JY3晶体管测试仪技术说明书.docx
- 文档编号:12712055
- 上传时间:2023-04-21
- 格式:DOCX
- 页数:19
- 大小:47.93KB
JY3晶体管测试仪技术说明书.docx
《JY3晶体管测试仪技术说明书.docx》由会员分享,可在线阅读,更多相关《JY3晶体管测试仪技术说明书.docx(19页珍藏版)》请在冰豆网上搜索。
JY3晶体管测试仪技术说明书
JY-3
晶体管测试仪
技
术
说
明
书
杭州精源电子仪器有限公司
JY-3晶体管测试仪
技术说明书
1.系统简介
本测试仪具有对半导体器件常温测试,高温热测(不需要外加烘箱),热敏参数的快速筛选取代直流满功率老炼三大功能,并可任意选用及组合使用。
晶体管热敏参数的快速筛选技术,是采用在短时间内(一般为数秒)对晶体管施加超稳态额定功率的办法,使晶体管的结温迅速接近或达到最高允许结温TjM,通过快速检测晶体管热敏参数VBE、ICEO(或ICBO)和hFE,及其在加功率前后的变化量、变化率△VBE、ICEOH和△hFE%,并以此为失效判据参量,淘汰超标的晶体管,达到剔除早期失效器件,改善产品批的质量和可靠性的目的,同时,所施加的超稳态额定功率模拟了被试管实际使用时可能出现的浪涌电压、电流等应力,以考核被试管承受冲击的能力。
该快速筛选方法不仅能替代直流满功率老炼,快速剔除有潜在缺陷的器件,而且更加科学合理,并已列为行业标准SJ/T10415—93及国军标GJB128A—97。
本测试仪不但能按规定进行晶体管热敏参数的快筛,而且可作常规直流参数测试仪器使用,具有足够的测试量程和精度,只要调用被测器件的型号,就能进入快速连续检测。
当被测器件由于穿通、二次击穿和热击穿的瞬间,具有自动保护能力。
2.主要功能
2.1可取代直流满功率老炼,每只器件整个老炼筛选过程(含测试)只需5秒左右。
2.2能测试筛选PNP、NPN大、中、小功率三极管。
中文菜单式界面,操作简便。
2.3能一次性自动测试、筛选VBE、VBC、hFE1、hFE2、ICEO、ICBO、IEBO、V(BR)CEO、V(BRCBO、V(BR)EBO、VCES、VBES的常温、高温值及常温与高温值变化量或变化率。
并能任意选测全部或部分参数;若只选测常温参数,每只器件只需1秒多。
hFE1、hFE2可以自动分10档。
2.4可任意设定器件型号、测试条件及判据,并保存在系统中,通过浏览方式任意修改、调用。
2.5测试结果在大屏幕液晶显示器(122×92mm)上显示,并标识累计测试总量;超标器件自动声光报警,并在液晶屏上显示告警信息。
2.6每项参数的测试结果通过统计可获得最大值、最小值、平均值。
2.7器件型号、测试时间、测试条件、失效判据、检测结果及器件编号,可通过打印机打印输出,或通过电脑串行口保存在电脑中。
超标器件自动标识。
2.8测试时只需选择器件型号即可进入连续检测,测试口有否被测器件自动识别。
3.主要技术指标:
(误差±5%)
参数名称
测试范围
测试条件
VBE、VBC
0.1V~1V
1mA~3000mA
hFE1、hFE2
5~5000倍
VCE:
1V~25V,IC:
1mA~5.99AVCE:
1V~15V,IC:
6A~20A
ICEO、ICBO 、IEBO
0.1uA~10mA
10V~1000V(VEB:
1V~100V)
V(BR)CEO、V(BR)CBO
10V~1000V
50uA~10mA
V(BR)EBO
5V~100V
50uA~10mA
VCES、VBES
0.1V~3V
IC:
10mA~20A, IB:
1mA~3A
加温PCM范围:
VCE:
5V~25VIC:
0.1A~6A加温时间T:
0~10S
4.使用条件
