《模拟电子技术基础》习题参考答案.docx

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《模拟电子技术基础》习题参考答案

《模拟电子技术基础》习题及参考答案

一、填空题：

1.半导体中有自由电子和空穴两种载流子参与导电。

2.半导体中由漂移形成的电流是反向电流，它由少数载流子形成，其大小决定于温度，而与外电场无关。

3.PN结的P型侧接高电位，N型侧接低电位称为正向偏置（正偏），反之称为反向偏置（反偏）。

4.PN结最重要的特性是单向导电性，它是一切半导体器件的基础。

在NPN型三极管中，掺杂浓度最大的是发射区。

5.晶体三极管因偏置条件不同，有放大、截止、饱和三种工作状态。

6.晶体三极管的集电极电流Ic=βIB所以它是电流控制元件。

7.工作在放大区的晶体管，当IB从10μA增大到20μA，IC从1mA增大到2mA，它的β为100，α为1。

8.通常晶体管静态工作点选得偏高或偏低时，就有可能使放大器的工作状态进入饱和区或截止区，而使输出信号的波形产生失真。

9.测得某正常线性放大电路中晶体管三个管脚x、y、z对地的静态电压分别为6.7伏、2.4伏、1.7伏，则可判断出x、y、z分别为三极管的集电（C）极、基（B）极、发射（E）极。

10.一只晶体管在放大电路中，用万用表测出管脚对地电压分别是：

A脚为12伏，B脚为11.7伏，C脚为6伏，则该管为PNP型锗管，A为发射（E）极，B为基（B）极，C为集电（C）极。

11.稳压二极管工作在反向击穿区，主要用途是稳压。

12.稳压二极管稳压时是处于反向偏置状态，而二极管导通时是处于正向偏置状态。

13.晶体管电流放大系数是频率的函数，随着频率的升高而下降。

共基极电路比共射极电路高频特性好。

14.场效应管的输出特性曲线可分为三个区：

分别是可变电阻区、恒流区、击穿区。

15.电子线路中常用的耦合方式有直接耦合和电容耦合。

16.通常把与信号源相连接的第一级放大电路称为输入级，与负载相连接的末级放大电路称为输出级，它们之间的放大电路称为中间级。

17.某放大电路空载输出电压为4V，接入3KΩ负载后，输出电压变为3V，该放大电路的输出电阻为1KΩ。

18.为了稳定三极管放大电路静态工作点，采用直流负反馈。

为稳定交流输出电压，采用电压负反馈，为了提高输入电阻采用串联负反馈。

19.负反馈使放大电路增益下降，但它可以扩展通频带，减少失真。

20.负反馈放大电路产生自激振荡的幅值平衡条件是，

1.相位平衡条件是△фAF=±（2n+1）π其中n=整数。

21.反馈系数F=Xf/Xo；反馈深度是1+AF。

22.在差动放大电路中，若Ui1=20mV,Ui2=0mV，则电路的差模输入电压为20mV，共模输入电压为10mV。

23.差分放大电路能够抑制共模信号，放大差模信号。

24.衡量一个差动放大电路抑制零漂能力的最主要指标是共模抑制比（KCMR）。

25.按照通带与阻带的相相互位置不同，有源滤波电路通常可分为以下几类低通滤波器（LPF）、高通滤波器（HPF）、带通滤波器（BPF）、带阻滤波器（BEF）和全通滤波器（APF）。

