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N型硅电池行业分析报告
2015年N型硅电池行业分析报告
2015年8月
目录
一、光伏装机同比大幅增长,N型电池受追捧3
1、上半年装机规模同比大幅增长,未来国内空间巨大3
2、弃光限电苗头隐现,分布式电站建设亟需加强4
3、单晶硅电池占比逆转,N型电池受追捧5
二、N型硅电池的发展历程7
1、P型晶硅电池占据主流的历史原因7
2、N型硅电池相对P型的优势7
3、N型电池的技术难题9
4、N型硅片市场份额的变化10
5、N型硅片主要供应商11
三、N型高效晶硅电池技术路线选择13
1、IBC电池,代表企业:
Sunpower14
2、异质结电池(HIT),代表企业:
Panosonic15
3、N型双面掺杂电池,代表企业:
英利18
四、N型电池的未来:
成本降低是关键20
1、降成本之一:
提升效率是王道22
(1)本质是高质量的硅片(CFZ法)22
(2)双玻组件,双面发电能效高23
2、降成本之二:
更少的用料,更精简的工艺23
(1)薄片化,60μm的厚度已足够23
(2)规模效应,大尺寸N单晶生长炉24
五、主要风险25
1、技术路线风险,成本下降不及预期25
一、光伏装机同比大幅增长,N型电池受追捧
1、上半年装机规模同比大幅增长,未来国内空间巨大
从2011年开始,国内光伏装机量连年快速增长,2013年我国以约12GW的安装量成为光伏需求第一大国,2014年由于集中式、分布式电站目标设臵不合理,集中式受制路条发放,分布式发展各个环节还未理顺,导致全年装机仅有10.5GW,在能源局政策调整下,2015年上半年光伏装机恢复快速增长,新增装机7.7GW,同比增长约134%,其中地面电站6.7GW,分布式1GW,预计全年17.8GW目标定能完成。
上半年,受宏观经济等因素影响,全社会用电量同比仅增长1.3%,为2010年以来同期最低,火电发电量连续12个月负增长、利用小时继续下降。
目前国内电力市场已从过去缺电转变为电力供应能力相对充足,电源端主要问题转变为结构不尽合理,火电比例仍过高,为应对日益加重的环境问题,非化石能源还需大力发展。
光伏就其他非化石能源而言,虽然度电成本较高(未来下降空间也最大),但配臵最为灵活,既有大规模地面电站,也可以在用电负荷密集区布臵分布式电站,到“十三五”末我国光伏装机保底规模是100GW,这一规模很有可能会上调为150GW,即在今后五年中,每年光伏装机规模将在20-30GW区间,明显高于“十二五”期间,分布式光伏比重有望逐步上升,这将对高效晶硅电池产生巨大的需求推动。
2、弃光限电苗头隐现,分布式电站建设亟需加强
在装机量同比大幅增长的热情下,一些地区却对这股热情泼了冷水。
由于输电线路建设滞后、消纳能力不足等原因,我国中西部地区出现了“弃光限电”的苗头。
1-6月全国累计光伏发电量190亿千瓦时,弃光电量约18亿千瓦时,主要发生在甘肃和新疆地区,其中,甘肃省弃光电量11.4亿千瓦时,弃光率28%;新疆弃光电量5.41亿千瓦时,弃光率19%。
这主要是电力外送通道建设不完善和当地电力消纳能力不足等原因引起的,这个问题随着西部地区大型地面电站的不断增长将长期存在。
光伏发电的总体发展趋势应由集中式光伏发电逐渐向分布式光伏发电过渡,未来将分布式发电比例有望逐步提升。
去年能源局也是基于这种考量,制定了大型地面电站600万千瓦和分布式800万千瓦的装机指标,由于政策配套以及电价设臵等问题,分布式电站的发展明显不尽如人意。
在欧美和日本等发达国家,分布式光伏发电的比例超过80%,而我国只占16%,未来提高的空间很大。
3、单晶硅电池占比逆转,N型电池受追捧
纵观全球光伏发展的历史,虽然单晶硅电池的产量一直在逐步提高,但单晶硅电池占比却经历了几次大起大落。
最近的一次则是06年开始的光伏产能的大释放,多晶硅产线技术门槛低,资金投入少,迅速占领了疯狂的市场,导致单晶电池占比中断了从03年开始的上升之路,掉头一路往下,从06年的最高占比43.6%下降到12年的21.8%。
而近年来,随着硅料价格的持续快速下降,以及单晶电池效率与多晶的进一步拉开,使单晶电池的性价比越来越高。
从2012开始,全球电池产量中,单晶电池的占比又开始缓慢升高。
由于我国目前大部分采用的还是多晶电池,所以事实上拉低了全球利用单晶的比例,扣除中国因素后,单晶电池占比一直维持在30%~45%之间。
从长远来看,尽管目前单晶成本比多晶要高,不过未来单晶拉晶等非硅成本将逐渐与多晶铸锭等非硅成本拉平,而且单晶更适合做薄片化来降低硅料成本。
因此单晶电池未来成本下行空间要大于多晶,单晶产量有望逐渐增加,单晶硅电池将占世界光伏生产的主导地位。
2014版的国际光伏技术路线图(ITRPV)表示,到2024年单晶硅片将占据晶硅市场的50%左右。
那么问题来了,单晶电池分为P型和N型,哪一种将会引领未来的光伏产业呢?
