半导体设备维修心得体会2.docx
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半导体设备维修心得体会2
设备维修心得体会
设备维修工作是一项技术性很强的工作,今天叫我谈谈维修工作的一些体会、技术,我也谈不出什么东西,只是谈谈我在设备维修工作中一些心得体会,和大伙儿进行交流,仅供大伙儿参考,有错误的地址请大伙儿指出。
我所讲的这些,只是起一个抛砖引玉作用,希望大伙儿能将平常在设备维修工作中积存的好体会、好方式展现给大伙儿,彼此交流、彼此学习,一起提高。
今天的介绍分为
(一)设备维修人员大体要求
(二)设备维修大体方式(三)几种经常使用器件好坏判别(四)如何读图,大体电路分析(五)几个维修实例5个部份。
一.设备维修人员大体要求
设备维修是技术性很强的一项工作,此刻很多大学设有设备维修专业。
专门对大学生教授设备维修方面的专门知识,研究设备维修新方式、新思路、新设备。
咱们公司的大部份设备是日本、美国等外国生产的设备,一样是上世纪80年代后的产品,大多采纳了微机操纵、可编程操纵器、机电一体化、高真空、高能粒子磁控等等技术,技术相当复杂。
这就要求维修人员要有相当的微机、机电一体化、光学、真空的取得和测量、高能粒子等等基础知识。
设备维修是一项枯燥的工作,又是艰苦工作。
每天确实是给故障设备治病,有时面对故障,束手无策。
乃至很长时刻找不到故障的确切缘故。
这就需要设备维修人员要有敬业精神,爱岗敬业,
坚忍不拔,孜孜不倦,刻苦探讨。
设备维修是一门不断进展、不断更新的应用技术。
设备维修技术是由二部份组成:
基础理论和实践体会的积存融合。
基础理论知识固然重要,如何灵活应用基础知识正确分析错综复杂故障现象,如何能迅速准确判定故障缘故,这就要求咱们在维修工作中不断总结,不断提高。
要将现场维修通过自己加工提升,变成自己的体会积存。
同时,由于科学技术的飞速进展,各类新工艺、新器件、新材料、新技术不断涌现,这就要求咱们不断学习,不断充电,用新知识、新技术不断充实自己,刷新自己。
设备显现的故障各式各样,错综复杂,而咱们每一个人发觉问题分析问题的方式都有其局限性,不免有时会陷入束手无策、进退维谷的窘境。
若是咱们大伙儿团结协作,各抒己见,扬长避短,许多问题不难解决。
这就需要咱们维修人员要有团队精神、协作精神。
二.设备维修的大体方式
设备维修人员和医生差不多,确实是给设备治病。
碰到设备显现故障,第一是
1.认真观看,大体确信故障范围。
一台设备坏了,第一要认真的看,认真的闻。
有无电子元件烧坏,如电阻烧变形,保险丝烧断,电解电容器电解液冒出来了,有无焦糊味………等等。
元器件烧坏只是故障现象,用一样规格元器件改换烧坏元器件,有时能解决问题,有时还会继续烧。
通过认真观看,大体确信故障范围,继续寻觅故障的全然缘故。
2.清除设备各部件的沉积的尘埃,以使各电路板、接插件连接良好。
a.咱们公司的设备平常保护保养做的比较差,设备内部积灰严峻,在通电之前,必需去除设备内部的尘埃。
五寸工厂可能好一点,四寸工厂设备内部积灰比较普遍。
例如四寸的探针台、运算机测试系统确实是如此。
建议设备内部每一年要做一次除尘,用吸尘器或干燥的紧缩空气除去设备内部尘埃。
若是设备内部大量积灰,尘埃又吸收空气中的水分,造成设备内部漏电、短路,或阻碍高频电路的散布参数,严峻阻碍设备的平安运行。
b.检查各连接插头是不是接触良好。
咱们检修的设备大多是二手设备,一样运行了一、二十年,许多插头、连接器存在接触不良。
咱们要认真将各插头、连接器用触点清洗剂、无水乙醇清洗干净,去除氧化层。
有的插头插座和电路板连接的焊脚显现氧化虚焊,需要去除氧化层,用烙铁从头焊一遍,排除虚焊接触的隐患。
