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电力电子基础

电力电子教案

第一章电力电子器件

一、教学目的与要求

通过本章的学习使学生掌握各种电力电子器件的特性和使用方法。

二、授课内容

1、电力电子器件的概念、特点和特性。

2、各种常用电力电子器件的工作原理、基本特性、主要参数及选择和使用中应注意的一些问题。

三、重点、难点及学生的要求

1、重点

1）晶闸管，GTO,GTR,P-MOSFE等电力电子器件的工作原理，基本特性及主要参数。

2）电力电子器件的驱动及保护

2、难点

各类电力电子器件的基本特性。

3、要求

1）掌握电力电子器件的型号命名法医及其参数和特性曲线的使用方法。

2）掌握各类电力电子器件驱动电路的特点。

3）熟悉各类保护电路的作用及原理。

4）了解电力电子器件的串并联使用方法

1.1电力电子器件的概念和特征电力电子电路的基础——电力电子器件概念:

电力电子器件（powerelectronicdevice）——可直接用于处理电能的主电路中，实现电能的变换或控制的电子器件

主电路（mainpowercircuit）——电气设备或电力系统中，直接承担电能

的变换或控制任务的电路

1.1.1应用电力电子器件的系统组成

电力电子系统：

由控制电路、驱动电路和以电力电子器件为核心的主电路组成控制电路按系统的工作要求形成控制信号，通过驱动电路去控制主电路中电力电子器件的通或断，来完成整个系统的功能。

由于主电路中往往有电压和电流的过冲，而电力电子器件一般比主电路中普通的元器件要昂贵，但承受过电压和过电流的能力却要差一些，因此，在主电路和控制电路中附加一些保护电路，以保证电力电子器件和整个电力电子系统正常可靠运行，也往往是非常必要的。

1.1.2电力电子器件的分类按照器件能够被控制电路信号所控制的程度，分为以下三类：

1）半控型器件:

通过控制信号可以控制其导通而不能控制其关断。

2）全控型器件:

通过控制信号既可控制其导通又可控制其关断，又称自关断器件。

3）不可控器件:

不能用控制信号来控制其通断,因此也就不需要驱动电路。

1．2不可控器件—电力二极管。

PowerDiode结构和原理简单，工作可靠，自20世纪50年代初期就获得应用。

快恢复二极管和肖特基二极管，分别在中、高频整流和逆变，以及低压高频整流的场合，具有不可替代的地位。

1.2.1PN结与电力二极管的工作原理

基本结构和工作原理与信息电子电路中的二极管一样

以半导体PN吉为基础，由一个面积较大的PN吉和两端引线以及封装组成的。

从外形上看，主要有螺栓型和平板型两种封装，N型半导体和P型半导体结合后构成PN吉。

交界处电子和空穴的浓度差别，造成了各区的多子向另一区的扩散运动，到对方区内成为少子，在界面两侧分别留下了带正、负电荷但不能任意移动的杂质离子。

这些不能移动的正、负电荷称为空间电荷

PN结的正向导通状态

电导调制效应使得PN吉在正向电流较大时压降仍然很低，维持在1V左右，所以正向偏置的PN吉表现为低阻态。

PN吉的反向截止状态

PN吉的单向导电性。

二极管的基本原理就在于PN吉的单向导电性这一主要特征。

PN吉的反向击穿

有雪崩击穿和齐纳击穿两种形式，可能导致热击穿。

PN吉的电容效应：

PN结的电荷量随外加电压而变化，呈现电容效应，称为结电容C,又称为微分电容。

结电容按其产生机制和作用的差别分为势垒电容Cb和扩散电容CDo势垒电容只在外加电压变化时才起作用。

外加电压频率越高，势垒电容作用越明显。

势垒电容的大小与PN吉截面积成正比，与阻挡层厚度成反比。

造成电力二极管和信息电子电路中的普通二极管区别的一些因素：

正向导通时要流过很大的电流，其电流密度较大，因而额外载流子的注入水平较高，电导调制效应不能忽略。

引线和焊接电阻的压降等都有明显的影响。

承受的电流变化率di/dt较大，因而其引线和器件自身的电感效应也会有较大影响。

为了提高反向耐压，其掺杂浓度低也造成正向压降较大。

1.2.2电力二极管的基本特性

1.静态特性

主要指其伏安特性

开通过程：

电力二极管的正向压降先出现一个过冲UFp，经过一段时间才趋于接近稳态压降的某个值（如2V）o这一动态过程时间被称为正向恢复时间tfro电导调制效应起作用需一定的时间来储存大量少子，达到稳态导通前管压降较大。