目前市场上的单晶电池以P型单晶硅电池为主,量产效率在19.5%左右,经过PRET、PERC等技术,可以将效率提升到21%左右。
然而现有P型电池由于本身材料的限制,已逐渐面临转换效率瓶颈,量产效率难有大的突破,而新型N型单晶电池(转换效率可到22%~24%)已开始量产,待其成本和技术进一步突破后,有望逐渐普及。
近些年,一些光伏巨头也在积极布局N型高效晶硅电池产业链,从N型硅片到高效组件,进行一系列的定增扩产、兼并重组。
Panosonic收购Sanyo的HIT高效组件业务,中环30亿定增高效硅片产业化,Solarcity收购N型单晶光伏组件生产商Silevo,隆基股份募资20亿投向高效单晶硅,一场N型硅电池的产业风暴正在风起云涌。
据ITRPV预测,N型单晶硅太阳电池在单晶电池的份额将从2014年的18%左右提高到2020年的50%左右。
二、N型硅电池的发展历程
1、P型晶硅电池占据主流的历史原因
太阳电池一开始主要应用于航天领域,用作人造卫星和航天器的电源,所以在选择衬底时必须考虑材料的抗辐射能力。
然而贝尔实验室后来发现,N型太阳电池性能在高能辐射下会有严重的衰减,稳定之后的转换效率低于类似结构的P型太阳电池。
这一结果使得P型太阳电池成为太空应用的优先选择,其电池结构和生产技术得到不断完善。
在随后太阳电池转向地面应用的过程中,P型太阳电池结构得到了沿用,成为主流的电池结构。
事实上,在地面应用中并不存在太空辐射的威胁,因此P型晶体硅并不一定是最佳选择。
确实,仔细研究这两种不同掺杂类型的材料,科研人员发现,除了抗太空辐射,N型硅的特性比P型硅要好的多。
2、N型硅电池相对P型的优势
N型电池相比P型电池有以下优点:
1、N型硅片的少数载流子寿命比P型硅片高至少一个数量级,这个关键参数的提高将会极大提升电池的开路电压和短路电流;
2、由于N型硅对铁等重金属杂质有较高的容忍度,在相同重金属杂质浓度下有比P型电池更高的效率;
3、N型硅片掺入的主要是磷元素,在材料中不会形成硼氧原子对(B-O),因而N型硅电池和组件的初始光诱导衰减几乎为零;
4、更高的效率和较少的衰减使得N型电池在单位面积土地上的发电量大大增加,间接降低了BOS成本;
5、N型硅电池温度系数低,发电量增大。
传统P型电池温度每升高一度,输出功率就降低0.4%~0.5%;而N型电池的温度系数只有前者的一半左右。
此外N型电池弱光条件下光谱响应好,全年下来能发更多电。
这也是N型电池被做成双面电池的原因,电池背面漫反射的弱光也能贡献一大部分电量,在合适的装机环境下发电量能提高20%~30%。
主流P型单晶硅太阳能电池的转换效率也已经可以稳定在19%以上,但要想在不增加成本的情况下再提高效率已经非常困难。
这种局限性让业内逐渐将目光转向少数载流子寿命比P型硅高的多的N型硅材料。
当然,N型材料迟迟没有大规模应用,也有其自身的缺点和技术难题。
3、N型电池的技术难题
同P型电池相比,由于N型电池开发得晚,研究的相对少些,一直面临着一系列的问题。
1、P型硅掺硼元素,硼与硅分凝系数相当,分散均匀度容易控制;而N型硅掺磷元素,磷与硅相溶性差,拉棒时磷分布不均,这点就导致了要保证同样品质的N型硅棒,成本会高些。
2、制备电池时,针对传统的电池结构,N型电池的制备需要进行两次掺杂,工艺会相对复杂些。
3、对N型电池用传统的表面钝化手段如SiNx、SiO2等效果不佳,需要开发新的钝化结构。
随着近些年光伏的大力发展,直拉单晶硅的质量和产量都在不断提高,拉制N型硅棒时也只要注意控制拉速(头部拉速偏高,尾部偏低),就能获得掺杂均匀的N型硅片,此外一些新型电池结构的推出,如IBC、HIT等不断刷新了晶硅电池效率的转换纪录。