去年四寸的减薄机故障,显示器显示内容不对,要紧缘故是电缆连接插座的焊脚和电路板氧化虚焊。
最近,四寸一台探针台步进电机在AUTO方式,步进电机不能正常运行,也是由于虚焊引发。
3.通电检查操纵系统的各路供电电压,测量有关器件工作点并综合分析,缩小故障查找范围。
前,要查清楚设备的供电电压,万万不能弄错。
110V不能插到220V,幸免造成更大故障。
TTL数字电路、微机操纵部份电压5V±。
CMOS数字电路供电电压有5V,9V,12V,15V……
运算放大器供电电压有单电源供电5V,12……等等,双电源供电电压有±6V,±12V,±15V等等。
继电器供电电压有5V,6V,12V,等等。
电源电压正常是设备正常运行的最大体条件,这是设备维修的一个重点。
咱们平常维修的设备故障60%以上是电源故障。
在电源故障中,由于咱们的设备很多已利用了十年以上,电解电容电解液干枯,电容量变小,漏电增加,退耦能力减少,以至很多微机运行进程不稳固,常常死机,咱们第一要检查的应该是+5V±电源,这一点咱们不能轻忽。
d.对单板机、单片机它的信号传送、检测、处置都是动态进行的,维修比较困难。
若是单板机、单片机显现故障,咱们第一检查其供电电压、CPU的复位电路、时钟振荡电路。
时钟脉冲可用示波器检测,读出其频率、脉宽、占空比是不是符合CPU要求。
检测有关TP点信号波形,以便分析对照。
若是对某一块电路板疑心,可用备用板或一样的电路板替换,看看结果有无转变。
电路板替换,IC替换,这是经常使用的一种维修方式。
e.对线性电路,无非是由一些晶体管、电阻、电容、运算放大器组成。
咱们可通过测量关键器件的工作点来判定。
晶体管工作在线性状态,EB压降大致为伏,BC结必然为反偏。
晶体管工作在开关状态,EB结也为反偏,可为—不等,该电压由占空比和脉冲频率决定。
若是某一晶体管工作点不正常,先用数字万用表粗略判定晶体管,再查其偏置电路。
若是偏置电路没有问题,应将晶体管卸下来,再用QT-2测一下BVceo、Icbo、Iceo,万用表测晶体管只是大致判定。
准确判定晶体管好坏,应用QT-2检测。
运算放大器的大体功能和晶体管相似,可工作在线性放大状态,也可工作在开关状态。
运放工作在放大状态,二个输入端压降很小,有的几乎一样。
输出电压在正负电源之间,并和正负电源有必然压差。
运放工作在开关状态,二个输入端压降较大,输出不是接近正电源,确实是接近负电源。
关于单运放判定其好坏,能够自己做一个测试工具,如以下图A:
在万用面包板焊一个8脚IC插座,按图焊上电阻、电位器。
将IN端接地,调W1,输出为零。
若是IN端接1V电压,OUT端取得2V电压,那么那个运放是一个好运放。
图A是比例放大器。
U1工作在线性放大状态。
或按图B在面包板上IC插座
在U3、U4二个IC插座插上uA741,或管脚和741一样的运算放大器,加电后,若是在TP1端显现方波,在TP2端显现三角波,那么这二个运放是好的,不然对应的运放不是好的。
从图B中看出U3有二个反馈网络,R3、W1组成正反馈,积分器U4和R2相移回路。
TP1输出方波,TP2输出三角波。
U3、U4工作在开关状态。
图B
f.对74系列4000系列IC好坏判定,可用编程器检测。
3.有的操纵器工作不稳固,专门是微机操纵器,工作进程中时好时坏,常常死机。
操纵器工作一段时刻,关机冷却,再开机还能工作。
单独检查各个IC,都没有发觉问题。
这种故障往往是由于微机工作年代长,元器件性能老化,工作电流增加,系统发烧量增加,局部区域工作环境温度太高,若是对电路板加大吹风散热,降低局部工作环境的温度,往往能够解决问题。
(三)几种经常使用器件的好坏判别。
(1)SCR可控硅是咱们接触得比较多的器件。
一、可控硅的工作原理
可控硅是可控硅整流器的简称。