4.1电网电压:
220V±10%频率:
50HZ环境温度:
0℃--30℃相对湿度:
≤85%
4.2整机最大功耗:
600W
4.3重量:
15kg
4.4外形尺寸:
(宽×高×深mm)450×180×460
4.5其它:
无强电磁场干扰和有害腐蚀性气体
5.使用前注意事项
5.1仪器使用电源进线为单相三线,其中的地线必须与大地接触良好,以确保安全。
5.2仪器使用220V±10%,最好使用稳压器。
5.3使用前应先参阅使用说明书的技术性能、使用方法等章节。
6.JY-3晶体管测试仪使用方法
6.1打开本机电源
大屏幕液晶显示键盘
1ABC
2DEF
3GHI
测试
打印
复位
4JKL
5MNO
6PQR
返回
↑
确认
7STU
8VWX
9YZ
←
转换
→
0
·
退格
↓
暂停
面板外形示意图
在大屏幕液晶显示左下角显示的“NPN3DD15”,表示系统已经设定的被测器件为三极管3DD15。
如果需要测试器件的型号为三极管3DD15,(如果需要测试器件的型号不是三极管3DD15,请按键盘数字“1”,选择所需要测试的器件型号。
)请按键盘数字“4”,进入“器件自动测试”步骤,液晶屏显示界面如下:
测试三极管3DD15
1.开始自动测试
2.浏览测试结果
3.打印测试条件
4.返回
测试方法一:
插入被测器件,按键盘数字“1”,仪器自动测试被测器件。
测试完毕显示测试报表如下:
器件3DD15测试报表累计测试:
1次
项目
常温
高温
变化量
单位
Vbe
V
Hfe1
6
%
倍
Hfe2
%
倍
Iceo
uA
Icbo
uA
Iebo
uA
V(br)ceo
V
V(br)cbo
V
V(br)ebo
V
Vces
V
Vbes
V
Vbc
V
当将测试端口器件取下,仪器进入自动探测状态,测试口有否被测器件自动设别测试。
测试端口更换另一个被测器件后,不用按键,仪器就可自动测试被测器件。
测试方法二:
插入被测器件,按键盘“测试”,仪器自动测试被测器件。
测试完毕显示测试报表如上。
更换另一个被测器件后,按键盘“测试”,仪器自动测试被测器件。
测试过程中如果发现某项参数超标,蜂鸣器发出一秒长鸣以示告警,并在液晶屏上显示告警信息。
注意事项:
在自动探测状态测试时,更换另一个被测器件后,请立刻把手离开测试端口,以免高压打手。
6.2在开机界面下:
按键盘数字“1”,可以选择所需要测试的器件型号,液晶屏显示界面如下:
设定测试三极管型号
1.选择NPN器件型号
2.选择PNP器件型号
NPN3DD152000-01-0108:
08:
00
按数字键“1”或“2”,进入选择器件状态,显示界面如下:
选择NPN器件
输入1——250的器件序号
10
库中器件名称
3DD15
在“输入1—250的器件序号”中输入器件序号,器件型号自动显示在“库中器件名称”中。
或按键盘“↑”、“↓”可往前、往后改变器件型号,“←”、“→”可快速往前、往后改变器件型号,器件型号显示在“库中器件名称”中,按“确认”键即将该器件选为当前被测器件。
自动返回开机菜单。
6.3在开机界面下:
按键盘数字“2”,可以设置测试判据,液晶屏显示界面如下:
三极管判断值条件设置表
测试型号
3DD15
测试项目
测试选择及判断条件
L_Vbe
★
≤
1
V
ΔVbe
★
≤
0.13
V
L_Hfe1
★
≥
10
倍
≤
200
倍
ΔHfe1%
★
≤
30
%
L_Iceo
★
≤
0.01
mA
H_Iceo
★
≤
0.1
mA
ΔIceo
★
≤
0.09
mA
L_Icbo
★
≤
0.01
mA
H_Icbo
★
≤
0.1
mA
ΔIcbo
★
≤
0.09
mA
L_Iebo
★
≤
0.01
mA
