电子技术基础-模拟部分-第五版-复习思考题答案Word格式.docx
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3.输入电压Vi通过R1作用于运放的反相端,R2跨接在运放的输出端和反相端之间,同相端接地。
由虚短的概念可知,Vn≈Vp=0,因而反相输入端的电位接近于地电位,称为虚地。
虚短和虚地概念的不同:
虚短是由于负反馈的作用而使Vp≈Vn,但是这两个值不一定趋向于零,而虚地Vp,Vn接近是零。
2.3.2答:
由于净输入电压Vid=Vi-Vf=Vp-Vm,由于是正相端输入,所以Vo为正值,Vo等于R1和R2的电压之和,所以有了负反馈电阻后,Vn增大了,Vp不变,所以Vid变小了,Vo变小了,电压增益Av=Vo/Vi变小了。
由上述电路的负反馈作用,可知Vp≈Vn,也即虚短。
由于虚地是由于一端接地,而且存在负反馈,所以才有Vp≈Vn=0.
2.3.3答:
同相放大电路:
1.存在虚短和虚断现象。
2.增益Av=Vo/Vi=1+R2/R1,电压增益总是大于1,至少等于1。
3.输入电阻接近无穷大,出电阻接近于零。
反相放大电路:
1.存在虚地现象。
2.电压增益Av=Vo/Vi=-R2/R1,即输出电压与输入电压反相。
3.输入电阻Ri=Vi/I1=R1.输出电压趋向无穷大。
电路的不同:
1.参考P28和P32的两个图。
2.根据上述各自的特征即可得出它们的区别。
2.3.4参考书本图下面的分析和上述的特点区别。
2.3.5答:
电路的电压增益约为1,在电路中常作为阻抗变化器或缓冲器。
2.4同相输入和反反相输入放大电路的其他应用
2.4.1各个图参考
P34-P41,各个电路的输出电压和输入电压的关系参考图下的分析。
2.4.2
成炜:
最后一道题不会做,你们房间把它算下吧。
谢了!
(*^__^*)嘻嘻……
第三章
二极管
3.2.1答:
空间电荷区是由施主离子,受主离子构成的。
因为在这个区域内,多数载流子已扩散到对方并复合掉了,或者说耗尽了,因此有称耗尽区。
扩散使空间电荷区加宽,电场加强,对多数载流子扩散的阻力增大,但使少数载流子的漂移增强;
而漂移使空间电荷区变窄,电场减弱,又使扩散容易进行,故空间电荷区也称为势垒区。
3.2.2答:
使PN结外加电压VF的正端接P区,负端接N区,外加电场与PN结内电场方向相反,此时PN出于正向偏置。
3.2.3答:
增加。
因为在外加反向电压产生的电场作用下,P区中的空穴和N区中的电子都将进一步离开PN结,使耗尽区厚度增加。
3.2.4答:
只有在外加电压是才能显示出来。
3.2.5答:
P67页。
3.3.1答:
P71页
3.3.2
3.3.4答:
3.3.5答:
3.4.1答:
P73页
3.4.2答:
P74,76页
3.4.3答:
P83页
第四章
4.1.1
不可以,因为BJT有集电区、基区和发射区。
4.1.2
不行。
内部结构不同。
4.1.3
必须保证发射结正偏,集电结反偏。
反偏,都正偏。
4.1.4
发射区向基区扩散载流子,形成发射极电流IE。
IE=IEN+IEP,IC=ICN+ICBO
4.1.5(p106)
第一问没有找到;
BJT输入电流Ic(或IE)正比于输入电流IE(或Ib)。
如果能控制输入电流,就能控制输出电流,所以常将BJT成称为电流控制器件。
第四章
4.1.6
(VCE=常熟)
a=DIC/DIE(VCB=常熟)
4.1.8
IC,IE,VCE
4.1.9
IC,IE
b上升
4.2.1
微弱电信号放大,信号源,外加直流电源VCC
4.2.2(p119)
4.2.3(p117)
4.2.4
不能IC,a上升
4.3.1P120
4.3.2P123
4.3.3改变Vcc的极性(自己判断是否正确);
截止失真
4.3.4输入信号电压幅值比较小的条件下,P128
4.3.5
找不到,个人理解:
放大电路工作可看成是静态工作电路(即直流电路)和交流通路的叠加,所以看成是先将直流通路短路处理,作为交流的地电位。
4.3.6
P130公式(4.3.7B)P111公式(4.1.11A)不是
4.3.7
P126
P132
4.4.1电源电压的波动,元件参数的分散姓及元件的老化,环境温度
4.4.2基极分压式射极偏置电路(理由见P135),含有双电源的射极偏置电路,含有恒流的射极偏置电路(理由见P139)
4.4.3不能(答案不确定)
4.4.4不能,Ce对静态工作点没有影响,对动态工作情况会产生影响,即对电阻Re上的电流信号电压有旁路作用
4.5.1
有共射,共基和共集;
判断方法P147,4.5.3
4.5.2
P147,4.5.3的2
