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电子技术暑假作业
暑假练习题
一、填空
1.二极管反向饱和电流IR会随着温度的升高而_______。
2.二极管的主要参数包括反映正向特性的_______和反映反向特性的_______。
3.射极输出器的特性归纳为:
电压放大倍数_______,电压跟随性好,输入阻抗_______,输出阻抗_______,而且具有一定的_______放大能力和功率放大能力。
4.三极管起放大作用的外部条件是_______________、______________。
5.某放大器由三级组成,每级的电压增益为15dB,则放大器的总增益是________。
6.当晶体二极管导通后,则硅二极管的正向压降为______V,锗二极管的正向压降为______V。
7.稳压管工作在__________区。
8、常用半导体材料是和,其原子核最外层均有个价电子。
9、PN结最主要的特性是。
10、三级管的三个电极分别叫做、和,其实现电流放大作用条件。
11、画出三极管符号,NPN型、PNP型。
12、二极管实质上就是一个,P区引出端叫,N区引出端叫,其文字符号为,图形符号为。
13、多级放大器的级与级之间耦合方式有 、 和
。
14、三极管输出特性曲线可划分为区、区和区。
15、硅管死区电压是V,正向导通压降是V。
16、P型半导体中空穴为()载流子,自由电子为()载流子。
17、PN结正偏时(),反偏时(),所以PN结具有()导电性。
18、反向电流是由()载流子形成,其大小与()有关,而与外加电压()。
19、三极管是()控制元件,场效应管是()控制元件。
20、当温度升高时,三极管的等电极电流I(),发射结压降UBE()。
21、晶体三极管具有放大作用时,发射结(),集电结()。
22、三极管放大电路共有三种组态()、()、()放大电路。
23.已知三极管的β=99,若Ib=10μA,则该管的Ic=______,Ie=______。
24.在实际使用二极管时,主要考虑的参数有___________、_____________。
25.放大器的放大能力常用___________表示,它包括__________、___________和___________。
放大倍数用分贝表示叫做___________。
26.某交流放大器的输入电压为100mV,输出电压为1V,则放大器的增益为_________。
1.放大器的主要功能就是不失真地放大。
27.放大器按用途不同可分为、、和,按信号频率高低可分为、、和。
28.放大器的静态是指为零时的工作状态;当有输入信号时,电路中的电压、电流都随输入信号作相应变化,称为。
29.表征放大器静态工作点的参数主要指、、和。
30.多级放大器的级间耦合方式有______________、______________、______________和______________等四种。
31.放大器的频率响应,指放大器的______________和信号______________之间的关系,也称为放大器的______________。
32某二级放大器,Au1=100,Au2=1000,则总的放大倍数Au=__________,总的电压增益Gu=__________.
33.多级放大器与单级放大器相比,电压增益教__________,通频带较__________。
34.直流放大器的级间耦合,可采用变压器耦合。
()
35.多级放大器的级数越多,电压放大倍数越大,通频带越宽。
36.两级阻容耦合放大器的通频带,比组成它的单级放大器通频带宽。
37、放大器与负载之间要做到阻抗匹配,应采用()耦合。
A.阻容B.变压器C.直接
38.阻容耦合放大器()
A.只能传递直流信号B.只能传递交流信号C.交直流信号都能传递
39.直接耦合放大器只能传递()
A.只能传递直流信号B.只能传递交流信号C.交直流信号都能传递
40、稳压二极管是一个可逆击穿二极管,稳压时工作在()状态,但其两端电压必须(),它的稳压值Uz才有导通电流,否则处于()状态。
A、正偏B、反偏C、大于D、小于E、导通F、截止
41、用直流电压表测得放大电路中某三极管各极电位分别是2V、6V、2.7V,则三个电极分别是(),该管是()型。
A、(B、C、E)B、(C、B、E)C、(E、C、B)D、(NPN)E、(PNP)
42、对功率放大器的要求主要是()、()、()。
