影视实验报告带结果081005Word格式文档下载.docx

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“数据总线”单元上的总线数据显示灯已与内总线相连，用来显示内总线上的数据。

运算器单元所须的

T4脉冲信号连接至该单元的T4排针端。

实验时，微动开关KK2的输出KK2+连接到该单元的T4排针端，按动一下微动开关，即可获得一个单脉冲信号。

此实验中的其他S3、S2、S1、SO、MCNC_TR1C_TR2B_ALUB_SWRD等都为电平信号，将他们连接到“开关组单元”中的二进制数据开关上来模拟不同的电平状态。

“开

关组单元”的SW1--SW17为相互独立的二进制数据开关，开关向上时为0，开关向下时为1。

表1.174LS181的逻辑功能表

输入为A和B,输出为F,为正逻辑

S3S2S1S0

M=0（算术运算）

M=1（逻辑运算）

Cn=1（无进位）

Cn=0（有进位）

0000

F=A

F=A加1

0001

F=A+B

F=（A+B）加1

0010

F=AB

0011

F=0减1

F=0

0100

F=A加AB

F=A加Ab加1

0101

F=AB加（A+B）

F=AB加（A+B）加1

F=B

0110

F=A减B减1

F=A减B

F=A®

B

0111

f=AB减1

f=Ab

1000

F=A加AB

F=A力口AB力口1

1001

F=A加B

F=A加B加1

1010

1011

F=AB减1

1100

F=A加A

F=A加A加1

F=1

1101

F=A加（A+B）

F=A加（A+B）加1

f=a+b

1110

1111

F=A减1

当向TR1或TR2工作暂存器打入数据时，数据开关三态门打开，这时应保证运算器输出三态门关闭；

同

样，当运算器输出结果至总线时也应保证数据输入三态门是在关闭状态。

本TWL-PCC十算机组成原理实验系

统中的所有LED指示灯均为亮时所示状态为高电平

（1），灯不亮时所示其状态为低电平（0）。

四、实验步骤

1.2。

仔细检查无误后，接通电源。

1、连接实验线路。

参考实验连线图见图

2、先置相关的控制信号为初始态，即使运算器和输入设备的输出都为高阻态（B_ALU=1B_SW=1，“输入设备单元”中的RD信号可以一直为低电平（RD=0,暂存器TR1和TR2的门控信号都为低电平（C_TR1=0C_TR2=0。

3、通过“输入设备单元”的数据开关向暂存器TR1中置数。

1拨动8位数据开关形成一个8位二进制数。

（如01100010）。

2数据开关上的数据输出至总线（B_SW=0,打开暂存器TR1的门控信号（C_TR仁D。

3按动微动开关KK2,产生一个T4脉冲，将数据开关上的数据（01100010）打入到TR1中。

然后关掉暂存器TR1的门控信号（C_TR1=0。

4、通过“输入设备单元”的数据开关向暂存器TR2中置数。

（如10101101）。

2数据开关上的数据输出至总线（B_SW=0,打开暂存器TR2的门控信号（C_TR2=D。

3按动微动开关KK2,产生一个T4脉冲，将数据开关上的数据（10101101）打入到TR2中。

然后关掉暂存器TR2的门控信号（C_TR2=0。

5、关掉数据开关的输出三态门（B_SW=1，打开运算器的数据输出三态门（B_ALU=0,使运算器输出至

总线上。

此时，改变运算器的控制信号S3、S2、S1、S0、M及CN的状态，就可获得不同的运算结果。

参照

表1.1其逻辑功能表。

女口：

先检验TR1和TR2中打入的数是否正确，可将S3、S2、S1、S0及M分别置为1、1、1、1、1时总

线上显示的为TR1中的数；

置成1、0、1、0、1时则显示的为TR2中的数。

五、实验要求

1、做好预习，掌握ALU的功能特性，并熟悉本实验中所用的控制开关的作用和使用方法。

2、置数TR仁62HTR2=ADH改变运算器的功能设置，观察运算器的输出，记录到下表1.2中，并进行理论分析，得出结论。

表1.2

DR1

DR2

S3S2S1S0

M=0（算术运算）

M=1

（逻辑运算）

Cn=1无进位

Cn=0有进位

理论值

实验值

实验值1

62H

ADH

F=62H

F=

F=63H

F=9DH

001

F=EFH

F=F0H

F=10H

F=72H

F=73H

F=8DH

F=FFH

F=00H

100

F=A4H

F=A5H

F=DFH

101

F=31H

F=32H

F=52H

F=B4H

F=B5H

F=CFH

；

F=41H

F=42H

p000

F=82H

F=83H

F=BDH

F=0FH

F=30H

F=92H

F=93H

F=ADH

M011

F=1FH

F=20H

F=C4H

F=C5H

F=51H

M110

F=D4H

F=D5H

F=61H

实验二静态存储器实验

1、掌握静态随机存储器RAM的工作特性及使用方法。

2、了解半导体存储器存储和读出数据的方法。

SRAM通路图见图2.1，由一片6116构成，其容量为2048X8位。

6116的A10-A8脚接地，只有A7-A0地址使用，实际使用存储容量为256字节。

存储器的地址线A7-A0、数据线D7-D0、控制线片选线CS写线WE

及输出使能线OE均由排针引出，供用户接线。

6116功能表见表2.1所示。

表2.16116功能表

状态

CS

OE

WE

D7~D0

未选中

1

X

高阻抗

禁止

读岀

数据读岀

写入

数据写入

存储器的地址由“地址寄存器单元”给出。

地址寄存器的输入和存储器的数据都接到内总线上，由“输

入设备单元”的数据开关经三态门连接到总线上分时给出地址和数据。

地址寄存器的打入时钟是由C_AR和

T3脉冲相与得到。

1、连接实验线路。

参考实验连线图如图2.2所示。

2、连续写存储器。

给00H01H02H、03H、04H地址单元分别写入数据AAHBBHCCHDDHEEH

①写地址。

关存储器的片选线（CS=1）,CLR=1,WE=1OE=1打开数据开关的输出三态门（B_SW=0RD=0,

此时数据开关中的数输出占领总线，将数据开关的数置为00H（00000000）,打开地址寄存器打入门控信号

（C_AR=1,然后按动微动开关KK2产生T3脉冲，即将00H打入到地址寄存器中，同时地址总线指示灯显示。

2写数据。

关掉地址寄存器的门控信号（C_AR=0,将数据开关置为AAH（10101010），打开存储器的片

选线（CS=0）,将写线WE进行1~1操作，此时数据开关中的数AAH以被写到存储器的00H地址单元中。

3重复①②，分别在01H02HO3H04H地址单元中写入数据BBHCCHDDHEEH

3、连续读存储器。

将存储器OOH、01H02H03H04H地址单元中的数分别读出，观察读出的结果与写入结果是否一致。

1写地址。

CS=1,CLR=1,WE=10E=1,打开数据开关的三态门（B_SW=0RD=0，此时数据开关中的

数输出占领总线，将数据开关的数置为00H（00000000）,打开地址寄存器打入门控信号（C_AR=1,然后按

动微动开关KK2产生T3脉冲，即将00H打入到地址寄存器中，同时地址总线指示灯显示。

2读数据。

B_SW=1,CS=Q置读线有效OE=Q总线显示的即为从存储器00H地址单元读出的数据AAH

3重复①②，分别读出01H02HO3HO4H地址单元中的数据，观察与写入的数据是否一致。

图2.2静态存储器实验接线图

4.完成下表

数据输入

数据输出

00H

00000000

11111111

FFH

01H

00000001

11111110

FEH

02H

00000