电阻与下拉NMOS匹配。
如果对称性和噪声容限不是主要考虑因素,可能通过减小PMOS的宽度来加快反相器的速度。
反相器的本征延时tp0与尺寸无关,值取决于工艺及反相器的版图。
6反相器链的优化设计方法
反相器的延时只取决于他的外部负载电容与输入电容的比值,称为等效扇出f=Cext/Cg。
对于N个反相器串联,第N个反相器延时表达式:
tpj=tp0*(1+fj/r)。
最优情况(Cgj+1/Cgj=Cgj/Cgj-1)是每个反相器的尺寸都相对与它前面的反相器尺寸放大相同的倍数f,这样每个反相器都有相同的等效扇出(fi=f),因此有相同的延时。
f=n√(Cl/Cg1)=n√(F)
tp=N*tp0*(1+n√(F)/r)
F代表电路的总等效扇出。
r=0时,最优解f=e=2.71828
r=1时,最优解f=3.6,通常选择最优扇出为4.
7理解功耗的三个来源:
动态功耗、短路功耗、静态功耗
动态功耗:
充放电电容引起(Pdyn=Cl*Vdd*Vdd*f0-1)
1)改变器件尺寸并降低电源电压是减小一个逻辑电路能耗的非常有效的方法。
2)在最优值之外过多的加大晶体管尺寸会付出较大的能量带价。
3)考虑能量时的最优尺寸系数小于考虑性能时的最优尺寸系数。
短路功耗:
输入型号不为无穷大的斜率造成了开关过程中Vdd和GND之间在短时间内出现一条直流通路,此时NMOS和PMOS同时导通。
(Pdp=tsc*Vdd*Ipeak*f=Csc*Vdd*Vdd*f)短路电流功耗可以通过使输入和输出型号的上升下降时间匹配来达到最小。
静态功耗:
(Pstat=Istat*Vdd)总会有泄露电流流过位于晶体管源(或漏)与衬底之间的反相偏置二极管结,再温度较高时明显。
泄露电流的一个越来越突出的来源是晶体管的亚阈值电流。
降低电路电压,亚阈值电压的选择代表了在性能和静态功耗之间的权衡取舍。
综合考虑:
Ptott=Pdyn+Pdp+Pstat
CH6组合电路
1动态电路和静态电路
静态电路:
静态电路中,每一时刻每个门的输出通过一个低阻路径连到Vdd或者Vss上,同时在任何时刻该们的输出即为该电路实现的布尔函数值。
动态电路:
依赖于把型号值暂时存放在高阻抗电路节点的电容上,动态电路的优点是所形成的门比较简单且别较快,但它的设计和工作比较复杂,并且由于对噪声敏感程度的增加而容易失败。
2为何PDN由NMOS器件构成,PUN由PMOS器件构成?
NMOS管产生“强零”,PMOS管产生“强1”。
NMOS可以将输出下拉至GND,而PMOS只能将输出拉低至Vtp。
同样,PMOS可以将输出充电至Vdd,而NMOS器件最多将输出充电至Vdd-Vtn。
3CMOS电路特性
1)全摆幅,搞噪声容限
2)无比电路
3)低输出阻抗
4)高输入阻抗
5)静态功耗极小
4Fan-in和延时的关系
随着扇入的增加,采用互补逻辑的两大问题。
1)晶体管数目很多增加了该门的总电容,门的有低至高延时将随扇入数线性增加。
2)在门的PUN或PDN中晶体管的串联会使门进一步减慢。
门的由高至低延时应是扇入的二次函数。
3)扇入大于或等于4时门将变得太慢,因此必须避免。
5高fan-in时提高组合逻辑性能的设计方法。
1)调整晶体管尺寸:
加大晶体管尺寸,可以降低串联器件的电阻和减小时间常数,但会产生较大的寄生电容,会增加传播延时,还会对前级产生较大负载。
因此只有当负载以扇出为主时放大尺寸才有作用。
2)逐级增加晶体管的尺寸:
实际版图较难实现。
3)重新安排输入,把关键路径上的晶体管靠近门的输出端可以提高速度。
4)重组逻辑结构,延时和扇入呈平方关系
5)降低电压摆幅
6)级联优化
X逻辑路径的优化设计P186例题
G=1*5/3*5/3*1=25/9
H=GFB=25/9*5*1=125/9
h=H开四次方=1.93=f1g1=f2g2=f3g3=f4g4
f2=b/af3=c/bf4=5/c
解得a=1.16b=1.34c=2.60
6降低翻转概率的设计方法
1)逻辑重组,可以降低功耗;
2)输入排序,推迟输入具有较高翻转概率的信号;
3)分时复用资源
4)通过均衡信号路径来减少毛刺。
7有比逻辑:
使用无条件负载替代PUN,输出端的电压摆幅及门的总体功能取决于NMOS和PMOS的尺寸比。
优点是晶体管数据明显减少,伪NMOS的一个主要缺点是当输出为低时,存在Vdd和GND的直流通路。
8传输管逻辑及其改进方法
输出管逻辑:
允许原始输入驱动栅端和源漏端来减少实现逻辑锁需要的晶体管数目。
优点:
使用较少的晶体管实现给定的功能,也有降低电容的额外优点。
缺点:
传输0有效,上拉至Vdd性能很惨。
输出只能到Vdd-Vtn。
传输关的输出端不能驱动另一个门的栅端口,以免多次阈值损失。
稳定有效的传输管设计:
1)电平恢复,只有在传输高电平时有效。
2)多种阈值晶体管,使用0阈值的NMOS传输管可以消除大部分阈值损失。
缺点是依然会有亚阈值电流。
3)传送门逻辑,最广泛,NMOS传递强逻辑0弱逻辑1,PMOS传递强逻辑1和弱逻辑0。
解决了阈值损害的问题。
缺点是随着级联数的增加,传输延时大大增加。
9动态逻辑的特性:
1)面
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- 专用 集成电路 复习