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ads滤波器仿真实验报告
一.滤波器的基本原理
滤波器的基础是谐振电路,它是一个二端口网络,对通带内频率信号呈现匹配传输,对阻带频率信号失配而进行发射衰减,从而实现信号频谱过滤功能。
典型的频率响应包括低通、高通、带通和带阻特性。
镜像参量法和插入损耗法是设计集总元件滤波器常用的方法。
对于微波应用,这种设计通常必须变更到由传输线段组成的分布元件。
Richard变换和Kuroda恒等关系提供了这个手段。
在滤波器中,通常采用工作衰减来描述滤波器的衰减特性,即;在该式中,Pin和PL分别为输出端匹配负载时的滤波器输入功率和负载吸收功率。
为了描述衰减特性与频率的相关性,通常使用数学多项式逼近方法来描述滤波器特性,如巴特沃兹、切比雪夫、椭圆函数型、高斯多项式等。
滤波器设计通常需要由衰减特性综合出滤波器低通原型,再将原型低通滤波器转换到要求设计的低通、高通、带通、带阻滤波器,最后用集总参数或分布参数元件实现所设计的滤波器。
滤波器低通原型为电感电容网络。
其中,元件数和元件参数只与通带结束频率、衰减和阻带起始频率、衰减有关。
设计中都采用表格而不用繁杂的计算公式。
表1-1列出了巴特沃兹滤波器低通原型元件值。
n
g1
g2
g3
g4
g5
g6
g7
g8
g9
g10
g11
1
2
1
2
1.4142
1.4142
3
1
2
1
1
4
0.7654
1.8478
1.8478
0.7654
1
5
0.618
1.618
2
1.618
0.618
1
6
0.5176
1.4142
1.9318
1.9318
1.4142
0.5176
1
7
0.445
0.247
1.8019
2
1.8019
1.247
0.445
1
8
0.3002
1.1111
1.6629
1.9615
1.9615
1.6629
1.111
0.3902
1
9
0.3473
1
1.5321
1.8794
2
1.8794
1.5321
1
0.3473
1
表1-1巴特沃兹滤波器低通原型元器件值
实际设计中,首先需要确定滤波器的阶数,这通常由滤波器阻带某一频率处给定的插入损耗制约。
图1-1所示为最平坦滤波器原型衰减与归一化频率的关系曲线。
图1.1最大平坦滤波器原型的衰减与归一化频率的关系曲线
二、S参量的描述
高频S参量和T参量用于表征射频/微波频段二端口网络(或N端口网络)的特性。
基于波的概念,它们为在射频/微波频段分析、测试二端口网络,提供了完整的描述。
由于电磁场方程和大多数微波网络和微波元件的线性,散射波的幅值(即反射波和透射波的幅值)是与入射波的幅值呈线性关系的。
描述该线性关系的矩阵称为“散射矩阵”或S矩阵。
低频网络参量(如Z、Y矩阵等)是以各端口上的净(或总)电压和电流来定义的,而这些概念在射频/微波频段已不切实际,需重新寻找能描述波的叠加的参量来定义网络参量。
为了表征一个在输入和输出端口具有相同特征阻抗Z0的二端口网络,考虑各端口上的入射波和反射波电压,如图1.2所示。
图1.2各端口具有入射波和反射波的二端口网络
为了准确地定义S参量,我们规定二端口网络(i=1,2)各端口上的入射波电压相量和反射波电压相量分别为Vi+和Vi-,如图1-2所示。
现在可定义用散射参量矩阵S来描述二端口网络各端口上的入射波电压相量矩阵Vi+与反射波电压及传输波电压相量矩阵Vi-之间的线性关系如下:
V1-=S11V1++S12V2+
V2-=S21V1++S22V2+
或以矩阵的形式写成
(1.1)
其中
(1.2)
这个线性关系可用两个复相量的比值来描述,其比值的幅值小于等于1。
S矩阵中的各元素定义为
当输出端口接匹配负载时的输入端电压反射系数
当输出端口接匹配负载时的正向电压传输系数
当输入端口接匹配负载时的反向电压传输系数
当输入端口接匹配负载时的输出端电压反射系数
上述定义的S参量用于射频/微波频段有许多优点,简述如下:
(1)S参量给出了一个网络端口之外的完整特性描述。
(2)S参量的描述没有使用在高频频段已失去意义的开路或短路(在低频频段所描述的)的概念。
因为随频率变化的短路或开路的阻抗特性已不能用来描述射频/微波频段的器件特性。
此外,电路中短路或开路情况的出现,将导致强烈的反射(因为=1),即引起振荡或晶体管元件的损坏。
(3)S参量要求在端口使用匹配负载,因匹配负载可吸收全部的入射功率,从而消除了过强的能量反射对设备或信源损伤的可能性。
三.Smith圆图
反射系数的公式为
(1.3)
其中为归一化阻抗,为传输线的特性阻抗或某一参考阻抗。
由式(1.3)可以通过数学方法获得Smith圆图,Smith圆图实为无源电路(即Re(Z)0)下的不同归一化电阻和电抗值所对应的反射系数的轨迹,其等电阻值的轨迹是一组圆心位于水平轴(实轴)上的圆,而等电抗值的轨迹是一组圆心位于偏离垂直轴(虚轴)一个单位的直线上的圆。
(1.4)