可以说N型硅在地面应用的质量和技术问题已经不存在,而N型材料的优势却显得更突出了。
4、N型硅片市场份额的变化
在市场份额上,ITRPV曾预期N型单晶硅太阳电池将从2014年的18%左右提高到2020年的50%左右。
由于非硅成本的降低,电池效率的不断提升,组件成本在光伏系统装机成本中的比重在不断下降,高效晶硅电池越来越受到市场的欢迎,特别是在面积有限的分布式光伏中。
从近期一些光伏巨头布局N型硅片和N型高效电池也可见端倪。
去年6月18日,美国光伏巨头SolarCity宣布,该公司将斥资3.5亿美元收购太阳能组件制造商(生产N型高效晶硅电池)Silevo,计划于未来两年内在纽约州建造年产能超1GW的工厂,打造“全球最大”的太阳能组件制造厂。
松下也于今年5月份宣布今后每年将在日本新增HIT产能150MW。
这样日本国内产量在2015财年将达到750MW,而松下集团的年度总产量将超过1GW。
SunPower也不甘落后,计划将IBC的产能从去年的1.2GW提升至2015、2016的1.4GW、1.8GW。
于此同时,一些N型硅片供应商也没有闲着,纷纷增资扩产,豪赌未来的N型单晶盛宴。
隆基股份、中环股份、卡姆丹克这些单晶供应商都大幅提高了自己的N型硅片产能。
即使是多晶硅巨头保利协鑫也推出了N型单晶硅片,占比达2%。
这些动作都表明,高效电池市场规模将会快速增长。
据光伏市场调研公司Solarbuzz统计数据,2015年后,高效晶硅组件供应商市场规模预计将增长200%,到2018年达到7.6GW。
5、N型硅片主要供应商
单晶硅片的产业集中度比较高,国内前五大企业就占了全球单晶硅片出货量的60%以上。
卡姆丹克是国内首批能够大规模生产拥有平均转换率高达23%的高效单晶硅片生产商。
而N型单晶硅技术难度大,成本较高,且N型资格认证时间长,入行门槛高。
现在市场趋向支持高端技术,对N型单晶硅片发展有利。
卡姆丹克单晶硅产能在国内约600MW,马来西亚的新厂房有300MW的产能,达产后将逐步释放规模成本优势。
但是2014年卡姆丹克销售的N型超级单晶硅片只有52MW,虽然占比不是很大,但N型高效片相比2013年出货量增长685%。
卡姆丹克是国内唯一一家同时获得国际三大主要N型电池客户资格认证的供应商,随着市场对高效率的N型单晶硅需求不断加大,将对卡姆丹克的业绩形成积极影响。
中环股份专注于N型单晶硅片的研发和销售,已经与SunPower合作,生产高效太阳能电池。
中环13年N型硅片的产能是900MW,随着这两年新的募投项目的达产,N型硅片的产能应在1.5GW以上,截至目前,公司高效N型硅片市场占有率全球第一。
公司客户除了SunPower外,主要是日本、韩国为主的高端电池厂商。
值得一提的是,中环股份的核心技术CFZ硅片更可以避免直拉硅片的高含氧量,而有效降低光致衰减效应。
中环曾公开披露,CFZN型硅片生产的电池使用年限25年内衰减不超过2%,可以说目前在抗衰减晶硅硅片中,CFZ技术是中环的独门技术,这也是SunPower选择与中环合作的基础。
而具备更高转换效率,更优衰减性能的CFZN型单晶硅有望成为高效N型单晶的制高点。
隆基股份是全球最大单晶硅制造商,今年的单晶硅产能超过4GW,但是其中N型硅片的占比并不是很高,13年只占5%左右。
但公司确定N型单晶技术是未来发展方向,会根据客户需求调配P、N型硅片产能。
公司制备的N型硅片做出的电池效率也已超过22%。
保利协鑫也于去年推出了N型硅片,占比达2%,绝对值也不小,在200MW左右。
此外,国内还有阳光电源和晶龙集团生产单晶硅片,虽然都有1GW以上的单晶硅产能,但在N型硅方面并没有多做布局。
三、N型高效晶硅电池技术路线选择
