《模拟电子技术基础》复习资料与答案Word下载.docx
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带正电的 空穴 和带负电的_电子 。
9.N型半导体中的多数载流子是电子 ,少数载流子是空穴。
10.杂质半导体分N型(电子) 和P型(空穴) 两大类。
11.N型半导体多数载流子是电子 ,少数载流子是空穴 。
P型半导体多数载流子是 空穴 ,少数载流子是电子 。
12.杂质半导体中,多数载流子浓度主要取决于掺杂浓度,而少数载流子则与温度有很大关系。
13.PN结的主要特性是单向导电性 。
14.PN结是多数载流子的扩散 运动和少数载流子的漂移运动处于动态平衡而形成的,有时又把它称为空间电荷区(势垒区)或耗尽区(阻挡层)。
15.PN结加正向电压时,空间电荷区变窄;
PN结加反向电压时,空间电荷区变宽 。
16.PN结在无光照、无外加电压时,结电流为零 。
17.PN结两端电压变化时,会引起PN结内电荷的变化,这说明PN结存在 电容效应。
18.二极管是由一个PN结构成,因而它同样具有PN结的单向导电 特性。
19.二极管的伏安特性可用数学式和曲线来描述,其数学式是I=IS(eU/UT-1),其曲线又可分三部分:
正向特性、反向特性、击穿特性。
20.晶体二极管的正向电阻比其反向电阻小,稳压二极管的反向击穿电压通常比一般二极管的低,击穿区的交流电阻又比正向区的小 。
21.有两个晶体二极管A管的b=200,ICEO=200mA;
B管的b=50,ICEO=10mA,其他参数大致相同,相比之下B管的性能较好。
22.点接触二极管的主要优点是结电容小,多用于高频检波、小电流整流及小功率开关电路。
23.稳压管实质上是一个二极管,它通常工作在击穿区 ,所以当反向电压 大于稳定电压UZ时,它才能产生稳压作用。
24.变容二极管是利用PN结的势垒电容随外加反向电压的变化而变化的特性制成的。
25.双极型三极管有两 种极性的载流子参与导电;
场效应管有一 种极性的载流子参与导电。
26.三极管有两个PN结,即发射结和集电 结,在放大电路中发射 结必须正偏,集电 结必须反偏。
27.三极管个电极电流的分配关系是IE=IB+IC。
28.三极管有_NPN_型和PNP 型,前者在电路中使用的符号是 ,后者在电路中使用的符号是
。
29.晶体三极管能起电流放大作用的内部条件是:
发射区需 重 掺杂,基区宽度要窄 ;
外部条件是:
发射结要正向 偏置,集电结要 反向 偏置。
30.处于放大状态的三极管IC与IB的关系是_IC=bIB_,处于饱和状态的三极管IC不受IB的控制,_失去_了放大作用,处在截止状态的三极管IC»
0 。
5
31.电流放大系数b的定义是»
IC/IB。
32.当NPN锗管工作在放大区时,在E、B、C三个电极中,以集电极电位最高,_发射极_的电位最低;
UBEQ约等于0.2V。
33.当PNP型硅三极管处于放大状态时,在E、B、C三个电极中,以_发射_极电位最高,_集电_极的电位最低。
34.三极管的反向饱和电流ICBO随温度的升高而_升高 ,穿透电流ICEO随温度升高而增加 ,UBE随温度的升高而下降 ,b值随温度的升高而增加 。
35.三极管的三个主要极限参数是PCM 、 ICM 和 反向击穿电压 。
36.从三极管的输出特性曲线看,三极管可分成放大区 、饱和区 、截止区 和击穿区四个工作区域。
当三极管工作在放大 区时,关系式IC=bIB才成立;
当三极管工作在 截止 区时,IC»
0;
当三极管工作在 饱和 区时,UCE»
0。
37.三极管有三个电极,分别是集电极 、发射极 和 基极 。
38.用直流电压表测得某放大器中NPN型三极管的三个极对地的电位分别为VB=+10.7V,VC=+10.3V,
VE=+10V,则该管工作在_饱和 区。
39.用直流电压表测得某放大器中三极管的三个电极对地的电位分别为VA=+3.1V,VB=+2.9V,VC=-2V,则从材料看为锗管,从结构上看为PNP型管,且A为发射极,B为基极,C为集电极。
40.用直流电压表测得某放大器中三极管的三个电极对地的电位分别为VA=+7V,VB=+1.8V,VC=+6.3V,则从材料看为硅管,从结构上看为PNP型管,且A为发射极,B为集电极,C为基极极。
41.用直流电压表测得某放大器中三极管的三个电极对地的电位分别为VA=+7V,VB=+1.8V,VC=+2.5V,则从材料看为硅管,从结构上看为NPN型管,且A为集电极,B为发射极,C为基极极。
42.在放大状态下,三极管的1,2,3三个电极的电流分别为I1=1.5mA,I2=30mA,I3=1.53mA,则电极1
为集电极,电极2 为基极,电极 3 为发射极。
b=50,a=0.98 。
43.从输出特性上分析单级PNP管组成的放大电路,如果静态工作点在负载线上设置偏高,有可能导致 饱和 失真,从示波器上看输出电压波形是 顶部 失真;
