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ABC
A、热敏性B、光敏性C、搀杂性D、抗压性
[1]八、本征半导体为纯净、物理结构完整的半导体,目前用来制造半导体器件的要紧材料是()和()。
AD
A、硅B、铜C、铁D、锗
[1]九、杂质半导体依照其掺入杂质的不同,可分为()与()。
A、P型半导体B、硅性半导体C、N型半导体D、锗型半导体
二、判定题(每题1分)
[1]一、(×
)PN结的单向导电性是指PN能够在任意一个方向导电。
第九章/第二节知识点22:
半导体二极管
[1]一、在二极管特性的正向导通区,二极管相当于()。
A、大电阻B、接通的开关C、断开的开关
[1]二、二极管正向导通的条件是其正向电压值()。
D
A、大于0B、大于C、大于D、大于死区电压
[1]3、稳压二极管一样工作在()。
C
A.放大区B.截止区C.反向击穿区
[2]4、当温度升高时,二极管的反向饱和电流将要()。
A.增加B.减小C.不变
[2]五、二极管的反向饱和电流在200C时是5μA,温度每升高100C,其反向饱和电流增大一倍,当温度升高为400C时,反向饱和电流()。
A.10μAB.15μAC.20μA
[1]六、当加到二极管上的反向电压增大到必然数值时,反向电流会突然增大,此现象被叫做()现象。
A、正向导通B、反向击穿C、正向截止D、反向截止
[2]7、二极管按PN结的结构特点可分为()型和()型。
A、点接触B、面接触C、N型D、P型
[1]八、当二极管加正向电压时,二极管就()。
A、截止B、导通C、击穿D、饱和
[1]九、当二极管加反向电压时,二极管就()。
)二极管的最高反向电压确实是该管的反向击穿电压。
[1]二、(√)二极管具有单向导电性。
[2]3、(√)当二极管加反向电压时,二极管将有很小的反向电流通过。
[1]4、(√)二极管的电流-电压特性可可能明白得为正向导通、反向截止。
[1]五、(√)二极管是依照PN结单向导电特性制成的,因此二极管也具有单向导电性。
[1]六、(√)稳压二极管的稳固电流是指稳压管工作时许诺通过的最大电流。
[1]7、(×
)在知足利用条件的情形下,半导体二极管的正向电流越小愈好,反向电流越大越好。
三、简答题(每题10分)
[1]一、如何用指针式万用表和数字式万用表来判别二极管的好坏,和如何判定二极管的正负极?
答:
用指针式万用表黑表笔、红表笔互换测量二极管电阻,若是一个电阻大,一个电阻小则二极管是好的,不然二极管损坏,当测得二极管电阻很小的时候,黑色表笔接触的引脚为二极管的正极(阳极)。
用数字式万用表黑表笔、红表笔互换测量二极管电阻,若是一个电阻大,一个电阻小则二极管是好的,不然二极管损坏,当测得二极管电阻很小的时候,红色表笔接触的引脚为二极管的正极(阳极)。
[1]二、在知足利用条件下,如何选用比较好的二极管?
正向电阻越小越好,反向电阻越大越好。
四、计算题(每题10分)
[1]一、如图所示电路中,已知为幅值8V的正弦波,画出波形,其中二极管设为理想二极管。
答案:
[1]二、如图所示电路中,已知为幅值8V的正弦波,画出波形,其中二极管设为理想二极管。
[1]3、如图所示电路中,已知为幅值8V的正弦波,画出波形,其中二极管设为理想二极管。
第九章/第三节知识点23:
半导体三极管
[1]一、NPN型晶体管处于放大状态时,各极电位关系是()。
A、VC>
VE>
VBB、VC>
VB>
VEC、VC<
VE<
VBD、VC<
VB<
VE
[1]二、晶体管的“放大”实质上是()。
A、将小能量放大成大能量B、将低电压放大成高电压
C、将小电流放大成大电流D、用较小的电流转变去操纵较大的电流转变
[1]3、晶体管作开关作历时,是工作在其()D
A、放大区B、饱和区C、截止区D、饱和区与截止区
[1]4、当晶体管发生饱和时会发生()。
A、IC随IB增加B、IC不随IB增加C、IC随IB减小
[1]五、由于某种缘故使放大状态的晶体管的发射结反偏时,则晶体管的集电极电流将()。
A、反向B、增大C、中断
[1]六、一三极管三个极的对地电位别离有VC=,VE=3V,VB=,则该管工作在()。
B
A.放大区B.饱和区C.截止区
[1]7、下列是三极管各个极的电位,处于放大状态的三极管为()。
A、VB=VE=0VVC=
B、VB=VE=VC=-4V
C、VB=-3VVE=0VVC=6V
[1]八、晶体管的三个电极别离为()极、()极和()极。
A、基B、集电C、发射D、源
[1]九、使晶体管处于放大状态的偏置状况是:
发射结()偏,集电结()偏。
A、正B、导通C、截止D、反
[1]10、晶体管的两个PN结别离叫做()和()。
AC