正如前文所述,由于N型硅片相比P型硅片有着诸多优势,目前的高效率电池大都采用N型单晶硅为衬底,辅以双层抗反射层、表面倒金字塔化、背面局部高掺杂扩散以及背面点接触式电极等技术,提升电池整体转换效率。
目前N型硅片应用较为成熟的是Sunpower的指叉状背电极(IBC)太阳能电池和Panosonic的非晶硅/晶硅异质结(HIT)太阳能电池,均已实现规模化生产。
国内量产的N型电池主要是英利的双面扩散N-PasHa“熊猫”电池。
我们认为将来能大规模推广量产的技术也仅IBC电池与HIT电池这两种,两者均能获取24%以上的高转换效率,能够薄片化,弱光相应好,没有光致衰减效应。
但两者目前也各有各自的缺点,IBC设备投入大、工艺复杂、对硅片要求高,成本也高。
而HIT则是设备、TCO和低温银浆成本较高、界面稳定控制技术难度大、对硅片电阻率均匀性要求也高。
从NREL统计的最新电池效率记录来看,IBC电池和HIT电池都在不断刷新晶硅电池的世界纪录,但从近10多年的趋势看,明显HIT电池更胜一筹,转换效率节节攀升。
1、IBC电池,代表企业:
Sunpower
限制传统太阳电池效率的很大一个问题是正面的栅线的遮光损失,IBC太阳能电池显著的特点是前表面没有银栅线电极,PN结及电极均位于电池背面,极大降低了栅线对太阳光遮挡损失。
目前IBC电池的实验室最高效率达到了25%(145μm厚,N型Cz硅片,受光面积121cm2),产业化电池效率在23%左右。
由于电池发电的P-N结位于电池背面,IBC电池需要Si材料的少数载流子扩散长度远大于Si片厚度。
高质量Si衬底要求及复杂制备工艺,使产业化的IBC电池的制备成本很高。
IBC电池工艺涉及光刻等繁琐的半导体流程,但Sunpower其21步工艺仍然为业界最短IBC工艺流程之最。
SunPower目前IBC的产能约1.2GW,并计划提升至2015、2016的1.4GW、1.8GW。
公司的N型电池组件成本在1美元/瓦,而售价在1.1美元/瓦以上。
而目前普通单晶硅(P型)电池组件价格也就在$0.65/W。
可见相比传统多晶硅见,IBC电池的成本还是相当昂贵的。
公司预期到2015年成本可下降35%,2016年后未来可能达到$0.60/W。
SunPower将于2016年在日本推出其“X系列”组件,采用其新一代“Maxeon”太阳能电池,组件额定效率为21.2%,性能配臵为345W,是目前效率最高的组件。
2、异质结电池(HIT),代表企业:
Panosonic
日本三洋公司从上世纪90代开始研发a-Si/N-Si异质结太阳电池,2013年被Panosonic收购后仍然致力于高效晶硅太阳电池的研发。
这种电池由于在异质结界面插入了一层本征非晶硅薄层,所以该结构被称为“带有本征薄层的异质结”电池,简称HIT电池。
该电池通过插入薄本征非晶硅层,降低了太阳能电池的界面态密度,从而减少了复合电流,提高开路电压和电池转换效率。
HIT太阳能电池具有低的制备温度,整个工艺可以在200℃下完成,减少了对能源的消耗。
由于兼具非晶硅电池和晶硅电池的特性,HIT电池的温度系数很低,只有常规晶体硅电池的一半,特别适合在日照充足、天气炎热的地区使用。
HIT电池的另一优点是可以尽可能的薄片化,由于采用双面对称结构,一定程度上减轻了电池的热应力和机械应力,实验表明,随着硅片厚度的减薄,电池的开路电压会有些许增加,而FF会降低,两者大致能相抵,电池效率的下降主要来源于短路电流的减少,但60μm的HIT电池相比98μm的电池也只是降了0.2%~0.3%。
而传统结构的单晶硅电池,开路电压和短路电流都会随硅片厚度的减小而降低。
值得一提的是,小于70μm的硅片已经可以轻松的弯曲而不碎裂,可以应用在一些柔性衬底上。