A、U0高B、P0大C、功率大D、Ri大E、波形不失真
43、共射极放大电路的交流输出波形上半周失真时为(),此时应该()偏置电阻。
A、饱和失真B、截止失真C、交越失真D、增大E、减小
44.温度升高时,晶体管的共设输入特性曲线将,输出特性曲线将,而且输出特性曲线之间的间隔将。
45.一个多级放大器的电压放大倍数为1000,则GV=,如果
功率放大倍数为1000,则GP=。
46.在放大器中,总希望放大器的输入电阻一些,原因是
,总希望放大器的输出电阻______
一些,原因是。
47.整流电路的负载若出现短路,将使或烧毁。
48.整流电路的主要类型有、、。
49.滤波器可将输入的变为较平滑的直流电。
50.电容滤波适用于负载电流的场合。
51.电容滤波器的负载电阻越,滤波电容的容量越,滤波效果越好。
52.稳压二极管工作在区,发光二极管工作在区,光电二极管工作在区,整流二极管工作在区。
53.电容滤波器中电容与负载关系是。
(串、并)
54.发光二极管发光时,其正向压降一般在之间。
55.光电二极管是将能转换成能。
如图所示,已知RB=100K,RC=4K,三极管的电流放大系数为50。
则该三极管作在
状态。
56.晶体管反相器电路如上图,已知R1=15KΩ,R2=50KΩ,RC=2KΩ,β=100,VCC=12V,VBB=6V,三极管导通时,VBE=0.7V,当输入信号VI为6V时,三极管的工作状态是()
57.场效应管是控制器件,它利用所产生的电场效应改变导电沟道的宽窄从而控制漏极电流,用万用表判断场效应管的电极时,用欧姆档测出正反向电阻比较接近的两个电极应为。
58.在桥式整流电路中,变压器次级输出电压的有效值为10V,如果只有电容器C开路,则输出电压VO=V,如果只有VD1开路,则输出电压VO=V。
59、常用半导体材料是和,其原子核最外层均有____个价电子。
60、N型半导体中空穴为_________载流子,自由电子为__________载流子。
61、晶体三极管的三个电极分别称为极、极和极,它们分别用字母、和表示。
62、由晶体三极管的输出特性可知,它可分为区、区和___________区三个区域。
63、硅晶体三极管发射结的导通电压约为,锗晶体管发射结导通电压约为。
64、PN结最主要的特性是。
65、三极管放大电路共有______________________和____________三种组态放大电路。
66、PN结具有__________导电性,其导电的方向是从________到________。
67、点接触型二极管适用于__________,而面接触型二极管适用于_____________。
68、自然界物质按其导电能力可分三大类,分别是____________、_____________和____________。
69.场效应管属于控制型器件,而双极型半导体三极管则可以认为是控制型器件。
70、空穴为()载流子。
自由电子为()载流子的杂质半导体称为P型半导体。
71、PN结的P型侧接高电位,N型侧接低电位称为()反之称为()
72、由漂移形成的电流是反向电流,它由()栽流子形成,其大小决定于(),而与外电场()。
73、稳定二极管稳压时是处于()偏置状态,而二极管导通时是处于()偏置状态。
74、晶体三极管的集电极电流Ic=()所以它是()控制元件。
75、当温度升高时三极管的反向饱和电流ICBO()所以Ic也()。
76.当温度升高时,双极性三极管的β将,反向饱和电流ICEO正向结压降UBE。
77、自由电子为()载流子,空穴为()载流子的杂质半导体称为()半导体。
78、PN结的单向导电性,就是PN结正偏时(),反偏时()。
79、扩展运动形成的电流是()电流,漂移运动形成的电流是()。
80、所谓理想二极管就是当其正偏时,结电阻为(),等效成一条直线;当其反偏时,结电阻为(),等效成开断。
81、场效应管的漏极电流ID=(),所以它是()控制文件。
82、当温度升高时三极管的集电极电流IC(),电流放大系数β( )
83、半波整流电路电阻负载时,理想二极管承受的最高反压是()。
84.三极管工作有三个区域,在放大区时,偏置为和;饱和区,偏置为和;截止区,偏置为和。
85、硅二极管的死区电压约为伏,而锗二极管的死区电压约为伏。
86、绝缘栅场效应管根据导电沟道的不同,可分为和两种类型。
87、在栅—源极之间加正向电压,才能存在导电沟道的绝缘栅场效应管,称为