由式1.4Smith圆图是由函数所描述的r和x在复平面上的轨迹。
将分离为实部(U)和虚部(V),便可得
(1.5)
(1.6)
(1.7)
根据式(1.6)和(1.7)可以得到两组圆,当它们彼此重叠在一起时便构成了一张完整的Smith圆图。
这两组图的描绘过程叙述如下:
(1).等r圆:
从式(1.6)和(1.7)中消去x后便可得第一个圆所满足的方程为
(1.8)
由方程(1.8)所描述的圆的圆心和半径分别为
(1.9a)
(1.9b)
由式(1.9a)和式(1.9b):
所有等r圆的圆心都位于实轴上,且圆的半径随r的增大而减小。
其中,r=0的圆即为Smith圆图最外层的圆,而r=的圆缩为一点,位于(0,1)处。
图1.3进一步描述了这个概念。
(2).等x圆:
从式(1.6)和式(1.7)中消去r后便可得到第二个圆所满足的方程为
(1.10a)
由方程(1.10a)所描述的圆的圆心和半径分别为
(1.10b)
(1.10c)
从式(1.10a)中可以看出:
所有等x圆的圆心都位于平行于虚轴并向右平移一个单位的直线上,且圆的半径随x的增大而缩小。
其中,x=0的圆为Smith圆图的实轴,而x=的圆缩小为一点,位于(1,0)处。
将方程(1.8)和(1.10)所描述两组圆重叠在一起,便得到了由全部的(r,x)值所构成的一个圆图,这就是通常所称的Smith圆图,如图1.3所示。
图1.3标准Smith圆图的结构(r0,)
Smith圆图上每一点处的归一化阻抗ZN(其中r=Re(ZN)0)与反射系数的值是一一对应的。
圆图的上半平面对应于正电抗值(x>0)的归一化区域,下半平面对应于负电抗值(x<0)归一化区域。
注:
Smith圆图也可适用于归一化导纳YN的描述:
(1.11a)
其中,为传输线的特性导纳或某一参考导纳。
因此可将式(1.4)写成
(1.11b)
或改写成
(1.12)
可见其形式与用阻抗描述时的一致,只是现将YN平面映射到平面内,其中
(1.13)
式(1.13)说明与仅相位相差180o而幅值相同,这意味着在同意圆图中进行导纳与阻抗的换算时,仅相当于将其相位调整180o。
因此,Smith圆图既可用做阻抗圆图(Zsmith圆图),也可用做导纳圆图(Ysmith圆图)。
使用Smith圆图需要注意和理解下列对应关系:
Smith圆图的魅力就在于:
通过上述变换可将一个半无限、无界的区域(,)映射到一个有界的工作区域()内,这将使我们能以图解的方式很容易地理解许多复杂微波问题
四.实验目标
设计参数指标:
高频截止频率:
2.45GHz;通带内纹波系数小于2;4GHz处的插入损耗大于20dB;输入输出阻抗为50Ω;使用FR4PCB板。
五.实验方案
1.确定低通滤波器类型、阶数和拓朴结构
为了满足实验目标的要求,第一步选择低通滤波器的类型,在ADS软件中的DesignGuide中选择Filter,点选S参数后连接仿真。
点选FilterAssistant,输入实验目标的相关数据后,选择用椭圆滤波器类型,最低阶数可以为3阶。
如下图1.4所示:
图1.4
2.完成ADS集总参数原理图仿真
在滤波器原理图界面下,点选工具栏中的,进入到滤波器元器件的子电路,得到图1.5所示。
图1.5
3.完成分布参数微带原理图仿真
将滤波器元器件的子电路经过Richards变换和Kuroda等效后,并且修改微带参数设置控件的相关参数,如下图1.6所示。
图1.6
(1).进行匹配微带线的计算,计算出50欧姆微带线的长和宽。
(2).先将两端Port去掉,添加S参数仿真元器件,并设置
图1.8
(3).添加微带线,并将微带线的长和宽换为所计算的值,最后连接在一起。
图1.9
4.仿真
(1).进行电路原理图仿真和Kuroda等效后仿真
图1.10图1.11
(3).微带线仿真
图1.12
从微带线仿真S11图中可以观测到反射比较大,应当调谐,直到所有指标达到要求且反射比较小。
(4).微带线调谐后的仿真
图1.14
5.完成分布参数版图生成与仿真
(1).版图生成
图1.15
(2).版图仿真
图1.16
观察仿真图像,符合实验指标要求。
6.实物加工及测试
1.做出的实物图如图1.17所示。
图1.17
2.用矢量网络分析仪测试的结果如下图1.18所示。
图1.18
七.实验心得
通过这次低通滤波器的设计、调试与制作,自己学到了很多知识,感谢老师、师兄和同学的指导与帮助,使我对制作滤波器的一套流程有了全面的了解。
从ADS软件的使用到AltiumDesignerWinter09软件导出PCB,再用AltiumDesignerWinter09软件制作负片,最后进行实物加工和用矢量网络分析仪测试。
同时,在做滤波器实验的期间,也发现了很多不明白的地方,要多向同学和师长提问。
通过这一次做滤波器,能真正地将理论知识实践,锻炼动手能力,提升了自己在电路仿真设计的综合能力。
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