13年初HIT电池实验室最高效率达到了24.7%,采用的是98μm厚n型CZ硅片,受光面积超过100cm2,规模化生产效率在21%左右。
2014年,Panasonic将HIT与IBC技术相结合,采用150μm厚n型CZ硅片,其效率达到了突破性的25.6%,测试受光面积143.7cm2,效率的测量由第三方日本AIST实验室完成。
这一效率比2013年HIT电池的24.7%提高了足足0.9%,同时也将沉寂15年的单晶硅太阳能电池的效率记录向上提高了0.6%。
由于HIT电池制备工艺及设备与普通的P-型Si太阳能电池的生产不相兼容,处理工艺过程复杂,TCO和低温银浆的成本比较高。
目前组件生产成本约$1.0/W,Panasonic在马来西亚新建立300MW硅片、电池、组件厂,希望生产成本下降20%(估计约降至$0.80/W),产能提高至900MW。
今年5月份Panasonic宣布今后每年将在日本新增产能150MW。
这样日本国内产量在2015财年将达到750MW,而松下集团的年度总产量将超过1GW。
随着税率下降以及大面积的土地越来越稀缺,日本国内的光伏发电的需求投资已经从大面积的光伏发电系统转向屋顶光伏发电系统。
松下集团的HIT高效电池对于日本有限的屋顶空间来讲是十分具有竞争优势的。
松下最近推出的产品是电池效率平均22.5%,组件效率19.5%的高效太阳能组件。
除松下一直在量产HIT电池外,Silevo在2011年推出了“Triex”技术以及使用这一技术生产的高效单晶电池和组件产品,除了在硅谷的一条试验生产线外,Silevo在杭州还拥有一条32MW的量产生产线(杭州赛昂电力,Silevo占65%股权比例),目前量产电池片效率21.4%。
2014年美国光伏巨头SolarCity斥资3.5亿美元收购Silevo,并计划于未来两年内在纽约州建造年产能超1GW的工厂,打造“全球最大”的太阳能组件制造厂。
杭州32MW中试线成本测算合$0.90/w(电池效率22.1%),原先有下一期200MW(156规格)的扩产规划,其组件成本目标$0.68/w,其中电池$0.50/w,2017年目标$0.53/w,预计随着纽约工厂1GW产能的达产,HIT电池的成本会出现明显的下降。
3、N型双面掺杂电池,代表企业:
英利
双面扩散N-PasHa电池是英利和荷兰国家能源研究中心(ECN)合作开发的高效晶硅电池技术,该电池兼顾了低成本和高效率的优点。
与早已成熟商业化生产的IBC、HIT电池相比,这种电池与普通的P型硅电池结构相同,具有结构简单、制备成本低、工艺流程短、与现有生产线相兼容和容易实现大规模产业化的优点。
这种电池主要有以下特点:
1.掺磷背电场结构可以进行双面设计,相对于传统的铝背电场,因为不用让电池弯曲,所以能加工更薄的硅片,英利方面表示,目前硅片的切割厚度已经降至低于180微米,合格率超过96.5%。
同时双面结构能比同类电池产生更多的电量,在不增加成本的情况下,可以多发电15%以上;2.采用细密栅线设计,减小栅线的遮挡光面积,以此提高电池的短路电流;3.优化栅线的烧结工艺,降低栅线与电池表面的接触电阻,从而提高电池的填充因子。
2013年英利N型电池在实验室电池的效率已达到21%,大规模产业化平均电池效率达到了19.7%。
英利集团曾表示英利N型组件的成本只有国外同类电池的60%左右,因此推断成本大概在$0.65/w左右。
四、N型电池的未来:
成本降低是关键
行业真正需要的是发电能力,以更低的单位成本和更长的使用寿命持续发电,也就是我们常说的生命周期内年均度电成本。
诚然,目前上述的高效电池的成本还不足以与传统多晶硅电池相竞争,但随着电池效率的不断提高,N型电池的大规模量产,相信高效电池的度电成本肯定可以拉平甚至低于多晶硅电池的成本。
这里我们通过计算,分析影响N型高效电池成本的因素,以此指明降低成本的方向。