H_Iebo
★
≤
0.1
mA
ΔIebo
★
≤
0.09
mA
L_V(br)ceo
★
≥
V
H_V(br)ceo
★
≥
V
L_V(br)cbo
★
≥
V
H_V(br)cbo
★
≥
V
L_V(br)ebo
★
≥
V
H_V(br)ebo
★
≥
V
L_Hfe2
○
≥
倍
≤
倍
ΔHfe2%
○
≥
%
L_Vces
★
≤
V
H_Vces
★
≤
V
L_Vbes
★
≤
V
H_Vbes
★
≤
V
L_Vbc
★
≤
V
H_Vbc
★
≤
V
HfeFD1
--
20
HfeFD2
20
--
30
HfeFD3
30
--
40
HfeFD4
40
--
50
HfeFD5
50
--
60
HfeFD6
60
--
70
HfeFD7
70
--
80
HfeFD8
80
--
90
HfeFD9
90
--
100
HfeFD10
100
--
500
此时可对当前被测三极管“判断值条件设置表”进行检查或修改。
项目参数前“L_”、“H_”、“Δ”分别表示为该参数为常温参数、高温参数、常温与高温变化量。
其中HfeFD1至HfeFD10为放大倍数分档设定范围,可由小到大任意设定。
“↑”、“↓”可在输入时移动高亮条转换输入项目,“←”可将当前输入的数据清零。
“→”可恢复原数值。
当高亮条所在的该行第二列有图案时,按“转换”键可将图案在“★”和“○”之间转换,“★”表示该项目在自动测试时进行测试,“○”表示在自动测试中该项不作测试。
按“确认”可将修改数据存盘,并返回上层菜单。
按“返回”即放弃修改结果返回开机菜单。
6.4在开机界面下:
按键盘数字“3”,可以设置测试参数。
液晶屏显示界面如下:
三极管设置条件
测试项目
测试条件
Vbe
Ib
mA
Hfe1
Vce
V
Ic
A
Hfe2
Vce
V
Ic
A
Iceo
Vce
V
Icbo
Vcb
V
Iebo
Veb
V
V(br)ceo
Ic
mA
V(br)cbo
Ic
mA
V(br)ebo
Ic
mA
Vces
Ic
A
Ib
mA
Vbes
Ic
A
Ib
mA
Vbc
Ib
mA
加温条件
Vce
V
Ic
A
T
S
此时可对当前被测三极管“测试条件设置表”进行检查或修改。
“↑”、“↓”可移动测试项目(高亮条),“←”可将当前项输入的数据清零。
“→”可恢复原数值。
按“确认”可将修改数据存盘,并返回上层菜单。
按“返回”即放弃修改结果返回开机菜单。
6.5在开机界面下:
按键盘数字“5”,可以对当前被测器件手动测试,液晶屏显示界面如下:
手动测试NPN器件3DD15
测试项目
测试结果
单位
Vbe
V
Hfe
倍
Iceo
uA
Icbo
uA
Iebo
uA
V(br)ceo
V
V(br)cbo
V
V(br)ebo
V
Vces
V
Vbes
V
Vbc
V
“↑”、“↓”可移动测试项目,按“测试”可对高亮条所在项测试,按“确认”或“返回”返回开机菜单。
6.6在开机界面下:
按键盘数字“6”,可以统计器件测试分析报告:
液晶屏显示界面如下:
显示测试统计报表
请输入需要统计的器件量:
100
如输入的“器件量”为100,表示所统计的器件是第1至第100个所测器件。
统计数字最多为250个。
(1).按“转换”按键,显示如下:
显示测试统计报表
请输入需要统计的器件量:
100
1.显示常温统计报表
2.显示高温统计报表
3.显示差值统计报表
4.返回上层菜单
A.按数字键“1”,显示常温统计报表,如下:
3DD15常温测试统计报表累计测试:
100次
项目
最小值
最大值
平均值
单位
Vbe
V
Hfe1
倍
Hfe2
倍
Iceo
uA
Icbo
uA
Iebo