它是由三个PN结四层结构硅芯片和三个电极组成的半导体器件。
图3-29是它的结构、外形和图形符号。
图
塑封模块
可控硅的三个电极别离叫阳极(A)、阴极(K)和操纵极(G)。
当器件的阳极接负电位(相对阴极而言)时,从符号图上能够看出PN结处于反向,具有类似二极管的反向特性。
当器件的阳极上加正电位时(假设操纵极不接任何电压),在必然的电压范围内,器件仍处于阻抗很高的关闭状态。
但当正电压大于某个电压(称为转折电压)时,器件迅速转变到低阻通导状态。
加在可控硅阳极和阴极间的电压低于转折电压时,器件处于关闭状态。
现在若是在操纵极上加有适当大小的正电压(对阴极),那么可控硅可迅速被激发而变成导通状态。
可控硅一旦导通,操纵极便失去其操纵作用。
确实是说,导通后撤去栅极电压可控硅仍导通,只有使器件中的电流减到低于某个数值或阴极与阳极之间电压减小到零或负值时,器件才可恢复到关闭状态。
图3-30是可控硅的伏安特性曲线。
图中曲线I为正向阻断特性。
无操纵极信号时,可控硅正向导通电压为正向转折电压(UB0);当有操纵极信号时,正向转折电压会下降(即能够在较低正向电压下导通),转折电压随操纵极电流的增大而减小。
当操纵极电流大到必然程度时,就再也不显现正向阻断状态了。
曲线Ⅱ为导通工作特性。
可控硅导通后内阻很小,管子本身压降很低,外加电压几乎全数降在外电路负载上,并流过比较大的负载电流,特性曲线与二极管正向导通特性相似。
假设阳极电压减小(或负载电阻增加),致使阳极电流小于维持电流IH时,可控硅从导通状态当即转为正向阻断状态,回到曲线I状态。
曲线Ⅲ为反向阻断特性。
当器件的阳极加以反向电压时,尽管电压较高,但可控硅可不能导通(只有很小的漏电流)。
只有反向电压达到击穿电压时,电流才突然增大,假设不加限制器件就会烧毁。
正常工作时,外加电压要小于反向击穿电压才能保证器件平安靠得住地工作。
可控硅的重要特点是:
只要操纵极中通以几毫安至几十毫安的电流就能够够触发器件导通,器件中就能够够通过较大的电流。
利用这种特性可用于整流、开关、变频、交直流变换、电机调速、调温、调压及其它自动操纵电路中。
二、可控硅的要紧技术参数
1.正向阻断峰值电压(VPFU)
是指在操纵极开路及正向阻断条件下,能够重复加在器件上的正向电压的峰值。
此电压规定为正向转折电压值的80%。
2.反向阻断峰值电压(VPRU)
它是指在操纵极断路和额定结温度下,能够重复加在器件上的反向电压的峰值。
此电压规定为最高反向测试电压值的80%。
3.额定正向平均电流(IF)
在环境温度为+40C时,器件导通(标准散热条件)可持续通过工频(即指供电网供给的电源频率.一样为50Hz或60Hz,我国规定为50Hz)正弦半波电流的平均值。
4.正向平均压降(UF)
在规定的条件下,器件通以额定正向平均电流时,在阳极与阴极之间电压降的平均值。
5.维持电流(IH)
在操纵极断开时,器件维持导通状态所必需的最小正向电流。
6.操纵极触发电流(Ig)
阳极与阴极之间加直流6V电压时,使可控硅完全导通所必需的最小操纵极直流电流。
7.操纵极触发电压(Ug)
是指从阻断转变成导通状态时操纵极上所加的最小直流电压。
一般小功率可控硅参数见表3-lO。
表3-10 一般小功率可控硅参数
型号
额定正向平均电流
(A)
正向阻断峰值电压
(V)
反向阻断峰值电压
(V)
最大
正向平均压降
(V)
维持
电流
(mA)
控制极
触发电压
(V)
控制
极电流
(mA)
控制极最大允许正向电压
(V)
3CT1
1
30~3000
30~3000
<20
<
<20
10
3CT5
5
30~3000
30~3000
<40
<
<50
10
3CT10
10
30~3000
30~3000
<60
<
<70
10
3CT20
20
30~3000