26.乙类功率放大器在理论上最高效率为78.5%，它存在的主要问题是交越失真。

27.低频功率放大电路常采用乙类工作状态来降低管耗，提高输出功率和效率。

28.整流电路的目是将交流变为直流。

29.OCL电路是双电源互补功放，OTL是单电源互补功放。

30.在桥式整流电阻负载时，理想二极管承受的最高反压是√2U2。

二、选择题：

1．P型半导体中的多子是（B）。

A．负离子B．空穴C．正离子D．电子

2.N型半导体是在本征半导体中加入以下物质后形成的（D）。

A.电子B．空穴C．三价硼元素D．五价磷元素

3.P型半导体是在本征半导体中加入（C）物质后形成的

A．电子B.空穴C.三价硼元素D.五价磷元素

4.PN结加正向电压时，其正向电流是由（A）的。

A．多数载流子扩散而成B．多数载流子漂移而成

C．少数载流子扩散而成D．少数载流子漂移而成

5．当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为（B）。

A．前者反偏、后者也反偏B．前者正偏、后者反偏

B．前者正偏、后者也正偏D．前者反偏、后者正偏

6．在某放大电路中，测得三极管三个电极的静态电位分别为UBQ=-3.3V，

UCQ=-6V，UEQ=-3.1V，则这只三极管是（D）。

A．NPN型硅管B．NPN型锗管C．PNP型硅管D．PNP型锗管

7.测得三极管各电极对地的电位分别为VC=6V，VB=-0.6V，VE=0V,该三极管工作

状态为（B）。

A.放大状态B.截止状态C.饱和状态D.击穿状态

8.某放大电路中，测得三极管的三个极静态电位分别为5V，1.3V,1V,

则这只三极管是（B）。

A.NPN型的硅管B.NPN型的锗管C.PNP型的硅管D.PNP型的锗管

9.共集电极放大电路（射极输出器）的主要特点是（C）。

A.电压放大倍数小于1，输入电阻小、输出电阻大

B.电压放大倍数大于1，输入电阻小、输出电阻大

C.电压放大倍数小于1，输入电阻大、输出电阻小

D.电压放大倍数大于1，输入电阻大、输出电阻小

10.图示放大电路中，T1、T2分别是（B）接法。

A．共集-共基B．共射-共集C．共射-共基D．共集-共射

11．设硅稳压管VDZ1和VDZ2的稳定电压分别为5V和8V，正向压降均为0.7V，

可求出图中电路的输出电压Uo为（C）。

A.4.3VB．8VC．5VD．0.7V

12.硅稳压管在稳压电路中稳压时，工作在（B）状态。

A.正向导通状态B.反向电击穿状态

C.反向截止状态D.反向热击穿状态

13.场效应管实质上是一个（C）。

A.电流控制电流源器件B．电流控制电压源器件

B.电压控制电流源器件D．电压控制电压源器件

14.为稳定输出电压、增大输入电阻，应引入（A）负反馈。

A.电压串联B．电压并联C．电流串联D．电流并联

15.如果希望减小放大电路从信号源获取的电流，同时希望增加该电路的带负载能力，则应引入（D）。

A.电流并联负反馈B．电压并联负反馈

B.电流串联负反馈D．电压串联负反馈

16.负反馈所能抑制的干扰和噪声是（B）。

A．输入信号所包含的干扰和噪声B．反馈环内所包含的干扰和噪声

C．反馈环外所包含的干扰和噪声D．输入信号中的干扰和噪声

17．负反馈放大电路产生自激振荡的条件为（B）。

A．B．C．D．

18．图示的负反馈放大电路中，级间反馈的

反馈类型是（D）负反馈。

A.电流并联

B.电压并联

C.电流串联

D.电压串联

19.差分放大器是一种直接耦合放大器，它（D）。

　A.只能放大直流信号　　　　　　B.只能放大交流信号

　C.不能放大交流信号　　　　　　D.可以抑制共模信号

20.双端输出的差动放大电路能抑制零点漂移的主要原因是（B）。

A.电压放大倍数高B．电路和参数对称性好

C．输入电阻大D．采用了双极型电源