我们采用动态成本法来分析电站的生命周期成本,为了计算简便,我们只考虑电站的初装成本、运维成本和发电量,不考虑税费等影响。
以我国东部沿海地区为例,假设年均发电小时数为1200小时,暂不考虑每年的衰减,10MW电站需280W高效多晶硅组件35720块,维持同样电池的组件数,用P型单晶组件和N型高效组件的电站发电能力会分别达到11.07MW和12.32MW。
但由于组件数和电站面积相同,我们假定电站年运维费均定为60万元,贴现率为7%。
则计算可得CRF=0.09,在N型高效电池组件最终求得三类电池的年均度电成本分别为0.6485元、0.6719元、0.7101元。
N型高效组件的度电成本分别比多晶硅组件和P型单晶组件高了9.5%和5.7%。
但是这边假设里已经把多晶组件和P型单晶组件的性能提到最高,而价格跟传统的组件差不多,也就是说这个价格短期内已没有多大下降的空间。
而N型高效组件还有空间继续提高效率,降低工艺成本。
1、降成本之一:
提升效率是王道
(1)本质是高质量的硅片(CFZ法)
实验表明,高质量的硅片才能获得高转换效率的基础,正如n型单晶硅片相比p型单晶硅片有本质优势一样。
在制作N型高效电池时,在成本可控的前提下,也要尽可能选择高质量的硅片,相比传统的CZ硅片,中环的核心技术CFZ法制备的单晶棒有接近FZ硅片的品质,且在掺杂方面做得更均匀,但成本却增加不多,是大规模制备N型高效电池的最佳原料。
(2)双玻组件,双面发电能效高
双玻组件的成功应用,为分布式光伏、光伏建筑一体化等提供了更多的选择,在成功解决胶膜问题导致的光从电池片间透过而降低整体组件效率的难题后,双面电池展示出更强大的发电能力。
在某些特定的安装倾角和地面环境下,双面电池的发电量比单面高出30%以上。
在一般的安装环境下,双玻组件的全生命周期发电量也比传统的组件高出10%~15%。
此外,双玻组件还有一些列优点,例如可靠性高,衰减少,质保30年,安全防火,特别适合安装在屋顶这种必须确保安全的场合。
虽然目前双玻组件的封装成本要比传统组件高,但考虑到这一些列优点,性价比还是很高的
2、降成本之二:
更少的用料,更精简的工艺
(1)薄片化,60μm的厚度已足够
前面曾提到,Panasonic成功制备了70μm厚的HIT电池,其效率相比100μm的电池仅下降0.2%~0.3%,由此可见,薄片化是很好的降低电池硅片成本的手段。
目前,单晶切片采用金刚线切片已成为趋势。
金刚线的特点是可以将硅片切的更薄且高效,金刚线切割速度是普通刚线的两倍,而且不需要特殊切割液,用水作为溶剂即可。
而且金刚线的直径小,线损低,方便切割更薄的硅片。
据悉,目前主流切割厚度为190±10μm,很多企业已经能切割120μm的硅片,随着电池技术的改进,更薄的硅片将成为主流趋势。
(2)规模效应,大尺寸N单晶生长炉
目前P型单晶电池组件比N型组件便宜,很大部分原因是由于P型组件的长期大规模量产各项设备工艺非常成熟,但随着N型电池的普及和份额的扩大,包括硅片成本和工艺成本都会有明显的下降。
大尺寸单晶生长炉的投产,进一步拉近了单晶硅片和多晶硅片的成本差距。
结合以上的各种降成本的方式,我们对N型高效组件度电成本做了敏感性分析,发现随着组件效率的提升,度电成本随之下降。
但在$0.9的组件价格下,23%的组件效率也不能使度电成本降到其他两类组件成本之下。
在保持现有组件效率的情形下,只要把组件价格将至$0.7,N型高效晶硅组件将拥有最低的度电成本。
如果成本能做到$0.6的话,$0.7的价格还具有16%以上的毛利率。
而根据SunPow
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