A、发射结B、基区C、集电结D、发射区
[1]1一、要使三极管具有电流放大作用,发射结必需加()电压,集电结必需加()电压。
A、正向B、反向C、正D、负
[1]1二、三极管按其内部结构分为()和()两种类型。
CD
A、硅型B、锗型C、NPND、PNP
[1]13、三极管有三个工作状态,即()、()和()状态。
ABD
A、放大B、饱和C、击穿D、截止
[1]14、NPN型晶体管的集电区是()型半导体,基区是()型半导体。
A、硅B、锗C、ND、P
[2]1五、三极管运行在截止状态时,其电位的关系为()()。
A、VC>
VBB、VC<VBC、VE>
VBD、VE<VB
[2]一、(√)工作在放大状态的晶体管,其发射极电流比集电极电流小
[1]二、(×
)晶体管的电流放大系数β值越大,说明该管的电流操纵能力越强。
因此晶体管的β值越大越好。
[1]3、(×
)若晶体管发射结处于正向偏置,则其必然处于截止状态。
[1]4、(×
)发射结处于正向偏置的晶体管,则其必然是工作在放大状态。
[1]五、(×
)晶体管由两个PN结组成,因此能够用两个二极管反向连接起来充当晶体管利用。
[1]六、(×
)当三极管发射结、集电结都正偏时具有放大作用。
[1]八、(√)当晶体管的发射结和集电结都处于正偏状态时,晶体管必然工作在饱和区。
[2]九、(×
)有一晶体管接在电路中,测得它得三个管脚电位别离为、6V、,说明那个晶体管是PNP管。
[2]10、(×
)晶体三极管具有能量放大作用。
[2]一、如何用数字式万用表来判别三极管是PNP型或NPN型和它们的各个引脚?
先把万用表打到电阻档,用红黑表笔互换测量两两引脚,找出互换测量的阻值都专门大的两引脚,则另外一引脚为B极,然后用红色表笔指向B极,黑色表笔指向任意一个引脚,若是测量的阻值专门大,则三极管为PNP型,若是阻值很小则为NPN型三极管。
然后把万用表档位打在hfe档位,把三极管基极插入相应的孔内,其余两个引脚插入C、E孔内,并互换测量,读取两组数值,数值大的那一组则引脚正确,即C孔对应三极管C引脚,e孔对应三极管e引脚。
而且读取的数值比较大的那个数为三极管的放大倍数。
[2]一、工作在放大状态的晶体管,测得,,求和各为多少?
解:
第十章/第一节知识点24:
放大电路的大体概念
一.选择题(每题2分)
[2]一、反映硅稳压管稳压性能好环的技术参数是( )A
A.稳固电压UZB.最大稳固电流IZmax
C.最小稳固电流IZminD.动态电阻rz
[1]二、稳压二极管的正常工作状态是()。
A、导通状态;
B、截止状态;
C、反向击穿状态;
D、任意状态。
[1]3、测得NPN型三极管上各电极对地电位别离为VE=,VB=,VBC=,说明此三极管处在()。
A、放大区;
B、饱和区;
C、截止区;
D、反向击穿区。
[1]4、若使三极管具有电流放大能力,必需知足的外部条件是()C
A、发射结正偏、集电结正偏;
B、发射结反偏、集电结反偏;
C、发射结正偏、集电结反偏;
D、发射结反偏、集电结正偏。
[1]5.分压式偏置的共发射极放大电路中,若VB点电位太高,电路易显现()。
A、截止失真;
B、饱和失真;
C、晶体管被烧损。
[1]6.基极电流iB的数值较大时,易引发静态工作点Q接近()。
B
A、截止区;
C、死区。
[1]7.在放大电路失真中,有()失真与()失真两种。
A、截止B、饱和C、放大D、零飘
[2]8.NPN型晶体管放大电路,当输入电流一按时,静态工作点设置太高,会使Ic的()半周及Uce的()半周失真。
A、交越B、最大值C、正D、负
[2]9.NPN型晶体管放大电路,当输入电流一按时,静态工作点设置太低时,会使Ic的()半周及Uce的()半周失真。
DC
[2]10.晶体管在放大状态时Uce随iB而转变,若是iB增加,则Uce将();
若是iB减小,则Uce将();
因此,iB能够起操纵电压作用。
A、减小B、不变C、增大D、无法确信
[1]11.共射放大电路的输入端对输入信号所呈现的交流等效电阻称为()。
A、输出电阻B、输入电阻C、等效电阻D、射极电阻
[1]12.放大状态下,晶体管各极之间电流关系为()()。
A、IE=IB+ICB、IC=IBC、IC=IB+IED、IB=IC
[1]13.工作在放大状态下的某晶体管,当IB从20uA增大到40uA时,IC从1mA变成2mA。
它的β值约为()。
A、25B、100C、20D、50
[2]14.在放大电路中,若是工作点设置太高,则输出波形()半周失真,通过()RB可避免。
A、负B、正C、增大D、减小
[2]15.在放大电路中,若是工
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