_____________型场效应管。
88、若某放大电路中三极管的三个管脚电位分别为7伏、3.6伏、3伏,则三个管脚分别为极、__________极和__________极。
89、在P型半导体中,_________为多数载流子,而在N型半导体中,________为多数载流子。
90、二极管由一个PN结构成,其特性是__________,即给P区加_______电位,N区加_________电位时,二极管就导通。
它的电压和电流不成正比,所以它是一种元件。
91、100mA=A;1A=μA。
92.三极管的静态工作点过低,将使输出电压出现________失真。
93.三极管输入等效电阻rbe与静态工作点_______________关。
94.共集电极放大电路输出电压与输入电压的相位_______________。
95.当温度升高时,半导体二极管的IRM将__________。
96.某放大状态的晶体三极管,当IB=20μA时,IC=1mA,当IB=60μA时,IC=3mA。
则该管的电流放大系数β值为__________。
97.开启电压UGS(th)>0的是__________场效应管。
98.在三种基本组态的晶体三极管放大电路中,具有电压放大作用,且u0与ui同相关系的是__________放大电路。
99、在半导体中,有()和()两种载流子导电。
100、在纯净半导体中,掺入三价元素,就会形成()型半导体,如掺入五价元素,就会形成()型半导体。
101、在P型半导体中,()为多数载流子,而在N型半导体中,()为多数载流子。
102、PN结具有()导电性,其导电的方向是从()到()。
103、点接触型二极管适用于(),而面接触型二极管适用于()。
104、将交流电变成单方向直流电的过程,称()。
105、单相桥式整流电路,输出侧直流电压是交流电压有效值的()倍。
106、硅二极管的死区电压约为()伏,而锗二极管的死区电压约为()伏。
107、在交流放大电路中,当三极管的()正向偏置,而()反向偏置时,三极管具有电流放大作用。
108、滤波电路的主要作用是(),使输出的直流电压波形较()。
109、在单相半波整流电路中,若交流电压为10伏,输出的直流电压约为()伏,二极管承受的最高反向电压约为()伏。
110、若某放大电路中三极管的三个管脚电位分别为7伏、3.6伏、3伏,则三个管脚分别为()极、()极和()极。
111、已知某三极管放大电路的IB=10μA,IC=1mA,则该管的电流放大系数约为()。
112、在交流放大电路中,测得UCE值近似等于电源电压,集电极电流IC≈0,则该管处于()状态。
113、二极管由一个PN结构成,其特性是__________,即给P区加_______电位,N区加_________电位时,二极管就导通。
它的电压和电流不成正比,所以它是一种____________元件。
114、本征半导体是____________,其载流子是____________和___________。
载流子的浓度_____________。
115、在杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于___________,而少数载流子的浓度则与____________有很大关系。
116、漂移电流是____________在____________作用下形成的。
117、二极管的最主要特征是_______________________,它的两个主要参数是_________________和___________________。
118、双极型晶体管可以分成_____________和____________两种类型,它们工作时有___________和____________两种载流子参与导电。
119、场效应管从结构上分成_____________和___________两种类型,它的导电过程仅仅取决于_______________载流子的流动;因而它又称做______________器件。
120、场效应管属于__________________控制型器件,而双极型半导体三极管则可以认为是________________控制型器件。
121、三极管工作有三个区域,在放大区时,偏置为___________和__________;饱和区,偏置为_______________和______________;截止区,偏置为______________和______________。