30~3000
<60
<
<71
10
*正向阻断峰值电压及反向阻断峰值电压在30~3000范围内分档。
三、多种用途的可控硅
依照结构及用途的不同,可控硅已有很多不同的类型,除上述介绍的整流用一般可控硅之外还有;①快速可控硅。
这种可控硅能够工作在较高的频率下,用于大功率直流开关、电脉冲加工电源、激光电源和雷达调制器等电路中。
②双向可控硅。
它的特点是能够利用正的或负的操纵极脉冲,操纵两个方向电流的导通。
它要紧用于交流操纵电路,如温度操纵、灯光调剂及直流电极调速和换向电路等。
③逆导可控硅。
要紧用于直流供电车辆(如无轨电车)的调速。
④可关断可控硅。
这是一种新型可控硅,它利用正的操纵极脉冲可触发导通,而用负的操纵极脉冲能够关断阳极电流,恢复阻断状态。
利用这种特性能够做成无触点开关或用于直流调压、电视机中行扫描电路及高压脉冲发生器电路等。
可控硅的用途很普遍,下面仅举两例来讲明可控硅电路的工作进程。
图3-31是采纳双基极管的可控硅调压电路,D1~D2组成全波桥式整流电路。
BG双基极管组成可控硅的同步触发电路(是一个张弛振荡器)。
整流电压经电阻R1降压后加在A、B两点。
整流后脉动电压的正半周通过R4、W向电容C充电,当充电电压达到双基极管峰点电压UP时,BG由截止转为导通,电容C通过b1e结及R。
迅速放电,其放电电流在R。
上产生一个尖脉冲,成为触发可控硅(SCR)极的触发信号,从而致使可控硅导通。
可控硅导通后其正向压降很低,因此张弛振荡器即停止工作,电源电压过零时(由于无滤波电容,故为单向脉动电压)可控硅就自动关断。
待下一个正半周到来时,电容C又充电,重复上述进程。
因此串联于整流电路的负载RL上就取得~个受控的脉冲电压。
电容C的充电速度与R4、、W及C的乘积有关,因此调剂W之值,即能改变电容C充电到U,值的时刻.也就能够够改变可控硅的导通时刻,从而改变了负载上电压的大小。
图3-32是一种利用可控硅做成的感应(接近)开关。
它是利用人体电容和电阻与电路上电容C1,并联促使氖管N导通点燃,从而在电阻R1上产生可控硅的触发信号,使可控硅导通,点着串于可控硅电路里的灯泡。
也可在电路里串接继电器,带动其他电器装置的开启或关闭。
咱们用得多的是扩散炉,也是利用可控硅的调压功能。
操纵器通过改变可控硅的导通时刻宽度自动调剂炉丝两头电压,维持炉体内部温度稳固。
如上图是可控硅触发电路,Vi输出脉宽转变的脉冲串,SSR两个触点吸合的时刻长短也随之转变。
触点吸合时,W1上正下负,上端正电位通过R0一、G一、SSR、G2抵达W1的触发极,W1导通,W2没有正向触发电压而截止。
若是W1电位是上负下正,那么正电位通过R0二、G二、SSR、G1抵达W2的触发极,W2导通,W1没有触发电流而截止。
若是改成以下图连接,W1的触发信号没有限流电阻,70多伏的电压经SSR直接加到W1的触发极,触发电流专门大,W一、SSR将被烧坏。
W2没有触发信号,不可能导通。
四、用万用表检查可控硅的好坏
1.判定可控硅的电极
小功率可控硅的电极从外形上能够不同,一样阳极为外壳,阴极线比操纵极引线长,如图3-29所示。
若是其它型式的封装,不知电极引线时能够用万用表的电阻档进行判别。
从可控硅的结构图上能够看出,阴极与操纵极之间有一个PN结,而阳极与操纵极之间有两个反向串联的PN结。
用电表R×100档先测出操纵极。
方式是将负表笔试接某一电极,正表笔依次碰触另外两个电极,假设有一次阻值很小(约几百欧姆),另一次阻值专门大(约几千欧姆),说明负表笔接的正是操纵极(G)。
在阻值小的那次测量中,接正表笔的一端是阴极(C或K),阻值大的那次,接正表笔的是阳极(A);假设两次测出的阻值均专门大,说明负表笔接的不是操纵极,应改换另外一个电极,重复上述判别.
