CMOS流程图.ppt
- 文档编号:1302904
- 上传时间:2022-10-20
- 格式:PPT
- 页数:62
- 大小:2.10MB
CMOS流程图.ppt
《CMOS流程图.ppt》由会员分享,可在线阅读,更多相关《CMOS流程图.ppt(62页珍藏版)》请在冰豆网上搜索。
一.双阱工艺*n阱的形成,1.外延生长,2.氧化生长,3.第一层掩膜(光刻1)“n阱注入”,4.n阱注入磷注入,5.退火,*p阱的形成1.第二层掩膜(光刻2)“p阱注入”,2.p阱注入硼注入,3.退火,二.浅槽隔离工艺*槽刻蚀1长隔离氧化层,2.氮化硅淀积Si3N4,3.第三层掩膜(光刻3)“浅槽隔离”,4.STI槽刻蚀在外延层上选择刻蚀开隔离区,去光刻胶,*STI氧化物填充1.沟槽衬垫氧化硅,2.沟槽CVD氧化物填充,隔离槽CVD氧化硅,*STI氧化层抛光氮化物去除1.沟槽氧化物抛光(CMP),2.氮化物去除,三多晶硅栅结构工艺1栅氧化层的生长,2多晶硅淀积,3第四层掩膜(光刻4)“多晶硅栅”,4多晶硅栅刻蚀,四轻掺杂漏注入工艺*n-轻掺杂漏注入1第五层掩膜(光刻5)“n-LDD注入”,2n-LDD注入砷注入,*p-轻掺杂漏注入1第六层掩膜(光刻6)“p-轻掺杂注入”,2p-LDD注入BF2注入,五侧墙的形成1淀积二氧化硅,2二氧化硅反刻用各向异性等离子刻蚀机进行侧墙反刻,六源/漏注入工艺*n+源/漏注入1第七层掩膜(光刻7)“n+源/漏注入”,2n+源漏注入砷注入,*p+源/漏注入1第八层掩膜(光刻8)“p+源/漏注入”,2p+源/漏注入硼注入,3退火,七接触(孔)的形成*钛金属接触的制作1钛的淀积钛淀积,2退火钛硅化物接触形成,3钛刻蚀,八局部互连(LI)工艺*LI氧化硅介质的形成1氮化硅化学气相淀积氮化硅CVD,2掺杂氧化物的化学气相淀积,3.氧化层抛光(CMP),4第九层掩膜(光刻9)“局部互连”,局部互连刻蚀,*LI金属的制作1.金属钛淀积(PVD工艺),2.氮化钛(TiN)淀积,3.钨淀积(CVD工艺),4.磨抛钨(CMP工艺),九通孔1和钨塞1的形成*通孔1的制作1第一层层间介质氧化物淀积(CVD),2氧化物磨抛(CMP),3第十层掩膜(光刻10)“ILD-1”,第一层层间介质刻蚀,*钨塞1的制作1.金属淀积钛阻挡层(PVD)2.淀积氮化钛(CVD)3淀积钨(CVD),4.磨抛钨(CMP),十第一层金属(金属1)互连的形成*金属1互连的制作1金属钛阻挡层淀积(PVD),2淀积铝铜合金(PVD),3淀积氮化钛(PVD),4第十一层掩膜(光刻11)“金属1互连”,金属刻蚀,十一.通孔2和钨塞2的形成*通孔2的制作1.ILD-2间隙填充2ILD-2氧化物淀积,3ILD-2氧化物平坦化(CMP)4第十二层掩膜(光刻12)ILD-2刻蚀,*钨塞2的制作1金属淀积钛阻挡层(PVD),2淀积氮化钛(CVD),3淀积钨(CVD)4磨抛钨(CMP),十二.第二层金属(金属2)互连的形成*金属2互连的制作1淀积、刻蚀金属22填充第三层层间介质间隙3淀积、平坦化ILD-3氧化物4.刻蚀通孔3,淀积钛/氮化钛,淀积钨,平坦化,十三.制作第三层金属(金属3)直到制作压点和合金,
- 配套讲稿:
如PPT文件的首页显示word图标,表示该PPT已包含配套word讲稿。双击word图标可打开word文档。
- 特殊限制:
部分文档作品中含有的国旗、国徽等图片,仅作为作品整体效果示例展示,禁止商用。设计者仅对作品中独创性部分享有著作权。
- 关 键 词:
- CMOS 流程图