工作点设置偏低,则有可能导致_截止 失真。
44.交流放大电路放大的主要对象是电压、电流的变化(或交流)量,而放大电路设置静态工作点的目的是为了使输出信号的变化线性地跟随输入信号而变化(如输入信号为正弦波,输出信号也为正弦波)。
45.如图一(a)是NPN管共射放大电路。
若其输出波形如图一(b)、(c)所示,则图一(b)是饱和 失真,解决办法是将基极偏置电流调 小 ;
图一(c)是截止 失真,解决办法是将基极偏置电流调大 。
+VCC
UO
t
Rb RC
RL
Ui 0 0
(a)
(b)
图一
(c)
46.放大电路有两种工作状态,Ui=0时的直流状态称为静态;
当有交流信号Ui输入时,放大电路的工作状态称为动态,此时,三极管各极电压、电流均有直流分量和交流分量两部分叠加而成。
47.在画低频放大电路的交流通路时,通常将电路中的电容和直流电源 视为短路。
48.交流放大电路的基本分析方法有图解法 和微变等效电路法 两种。
49.对于电压放大电路,输入电阻越_大 ,就越能从前级信号源获得较大的电信号;
输出电阻越小 ,放大电路带负载的能力越强。
50.影响放大电路工作点稳定的主要因素是 温度 的变化,稳定工作点常用的措施是在电路中引入直流负反馈 。
51.在单级共射放大电路中,如果静态工作点在负载线上设置偏高,容易出现 饱和 失真,常通过调整基极偏置电阻 元件来消除失真。
52.在单级共射放大电路中(如图一(a)电路所示),如果输出信号的波形产生了截止失真,常通过调整基极偏置电阻Rb 元件来消除失真,且应减小 其阻值。
53.在单级共射放大电路中,无论是NPN型还是PNP型晶体三极管,当静态工作点在负载线上设置偏高时,容易出现 饱和 失真,过低时容易产生截止 失真。
若采用基极上偏置电阻Rb来消除失真,对于前者应使Rb 增大 ,对于后者应使Rb减小 。
54.反映双极型晶体三极管(BJT管)放大能力的参数是b ,反映场效应管(FET管)放大能力的参数是跨导gm 。
55.BJT管是 电流 控制器件,而FET管则是电压 控制器件。
56.当BJT管发射结正偏,集电结反偏时,放大电路工作在放大区;
当BJT管发射结和集电结均正偏时,放大电路工作在饱和区;
当BJT管发射结和集电结均反偏时,放大电路工作在截止区。
57.双极型晶体三极管放大电路有共基 、共集 和共射 三种连接方式。
58.放大电路中的三极管有共基、共集和共射三种接法,其中电压、电流放大倍数都比较大的是共射接法。
所谓共射放大电路,是指在电路的交流通路中,以发射极作为输入输出信号的共同参考点。
59.在共射、共基和共集三种组态的放大电路中,共射 放大电路同时具有较大的电压放大倍数和电流放大倍数;
共集 放大电路的电压放大倍数最低。
60.在共射、共基和共集三种组态的放大电路中,共射 放大电路既有电压放大,又有电流放大;
共集 放大电路只有电流放大,而无电压放大;
共基 放大电路只有电压放大,而无电流放大。
61.在共射、共基和共集三种组态的单管放大电路中,欲要带负载能力强的应选共集 电路,欲要电压放大且频率响应好的应选共基 电路。
62.共集电极电路的特点是:
输入电阻很大 ,输出电阻很小,电压放大倍数 小于近似等于1 ,动态范围较大。
63.在共射、共基和共集三种组态的放大电路中,共集 放大电路的输入电阻最高;
共集 放大电路的输出电阻最低。
64.在共射、共基和共集三种组态单管放大电路中,共集和共基 电路输入输出电压同相, 共射 电路输入输出电压反相。
65.在共射、共基和共集三种组态单管放大电路中,当待处理的信号是电流时,可采用共基 放大电路,利用的是该电路的输入电阻小、输出电阻大 的特点。
66.直接耦合放大电路与阻容耦合放大电路比较,存在着三个主要特殊问题是:
各级静态工作点相互影响、需要电平配置 和零点漂移 。
67.零点漂移一般都是折合到输入 端来衡量的。
若Au=1000,输出端最大漂移为50mV,则该放大电路的漂移为50mV 。
68.多级放大器的耦合方式有:
直接耦合、阻容耦合 和变压器耦合 三种。
69.多级交流放大电路的极间耦合方式有直接耦合 、 阻容耦合 和变压器耦合 三种,在低频电压放大电路中常采用阻容 耦合方式, 直接_耦合电路存在零点漂移问题。
70.多级放大电路中,第一级电压增益为40dB,第二级电压增益为20dB,则总电压增益为 60dB ,折算为电压放大倍数为 1000 倍。
71.多级放大电路中,第一级电压放大倍数为100倍,第二级电压放大倍数为1000倍,则总电压放大倍数为 105 倍,折算为电压增益为 100 dB。
72.一般而言,多级放大电路的输入电阻等于第一级的输入电阻
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