2.检查可控硅的好坏
关于一个良好的可控硅应包括以下内容:
①三个PN结均是良好的;②可控硅反向电压时能够阻断,不导通;⑧可控硅正向在操纵极开路时能够阻断;④若是操纵极加了正向电流,而阳极加正向电压时可控硅能够导通,且撤去操纵极电流后仍能维持导通。
关于前三项能够通过测量极间电阻的方式判别,后一条要进行导通实验。
(1)测极间电阻。
用万用表电阻档测阳极与操纵极之间、阳极与阴极之间的电阻。
注意,宜用电表电阻最高级,阻值均应很高。
如阻值很小,并用低阻档再量阻值仍较小,说明可控硅已击穿、管子是坏的。
阳极和阴极之间的正向电阻值(即阳极接负表笔,阴极接正表笔时阻值),反映可控硅正向阻断特性,阻值愈大,表示正向漏电流愈小。
阳极与阴极之间的反向阻值反映可控硅的反向阻断特性,阻值愈大,表示反向漏电流愈小。
测操纵极与阴极之间的电阻。
用R×10或R×100档测量为宜。
若是正向电阻(操纵极接负笔,阴极接正笔)极大,接近∞处,表示操纵极与阴极之间已经烧毁,管子已坏。
至于反向电阻应专门大,只是有些管子操纵极与阴极之间的反向电阻并非太高,这也是正常的。
表3-11给出测量3CT5B可控硅的G、C极间电阻数据,供参考。
表3-11 3CT5可控硅G、C极间电阻值
表笔接法
万用表档次
Aeq\o\ac(○,-)
Ceq\o\ac(○,+)
Aeq\o\ac(○,+)
Ceq\o\ac(○,-)
Geq\o\ac(○,-)
Ceq\o\ac(○,+)
Geq\o\ac(○,+)
Ceq\o\ac(○,-)
Aeq\o\ac(○,-)
Geq\o\ac(○,+)
Aeq\o\ac(○,+)
Geq\o\ac(○,-)
R×1
—
—
45Ω
—
—
—
R×10
—
—
120Ω
—
—
—
R×1K
—
—
Ω
100KΩ
—
—
R×10K
—
—
2KΩ
50KΩ
—
—
(2)导通实验。
利用万用表的直流电流档(100mA档或更大些电流档),需外加6V直流电源,按图3-33所示电路接好。
先不合开关K,现在电流表指示应很小(正向阻断),当K闭合时电流应有100mA左右。
电流假设很小说明管子正向压降太大或已损坏。
再断开K,电表指示应仍为100mA左右大体上无转变。
切断6V电源再一次重复上述进程,如一切同前表示管子导通性能是良好的。
在没有万用表时,用小灯泡代替电表也能够,导通时灯泡亮。
(3)用QT-2测可控硅靠得住准确。
阳极A接C插孔,阴极K接E插孔,触发极G接B插孔,依照可控硅技术条件设置测试要求。
(2)单结晶体管
单结晶体管的结构和电路符号如图3-34所示。
因为它只有一个PN结,因此称为单结晶体管。
但由于它有两个基极,故又称双基极二极管。
它的外形与三极管相似,也有三尽管脚,其中一个是发射极(e),另外两个是基极(b1和b2)。
它是一种具有负阻特性的器件(电流增加而电压降反而减小的特性)。
图3-35是它的伏安特性曲线及等效电路。
双基极管可组成弛张振荡器、自激多谐振荡器和按时延时等电路,具有电路结构简单、热稳固性好等优势。
从双基极管的伏安特性能够看清其工作原理。
当两基极b1、b2间加上电压Ubb时(参见典型应用电路(图3-36),等效电路中A点电压为
式中可称为单结管的分压比,是由管子内部结构所决定的,一样为~之间。
输入电压U<ηUbb时,发射极与基极之间的PN结处于反向偏置,管子截止,电流很小。
当输入电压Ube>ηUbb+UD时,(UD为二极管正向压降约为PN结正向导电,Ie明显增加,rbl阻值迅速减小,Ue相应下降。
这种电压随电流增加反而下降的特性确实是双基极管的负阻特性。
管子由截止区进入负阻区的交壤点称为峰点。
与其对应的发射极电压和电流别离称为峰点电压VP和峰点电流IP,显然UP≈ηUbb。
随着发射极电流Ie不断增加,Ue不断下降,降至某一点时再也不下降了,这一点称为谷点。
谷点以后管子特性进入了饱和区。
与谷点对应的发射极电压Uu与发射极电流Iu别离称为谷点电压和谷点电流。
显然Uu是维持单结管导通的最小发射极电压,只要Ue>Uu管子又会从头截止。
特性进入饱和区后,发射极与第一基极间的电流达到饱和状态,因此Ue继续增加时,Ie增加不多。
用双基极管组成弛张振荡器的元件作用及其取值可参照表3-12.