uA
V(br)ceo
V
V(br)cbo
V
V(br)ebo
V
Vces
V
Vbes
V
Vbc
V
B.按数字键“2”,显示高温统计报表,如下:
3DD15高温测试统计报表累计测试:
100次
项目
最小值
最大值
平均值
单位
Vbe
V
Hfe1
倍
Hfe2
倍
Iceo
uA
Icbo
uA
Iebo
uA
V(br)ceo
V
V(br)cbo
V
V(br)ebo
V
Vces
V
Vbes
V
Vbc
V
C.按数字键“3”,显示差值统计报表,如下:
3DD15差值测试统计报表累计测试:
100次
项目
最小值
最大值
平均值
单位
Vbe
V
Hfe1
倍
Hfe2
倍
Iceo
uA
Icbo
uA
Iebo
uA
V(br)ceo
V
V(br)cbo
V
V(br)ebo
V
Vces
V
Vbes
V
Vbc
V
D.按数字键“4”,返回上层菜单;
E.按“打印”键可打印上述结果,按“确定”和“返回”键可返回上层菜单。
6.7在开机界面下:
按键盘数字键“7”,可以系统设置,液晶屏显示界面如下:
1.修改系统时间
2.系统打印设置
⑴修改系统时间:
按数字键“1”,液晶屏显示界面如下:
*001010101:
01:
01
年月日时分秒
修改完毕按“确认”键,返回开机菜单.
(2)系统打印设置:
按数字键“2”,液晶屏显示界面如下:
允许自动打印
按“转换”键,选择“允许自动打印”或“禁止自动打印”常态。
设置完毕按“确认”键返回开机菜单.
注意:
如果需要打印,请先连接好打印线,开启打印机,再开主机。
在测试前打印设置常态选择“允许自动打印”。
如果不需要打印,请在测试前打印设置常态选择“禁止自动打印”。
6.8在开机界面下:
按键盘数字“4”,液晶屏显示界面如下:
测试三极管3DD15
1.开始自动测试
2.浏览测试结果
3.打印测试条件
4.返回
按键盘数字“2”,可以浏览测试结果。
“↑”、“↓”可在测试时翻看前后记录,按“确认”或“返回”返回上层菜单。
按键盘数字“4”,返回上层菜单。
按“打印”键打印测试结果。
6.9在开机界面下:
按键盘数字“1”,可以新增库中器件型号:
液晶屏显示界面如下:
设定测试三极管型号
1.选择NPN器件型号
2.选择PNP器件型号
NPN3DD152000-01-0108:
08:
00
按数字键“1”或“2”,进入选择器件状态,显示界面如下:
选择NPN器件
输入1——250的器件序号
10
库中器件名称
3DD15
在第一行高亮条中输入所要增加的器件的排序号。
按“转换”键显示第二个高亮条,在第二高亮条内输入所要增加器件的型号。
如果在输入器件型号时,有连续2个字在同一个按键上,则在输入第二个字前先按一次“·”。
按“确认”键保存器件的序号和型号,自动转入测试条件和测试判据设置。
按“返回”键取消所作更改,返回开机菜单。
7.键盘布局如下:
1ABC
2DEF
3GHI
测试
打印
复位
4JKL
5MNO
6PQR
返回
↑
确认
7STU
8VWX
9YZ
←
转换
→
0
·
退格
↓
暂停
其中“1”到“9”、“0”为数字键,用于输入参数和菜单选择,“·”为数据输入中的小数点,“退格”键用于删除本行中输入的数字和字符的最后一个。
“确认”键用于对新增、设置或更改的数据进行保存,并返回上层菜单或进入下一级菜单。
“返回”按键用于取消或放弃当前所作的修改,并返回上层菜单。
“↑”、“↓”用来数据输入时转换输入焦点、输入项目或手动测试中转换被测项目。
“←”也称为“数据清零键”,可将当前输入的数据清零。
“→”也称为“数据复原键”,当发生数据错误改动时,按此键即可恢复原数值。
8.主机联电脑:
器件型号、测试时间、测试条件、失效判据、检测结果及器件编号,可通过电脑串行口保存在电脑中。
超标器件自动标识。
开机前请先把主机与电脑通过电脑串行线联机,然后
先开电脑,点新记录开始,再开主机,在测试前打印设置常态选择“允许自动打印”。
在开机界面下:
按键盘数字“4”,进入“器件自动测试”后,按键盘数字“3”,可通过电脑串行口保存器件型号、测试时间、测试条件、失效判据,然后进入自动测试。
8.根据部标确定热敏参数的测试条件(室温25℃)(内部参考资料)8.1失效判据的具体确定:
△VBE:
硅管PCM>9W,120mv—130mv。
PCM<9w,80mv—85mv。
锗管60mv—70mv
△hFE%:
30%—35%
ICEOH:
硅管:
PCM<500mw,1uA
PCM500mw—9w,10uA
PCM>9W,100uA
锗管:
根据实际要求设定
8.2加温条件的具体确定:
⑴、加温方式:
给三极管加瞬态超功率(VCE,IC),并保持一定时间,使三极管结温升高,达到温升目的。
⑵、加温VCE,IC和T的确定:
A:
VCE不能超过所加加温功率下的二次击穿电压,一般在BVCEO×70%以内选。
B:
通过多次调整VCE,IC和T的大小,使大部分器件的△VBE
测试结果满足:
PCM<9W:
△VBE50—60mV(硅管)
30—40mV(锗管)
PCM>9W:
△VBE90—100mV(硅管)
60—70mV(锗管)
注:
a:
fT600MHZ的高频小功率管,加温IC不可大于100mA。
b:
加温功率VCE,IC确定时,小电流高电压的晶体管,VCE可选得
大一些,IC可选得小一些;大电流低电压的晶体管IC可选得大一些。
c:
VCE,Ic和T越大,△VBE越大
d:
每次调整VCE,Ic和T的大小后,须换一只管子。
8.3测试条件的确定:
ICEO:
测试电压为部标VCE
VBE:
测试电流为IB
P>9W:
IB=10mA
P<9W:
IB=5mA
fT>500MHZ:
IB=3mA
hFE:
测试电压、电流为部标VCE、IC
加温:
确定施加功率脉冲、T取决于△VBE值
三极管筛选条件
型号
最佳加温条件
最佳失效判据
VCE
(V)
IC
(mA)
加温时间
(S)
△VBE(mV)
△hFE%
8050
18
110
2
80
35
C1008
18
180
3
80
25
3CG21(733)
25
100
3
80
25
3DG201
10
50
3.5
80
25
9015
15
50
3
80
25
3DD15
25
2500
2.5
120
25
SD1B
30
500
2.5
110
25
SC1B
20
200
2.5
110
25
3DF5
30
3000
3.5
120
25
9.常见故障排除
9.1打开电源,电源指示灯及LCD不显示,没有交流电或保险丝被熔断。
9.2打印机没有打印,请进入打印设置常态,按“转换”键,选择“打印”常态。
同类产品目录:
PTQ-9 多功能综合快速筛选台
PCT-5 二极管快速筛选台
PDW-5 稳压管快速筛选台
PCD-3 发光管快速筛选台
PLM-3 稳压器快速筛选系统
PQD-3 桥堆快速筛选台
PTQ-8A晶体管综合快速筛选台
PCT-5F二极管快速筛选台
杭州精源电子仪器有限公司
联系电话:
0571--82795250
- 配套讲稿:
如PPT文件的首页显示word图标,表示该PPT已包含配套word讲稿。双击word图标可打开word文档。
- 特殊限制:
部分文档作品中含有的国旗、国徽等图片,仅作为作品整体效果示例展示,禁止商用。设计者仅对作品中独创性部分享有著作权。
- 关 键 词:
- JY3 晶体管 测试仪 技术 说明书