122、温度升高时,晶体管的共设输入特性曲线将_______________,输出特性曲线将___________,而且输出特性曲线之间的间隔将_____________。
123、要使三极管具有放大电流的作用,必须满足的外部条件是______和______。
124、当温度升高时,半导体二极管的IRM将__________。
125、某放大状态的晶体三极管,当IB=20μA时,IC=1mA,当IB=60μA时,IC=3mA。
则该管的电流放大系数β值为__________。
126、开启电压UGS(th)>0的是__________场效应管。
127、根据三极管结构的不同,有NPN和____________两种。
128、PN结的基本特性是____________。
129、在本征半导体中掺入三价杂质原子,形成__________________型半导体。
130、电容滤波电路中,滤波电容容量越大时,其滤波效果__________________。
131、半导体内的载流子越多,导电能力越________。
132、NPN型晶体三极管,发射结正偏时,应是发射极电位比基极电位________。
133、开启电压UGS(th)<0的是________场效应管。
134、单相桥式整流电路输出平均电压为36V,负载RL=36Ω,则流过整流二极管的平均电流为________A。
135、在P型半导体中,___________是少数载流子。
136、当温度升高时,双极性三极管的β将____________,反向饱和电流ICEO_________正向结压降UBE_____________。
137、三极管内部电流分配关系是__________,ICEO和ICBO之间的关系是__________。
138、三极管的输出特性曲线反映的是__________和__________关系的曲线,输出特性曲线可分为__________、__________、__________三个区。
139、P型半导体中是多数载流子,是少数载流子。
140、理想的二极管,其正向电阻约为,反向电阻约为。
141、晶体三极管工作在区时,关系式IC=βIB才成立,而工作在区时,IC=0。
142、在桥式整流电阻负载中,理想二极管承受最高反压是()。
143、P型半导体中空穴为()载流子,自由电子为()载流子。
144、PN结正偏时(),反偏时(),所以PN结具有()导电性。
145、反向电流是由()载流子形成,其大小与()有关,而与外加电压()。
146、三极管是()控制元件,场效应管是()控制元件。
147、当温度升高时,三极管的等电极电流I(),发射结压降UBE()。
148、晶体三极管具有放大作用时,发射结(),集电结()。
149、三极管放大电路共有三种组态()、()、()放大电路。
150、多级放大器中,前级是后级的,后级是前级的。
151、某三极管的极限参数PCM=150mw,ICM=100mA,V(BR)CEO=30V若它的工作电压VCE=10V,则工作电流不得超过__________,若它的工作电压VCE=1V,则工作电流不得超过__________,则工作电流IC=10mA,则工作电压不得超过__________。
152、在交流放大电路中,如果测得IC≈
,而UCE≈0,则该管处于()状态。
153、绝缘栅场效应管根据导电沟道的不同,可分为()和()两种类型。
154、在栅—源极之间加正向电压,才能存在导电沟道的绝缘栅场效应管,称为()型场效应管。
二.判断
1.电容滤波适用于负载经常变换的场合。
()
2.桥式整流电路中的一个二极管接反时,电路将变成半波整流电路.()
3.单级共射极放大电路具有放大和反相作用.()
4.射极输出器对电流,电压及功率均有放大作用.()
5.电感滤波电路的输出波形比较好(与电容滤波比较)。
()
6.整流电路加上电容滤波电路后二极管的导通时间变长。
()
7、在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素,可将其改型为P型半导体。
()
8、因为N型半导体的多子是自由电子,所以它带负电。
()
9、PN结在无光照、无外加电压时,结电流为零。
()
10、处于放大状态的晶体管,集电极电流是多子漂移运动形成的。
()
11、结型场效应管外加的栅-源电压应使栅-源间的耗尽层承受反向电压,才能保证其RGS大的特点。
()
12、若耗尽型N沟道MOS管的UGS大于零,则其输入电阻会明显变小。
()