表3-12 弛张振荡器的元件作用及取值
电路元件
取 值 范 围
作 用
R1(Ω)
10kΩ~3MΩ
过大,过小电路均不能起振
R2(Ω)
200Ω~600Ω
用作温度补偿
R3(Ω)
50Ω~1000Ω
影响输出脉冲幅度与宽度
C(μF)
~μF
影响输出脉冲频率与脉宽
振荡频率能够通过改变R1和C的数值来调整,R1和C越小振荡频率越高.振荡周期能够用以下近似公式计算:
式中:
㏑为自然对数,η为管子分压比(手册上可查到)。
(3)GTR
电力晶体管也称巨型晶体管(GTR:
GiantTransistor),GTR是一种电流操纵的双极双结大功率、高反压电力电子器件,具有自关断能力,产生于本世纪70年代,其额定值已达1800V/800A/2kHz、1400v/600A/5kHz、600V/3A/100kHz。
它既具有晶体管饱和压降低、开关时刻短和平安工作区宽等固有特性,又增大了功率容量,因此,由它所组成的电路灵活、成熟、开关损耗小、开关时刻短,在电源、电机操纵、通用逆变器等中等容量、中等频率的电路中应用普遍。
GTR的缺点是驱动电流较大、耐浪涌电流能力差、易受二次击穿而损坏。
在开关电源和UPS内,GTR正慢慢被功率MOSFET和IGBT所代替。
它的符号如图1,和一般的NPN晶体管一样。
封装都是塑封模块形式。
图1电力晶体管的符号
GTR的大体特性
A.静态特性
共发射极接法时的典型输出特性:
截止区、放大区和饱和区。
在电力电子电路中GTR工作在开关状态,即工作在截止区或饱和区。
在开关进程中,即在截止区和饱和区之间过渡时,要通过放大区。
B.动态特性
开通进程:
延迟时刻td和上升时刻tr,二者之和为开通时刻tn。
td主若是由发射结势垒电容和集电结势垒电容充电产生的。
增大ib的幅值并增大dib/dt,可缩短延迟时刻,同时可缩短上升时刻,从而加速开通进程。
关断进程:
贮存时刻ts和下降时刻tf,二者之和为关断时刻toff。
ts是用来除去饱和导通时贮存在基区的载流子的,是关断时刻的要紧部份。
减小导通时的饱和深度以减小贮存的载流子,或增大基极抽取负电流Ib2的幅值和负偏压,可缩短贮存时刻,从而加速关断速度。
负面作用是会使集电极和发射极间的饱和导通压降Uces增加,从而增大通态损耗。
GTR的开关时刻在几微秒之内,比晶闸管和GTO都短很多。
的要紧参数
GTR的要紧参数有:
电流放大倍数b、直流电流增益hFE、集射极间漏电流Iceo、集射极间饱和压降Uces、开通时刻ton和关断时刻toff。
另外还有:
最高工作电压
GTR上电压超过规定值时会发生击穿。
击穿电压不仅和晶体管本身特性有关,还与外电路接法有关:
BUcbo>BUcex>BUces>BUcer>Buceo
实际利历时,为确保平安,最高工作电压要比BUceo低得多。
集电极最大许诺电流IcM
通常规定为hFE下降到规定值的1/2~1/3时所对应的Ic。
实际利历时要留有裕量,只能用到IcM的一半或稍多一点。
集电极最大耗散功率PcM
最高工作温度下许诺的耗散功率GTR的二次击穿现象与平安工作区。
1)一次击穿
集电极电压升高至击穿电压时,Ic迅速增大,显现雪崩击穿。
只要Ic不超过限度,GTR一样可不能损坏,工作特性也不变。
2)二次击穿
一次击穿发生时Ic增大到某个临界点时会突然急剧上升,并伴随电压的陡然下降。
常常当即致使器件的永久损坏,或工作特性明显衰变。
3)平安工作区(SafeOperatingArea——SOA)
最高电压UceM、集电极最大电流IcM、最大耗散功率PcM、二次击穿临界限限定。
(4)IGBT
IGBT是绝缘栅双极晶体管的代号。
IGBT简称绝缘门栅极晶体管(缩写IGT)。
它是将MOSFET和GTR集成在一个芯片上的复合器
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