21.为更好的抑制零漂，集成运放的输入级大多采用（C）。

A.直接耦合电路B.阻容耦合电路

C.差动放大电路D.反馈放大电路

22.差动放大电路用电流源代替长尾电阻Re是为了（D）。

A.提高差模电压增益B.提高共模电压增益

C.提高输入电阻D.提高共模抑制比

23.为了减小温度漂移，通用型运放的输入级大多采用（A）。

A．差动放大电路B．共集电路

C．共射电路D．OCL互补对称功放电路

24.如图所示的互补对称功放电路中，所采用的三极管应是（D），

才能正常工作。

A．为PNP，为PNP；

B.为NPN，为NPN；

C.为PNP，为NPN；

D.为NPN，为PNP。

25.OCL互补对称功放电路中，引起交越失真的原因是（D）。

A．输入信号大B．三极管的电流放大系数太大

B．工作电源电压太高D．三极管输入特性非线性

26.在甲乙类放大电路中，放大管的导通角为（D）。

A．180oB．360o

B．270oD．介于180o和360o之间

27.与甲类功率放大器比较，乙类功率放大器的主要优点是（C）。

A.不用输出变压器B．不用输出大电容

C．效率高D．无交越失真

28.某滤波电路的频率特性为，该电路是（A）。

A．低通滤波器B．高通滤波器C．带通滤波器D．带阻滤波器

29.下列选项中,（C）不是直流电源的组成部分。

A.变压器B.整流电路C.放大器D.稳压电路

30.半波整流电路中，设输入电压的有效值为，则负载电阻上平均电压等于（B）。

A．B．C．D．

31.图示理想运放的输出电压U0为（　C　　）。

A．－6VB．－12V

C．＋12VD．＋6V

32．共射极放大电路的交流输出波形上半周失真时为（B）失真。

共射极放大电路的交流输出波形下半周失真时为（A）失真。

A．饱和B．截止C．交越D．频率

三、分析画图题：

1、电路如图所示，已知ui＝5sinωt（V），二极管导通电压UD＝0.7V。

试画出ui与uO的波形，并标出幅值。

2、如图所示电路中场效应管的转移特性和输出特性分别如图（b）（c）所示，

利用图解法求解Q点。

3、电路如图所示。

（1）合理连线，接入信号源和反馈，使电路的输入电阻增大，输出电阻减小；

解：

（1）应引入电压串联负反馈，如解图所示。

4、电路如图所示。

合理连线，构成5V的直流电源。

解：

1接4，2接6，5接7、9，3接8、11、13，10接12。

如解图所示。

四、综合计算题

1、如图所示电路中，β＝100，，试计算：

1）．放大电路的静态工作点；

2）．画出放大电路的微变等效电路；

3）.求电压放大倍数Au、输入电阻Ri和输出电阻Ro。

解：

1）．

2）.略

3）．

2、电路如图所示，晶体管的β＝100，=100Ω。

（1）求电路的Q点、电压放大倍数Au、输入电阻Ri和输出电阻Ro；

（2）若电容Ce开路，则将引起电路的哪些动态参数发生变化？

如何变化？

解：

（1）静态分析：

动态分析：

（2）Ri增大，Ri≈4.1kΩ；

3、设计一个比例运算电路，要求输入电阻Ri＝20kΩ，比例系数为－100。

解：

可采用反相比例运算电路，电路形式如图所示。

R＝20kΩ，Rf＝2MΩ。

4、电路如图所示，试求：

（1）输入电阻；

（2）比例系数。

5、如图所示电路中，已知VCC＝15V，T1和T2管的饱和管压降│UCES│＝1V，集成运放的最大输出电压幅值为±13V，二极管的导通电压为0.7V。

（1）若输入电压幅值足够大，则电路的最大输出功率为多少？

（2）为了提高输入电阻，稳定输出电压，且减小非线性失真，应引入哪种组态的交流负反馈？

画出图来。

（3）若Ui＝0.1V时，Uo＝5V，则反馈网络中电阻的取值约为多少？

6、如图所示电路中T1和T2管的饱和管压降│UCES│＝2V，导通时的│UBE│＝0.7V，输入电压足够大。

（1）A、