13.少数载流子是自由电子的半导体称为P型半导体。
()
14.晶体三极管的发射区和集电区是由同一类型半导体构成的,所以E极和C极可以互换使用。
()
15.当集电极电流值大于集电极最大允许时,晶体三极管一定损坏。
()
16.三极管的主要参数有最大整流电流和反向击穿电压。
()
17.在单相半波整流电路中,VO=0.45V2。
()
18.光电二极管PN结只能加反偏电压。
()
19.温度升高二极管的反向饱和电流将增大。
()
20.多级放大器的通频带比组成它的各级放大器的通频带窄,级数愈少,通频带愈窄。
()
21.三极管在放大区具有恒流特性。
()
22.光电二极管有光线照射时,反向电阻增大。
()
23.稳压管的伏安特性与普通二极管相比较,其反向击穿区曲线变得平缓。
()
24.在稳定电压变化量相同的情况下,动态电阻越大越好。
()
25.与半波相比较,全波的脉动性变小,即纹波系数变大。
()
26.整流电路中变压器的作用是使交流电变成单向脉动电。
()
27.稳压管与负载的关系是反向串联。
()
28、无论是P型还是N型半导体,它们整个晶体仍是中性的,对外不显示电性。
()
29、NPN、PNP二种结构形式的三极管,它们对电源的极性要求相反,因此它们各电极中的电流方向也不同。
()
30、对于耗尽型绝缘栅场效应管,只有当栅—源极之间加正向电压即UGS〉0时,才存在导电沟道。
()
31、对于耗尽型绝缘栅场效应管,不论栅—源电压UGS为正,还是为负或零,都能起到控制电流ID的作用。
()
32、N沟道的增强型绝缘栅场效应管的开启电压大于零。
()
33.稳压管正常工作时属于热击穿而不是电击穿。
()
34.发光二极管的PN结是工作在正向偏置状态。
()
35.多级放大电路的输出电阻主要取决于第一级电路。
()
36.在整流电路中,已知输入电压为20V,带负载时的输出电压为24V,则电路形式为全波整流电感滤波。
()
37、少数载流子是自由电子的半导体称为P型半导体。
()
38、P型半导体中,空穴是多数载流子,因此P型半导体带正电。
()
39、当PN结的P区接电源的负极,而N区接电源的正极,PN结就会导通。
()
40、一般情况下,硅二极管导通后的正向压降比锗二极管的要小。
()
41、二极管加反向电压时,电压过高会被击穿。
()
42.晶体三极管具有能量放大作用。
()
三.选择
1.在某放大电路中,测得三极管三个电极的静态电位分别为0V,-10V,-9.3V,则这只三极管是()
A.NPN型硅管B.NPN型锗管C.PNP型硅管D.PNP型锗管
2.稳压二极管工作在伏安特性曲线的()
A.死区B.正向导通区C.反向截止区D.反向击穿区
3.在三极管放大电路中,三极管最高电位的一端是()
A.NPN管的发射极B.PNP管的发射极C.PNP管的集电极
4.NPN三极管放大偏置B.集电极为正向偏置C.始终工作在放大区
5.电路如图所示,设二极管正向电阻为零,反向电阻为无穷大,则电压UAB为()
A.-3VB.5V器设置合适的静态工作点,以保证放大信号时,三极管()
A.发射极为反向C.8VD.-8V
6.3DG6D型晶体三极管的PCM=100mW,ICM=20mA,U(BR)CEO=30V,如果将它接在IC=15mA,UCE=20V的电路中,则该管()
A.被击穿B.正常工作C.功耗太大过热甚至烧坏
7.二极管两端加上正向电压时()
A.一定导通B.超过死区电压才能导通C.超过0.7V才能导通D.超过0.3V才能导通
8.若某一单相桥式整流电路中有一只二极管短路,则()
A.VO会升高B.VO会降低C.VO不变D.不能正常工作
9.射极输出器是一种()电路
A.共发射极B.共集电极C.共基极
10.测得工作在放大电路中的三极管各电极电位如图所示,其中硅材料的NPN管是()
A.BCD
3.5V2.8V12V3V2.7V12V6V11.3V12V6V11.712V
11、单相桥式整流电路,变压器二次电压V2=10V,负载电阻为100Ω,流过二极管的电流IV为()
A.90mAB.45mAC.22.5mAD.100mA
12、三极管的β=99,反向饱和电流ICBO=5μA,则穿透电流ICEO=()
A.500μAB.5μAC.100μAD.495μA
13、当温度不变,PN结的反向电压增大时,将导致()。
A.空间电荷区不变,反向电流减小
B.空间电荷区变窄,
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