4.5.3
P141的4.5.1的2.动态分析
4.5.4
可以,根据式(4.4.1)-(4.4.4),可见静态电流Icq只与直流电压及电阻Re有关,以此温度变化时,Icq基本不变。
4.7.1
书上155页第一段,这主要是由BJT的极间电容、耦合电容和旁路电容的开路和短路引起。
4.7.2
频带宽度BW是等于上限截止频率减去下限截止频率,数学表达式是:
BW=f(H)-f(L)
4.7.3
低频时,1/wc不可忽略,所以射极旁路电容是低频响应的主要影响因素。
高频是不会
4.7.4直接耦合可以把原信号不作改变地放大,所以可以改善低频响应;
共基极放大电路中不存在密勒电容效应,所以共基极放大电路具有比较好的高频响应特性。
4.7.5
4.7.6
书上176
第五章
5.1.1答:
二氧化硅是绝缘体
5.1.2答:
P237
5.1.3答:
5.1.4答:
P207
5.2.1答:
P226
JFET不能
BJT不能
P205耗尽型MOSFET
可以
答案在P205画波浪线处
5.3.4答:
P237
a图为BJT
5.3.5答:
第六章
6.1.1257页第1段5行起
6.1.2图6.1.1,6.1.2,6.1.3
微电流源微电流源
6.1.3259页最后一段
6.2.1263页
6.2.2100微安,0,100微伏,1000微伏
6.2.3
Vo=AvdVid+AvcVic得出
6.2.4温度
6.2.5264页最后两;
,ro越大,即电流源Io越接近理想情况,Avc1越小,说明他抑制共模信号的能力越强;
ro差模短路,共模2ro
6.2.6Kcmr=|Avd/Avc|,268页第一段,
6.2.7266页波浪线
6.2.8课件33、34页
6.2.9275页中间段;
276第一段;
10的9次方;
10的5到6次方
6.3.1
(P277)
(1)当vi1-vi2=vid=0时,vo1=vo2=Vcc-(Io/2)Rc,电路处于静态工作状态,。
(2)Vid在0~±
VT范围内,vo1、vo2与vid间呈线性关系,放大电路工作在放大区。
(3)vid在VT~4VT间和-VT~4VT间,vo1、vo2与vid间呈非线性。
电路工作在非线性区。
(4)vid<
-VT和vid>
+VT,曲线趋于平坦。
Vid的范围书上没说,只说了差分放大电路呈现良好的限幅特性,即范围很大。
6.3.2
等于差分放大电路的差模电压增益Avd1=-1/2gmRc,Avd2=1/2gmRc
6.4.1
由源极耦合差分放大输入级,输入级偏置电流源,共源放大输出级构成。
作用:
输入级:
输入级差分放大输入信号。
电流源:
为差分放大输入级提供直流偏置。
输出级:
放大输出信号
6.4.2
由输入级,偏置电路,中间级,输出级组成。
电流源作用:
1)主偏置电路中的T11和T10组成微电流源电路,由Ic10供给输入级中T3,T4的偏置电流。
2)T8和T9组成镜像电流源,供给输入级T1,T2的工作电流。
3)T12和T13构成双端输出的镜像电流源,一路供给中间级的偏置电流和作为它的有源负载,另一路供给输出级的偏置电流。
6.4.3
输入级,电压放大级和输出级电路的基本形式分别是:
差分式放大电路,共集电极电路和共射集放大电路,互补对称电路。
保护电路有:
T15,T21,T22,T23,T24B
6.5.1答:
在室温(25°
C)及标准电源电压下,输入电压为零时,为了使集成运放的输出电压为零,在输入端加的补偿电压叫做失调电压Vio,其大小反映了运放制造中电路的对称程度和电位配合情况,其值愈大说明电路的对称程度愈差。
输入偏置电流是指集成运放两个输入端静态电流的平均值,从使用角度来看,偏置电流愈小由于信号源内阻变化引起的输出电压变化也愈小,故它是重要的技术指标。
输入失调电流是指Iio是指当输入电压为零时流入放大器两输入端的静态基极电流之差,Iio愈小愈好,它反映了输入级差分对管的不对称程度。
6.5.2答:
要求输入失调电压和输入失调电流都比较小,可采用调零电位器的方法减小输出端的误差电压。
不能用外接人工调零电路的方法完全抵消。
6.5.3
(1)LM741等一般运放
(2)高输入电阻的运放。
(3)输入失调电压Vio小的运放(4)失调电压电流小的运放
6.5.4转换速率的大小与许多因素有关,主要与运放所加的补偿电容、运放本身各级BJT的级间电容、以及放大电路提供的充电电流等因素有关,通常要求运放的SR大于信号变化斜率的绝对值。
6.5.5
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- 电子技术 基础 模拟 部分 第五 复习 思考题 答案