基于dsb的数字温度计Word文档格式.doc
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DS18B20的管脚排列
1.GND为电源地;
2.DQ为数字信号输入/输出端;
3.VDD为外接供电电源输入端
(在寄生电源接线方式时接地,
DS18B20内部结构主要由四部分组成:
64位光刻ROM、温度传感器、非挥发的温度报警触发器TH和TL、配置寄存器。
光刻ROM中的64位序列号是出厂前被光刻好的,它可以看作是该DS18B20的地址序列码。
64位光刻ROM的排列是:
开始8位(地址:
28H)是产品类型标号,接着的48位是该DS18B20自身的序列号,并且每个DS18B20的序列号都不相同,因此它可以看作是该DS18B20的地址序列码;
最后8位则是前面56位的循环冗余校验码(CRC=X8+X5+X4+1)。
由于每一个DS18B20的ROM数据都各不相同,因此微控制器就可以通过单总线对多个DS18B20进行寻址,从而实现一根总线上挂接多个DS18B20的目的。
DS18B20中的温度传感器完成对温度的测量,用16位二进制形式提供,形式表达,其中S为符号位。
DS18B20的工作时序
DS18B20的一线工作协议流程是:
初始化→ROM操作指令→存储器操作指令→数据传输。
其工作时序包括:
初始化时序,写时序,读时序
初始化时序
主机首先发出一个480-960微秒的低电平脉冲,然后释放总线变为高电平,并在随后的480微秒时间内对总线进行检测,如果有低电平出现说明总线上有器件已做出应答。
若无低电平出现一直都是高电平说明总线上无器件应答。
做为从器件的DS18B20在一上电后就一直在检测总线上是否有480-960微秒的低电平出现,如果有,在总线转为高电平后等待15-60微秒后将总线电平拉低60-240微秒做出响应存在脉冲,告诉主机本器件已做好准备。
若没有检测到就一直在检测等待。
LCD1602:
1602LCD主要技术参数:
显示容量:
16×
2个字符
芯片工作电压:
4.5—5.5V
工作电流:
2.0mA(5.0V)
模块最佳工作电压:
5.0V
字符尺寸:
2.95×
4.35(W×
H)mm
引脚功能说明
1602LCD采用标准的14脚(无背光)或16脚(带背光)接口,各引脚接口说明如表10-13所示:
编号
符号
引脚说明
1
VSS
电源地
9
D2
数据
2
VDD
电源正极
10
D3
3
VL
液晶显示偏压
11
D4
4
RS
数据/命令选择
12
D5
5
R/W
读/写选择
13
D6
6
E
使能信号
14
D7
7
D0
15
BLA
背光源正极
8
D1
16
BLK
背光源负极
第1脚:
VSS为地电源。
第2脚:
VDD接5V正电源。
第3脚:
VL为液晶显示器对比度调整端,接正电源时对比度最弱,接地时对比度最高,对比度过高时会产生“鬼影”,使用时可以通过一个10K的电位器调整对比度。
第4脚:
RS为寄存器选择,高电平时选择数据寄存器、低电平时选择指令寄存器。
第5脚:
R/W为读写信号线,高电平时进行读操作,低电平时进行写操作。
当RS和R/W共同为低电平时可以写入指令或者显示地址,当RS为低电平R/W为高电平时可以读忙信号,当RS为高电平R/W为低电平时可以写入数据。
第6脚:
E端为使能端,当E端由高电平跳变成低电平时,液晶模块执行命令。
第7~14脚:
D0~D7为8位双向数据线。
第15脚:
背光源正极。
第16脚:
背光源负极。
LCD1602的一般初始化(复位)过程
延时15mS
写指令38H(不检测忙信号)
延时5mS
以后每次写指令、读/写数据操作均需要检测忙信号
写指令38H:
显示模式设置
写指令08H:
显示关闭
写指令01H:
显示清屏
写指令06H:
显示光标移动设置
写指令0CH:
显示开及光标设置
#include<
reg51.h>
//包含单片机寄存器的头文件
intrins.h>
//包含_nop_()函数定义的头文件
unsignedcharcodedigit[10]={"
0123456789"
};
//定义字符数组显示数字
unsignedcharcodeStr[]={"
TestbyDS18B20"
//说明显示的是温度
unsignedcharcodeError[]={"
Error!
Check!
"
//说明没有检测到DS18B20
unsignedcharcodeTemp[]={"
Temp:
//说明显示的是温度
unsignedcharcodeCent[]={"
Cent"
//温度单位
/******************************************************************************
以下是对液晶模块的操作程序
*******************************************************************************
sbitRS=P2^0;
//寄存器选择位,将RS位定义为P2.0引脚
sbitRW=P2^1;
//读写选择位,将RW位定义为P2.1引脚
sbitE=P2^2;
//使能信号位,将E位定义为P2.2引脚
sbitBF=P0^7;
//忙碌标志位,,将BF位定义为P0.7引脚
/*****************************************************
函数功能:
延时1ms
(3j+2)*i=(3×
33+2)×
10=1010(微秒),可以认为是1毫秒
***************************************************/
voiddelay1ms()
{
unsignedchari,j;
for(i=0;
i<
10;
i++)
for(j=0;
j<
33;
j++)
;
}
延时若干毫秒
入口参数:
n
voiddelaynms(unsignedcharn)
{
unsignedchari;
for(i=0;
n;
delay1ms();
判断液晶模块的忙碌状态
返回值:
result。
result=1,忙碌;
result=0,不忙
bitBusyTest(void)
{
bitresult;
RS=0;
//根据规定,RS为低电平,RW为高电平时,可以读状态
RW=1;
E=1;
//E=1,才允许读写
_nop_();
//空操作
//空操作四个机器周期,给硬件反应时间
result=BF;
//将忙碌标志电平赋给result
E=0;
//将E恢复低电平
returnresult;
}
将模式设置指令或显示地址写入液晶模块
dictate
voidWriteInstruction(unsignedchardictate)
{
while(BusyTest()==1);
//如果忙就等待
RS=0;
//根据规定,RS和R/W同时为低电平时,可以写入指令
RW=0;
E=0;
//E置低电平(根据表8-6,写指令时,E为高脉冲,
//就是让E从0到1发生正跳变,所以应先置"
0"
_nop_();
//空操作两个机器周期,给硬件反应时间
P0=dictate;
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- 基于 dsb 数字 温度计