正向电流的

上升会因器件自身的电感而产生较大压降。

电流上升率越大，UF越高。

123电力二极管的主要参数

1.正向平均电流IF（AV）

额定电流在指定的管壳温度（简称壳温，用Tc表示）和散热条件下，其

允许流过的最大工频正弦半波电流的平均值。

正向平均电流是按照电流的发热效应来定义的，因此使用时应按有效值相等的原则来选取电流定额，并应留有一定的裕量。

当用在频率较高的场合时，开关损耗造成的发热往往不能忽略当采用反向漏电流较大的电力二极管时，其断态损耗造成的发热效应也不小。

2.正向压降LF

指电力二极管在指定温度下，流过某一指定的稳态正向电流时对应的正向压降，有时参数表中也给出在指定温度下流过某一瞬态正向大电流时器件的最大瞬时正向压降。

3.反向重复峰值电压LRrm

指对电力二极管所能重复施加的反向最高峰值电压，通常是其雪崩击穿电压

LB的2/3，使用时往往按照电路中电力二极管可能承受的反向最高峰值电压的两倍来选定。

4.最高工作结温TJm

结温是指管芯PN吉的平均温度，用Tj表示。

最高工作结温是指在PN吉不致损坏的前提下所能承受的最高平均温度。

Tjm通常

在125~175C范围之内。

5.反向恢复时间trr

trr=td+tf，关断过程中，电流降到零起到恢复反响阻断能力止的时间。

6.浪涌电流Ifsm

指电力二极管所能承受最大的连续一个或几个工频周期的过电流。

1.2.4电力二极管的主要类型

按照正向压降、反向耐压、反向漏电流等性能，特别是反向恢复特性的不同

介绍。

在应用时，应根据不同场合的不同要求选择不同类型的电力二极管。

性能上的不同是由半导体物理结构和工艺上的差别造成的。

1.普通二极管（GeneralPurposeDiode）

又称整流二极管（RectifierDiode）多用于开关频率不高（1kHz以下）的整流电路中，其反向恢复时间较长，一般在5乓以上，这在开关频率不高时并不重要。

正向电流定额和反向电压定额可以达到很高，分别可达数千安和数千伏以上。

2.快恢复二极管（FastRecoveryDiodeFRD

3.肖特基二极管

以金属和半导体接触形成的势垒为基础的二极管称为肖特基势垒二极管（SchottkyBarrierDiodeSBD，简称为肖特基二极管

20世纪80年代以来，由于工艺的发展得以在电力电子电路中广泛应用

肖特基二极管的弱点

当反向耐压提高时其正向压降也会高得不能满足要求，因此多用于200V以下反向漏电流较大且对温度敏感，因此反向稳态损耗不能忽略，而且必须更严格地限制其工作温度。

肖特基二极管的优点：

反向恢复时间很短（10~40ns）。

正向恢复过程中也不会有明显的电压过冲。

在反向耐压较低的情况下其正向压降也很小，明显低于快恢复二极管。

其开关损耗和正向导通损耗都比快速二极管还要小，效率高。

1•3半控器件一晶闸管

晶闸管（Thyristor）:

晶体闸流管，可控硅整流器（SiliconControlled

RectifierSCR

1956年美国贝尔实验室（BellLab）发明了晶闸管

1957年美国通用电气公司（GE开发出第一只晶闸管产品

1958年商业化

开辟了电力电子技术迅速发展和广泛应用的崭新时代

20世纪80年代以来，开始被性能更好的全控型器件取代

能承受的电压和电流容量最高，工作可靠，在大容量的场合具有重要地位

晶闸管往往专指晶闸管的一种基本类型一一普通晶闸管，广义上讲，晶闸管还包括其许多类型的派生器件

1.3.1晶闸管的结构与工作原理

外形有螺栓型和平板型两种封装

引出阳极A、阴极K和门极（控制端）GE个联接端

对于螺栓型封装，通常螺栓是其阳极，能与散热器紧密联接且安装方便

平板型封装的晶闸管可由两个散热器将其夹在中间

晶体管的特性是：

在低发射极电流下〉是很小的，而当发射极电流建立起来之后，

:

-迅速增大。

阻断状态：

Ig=O,冷+二很小。

流过晶闸管的漏电流稍大于两个晶体管漏电流之和。

开通（门极触发）：

注入触发电流使晶体管的发射极电流增大以致：

'l+'2趋近于1的话，流过晶闸管的电流IA邙日极电流）将趋近于无穷大，实现饱和导通。

IA实际由外电路决定。

其他几种可能导通的情况：

阳极电压升高至相当高的数值造成雪崩效应。

阳极电压上升率du/dt过高。

结温较高。

光直接照射硅片，即光触发。

光触发可以保证控制电路与主电路之间的良好绝缘而应用于高压电力设备中，其

它都因不易控制而难以应用于实践，称为光控晶闸管（LightTriggeredThyristorLTT）。

只有门极触发（包括光触发）是最精确、迅速而可靠的控制手段。

1.3.2晶闸管的基本特性

1.静态特性总结前面介绍的工作原理，可以简单归纳晶闸管正常工作时的特性如下：

承受反向电压时，不论门极是否有触发电流，晶闸管都不会导通。

承受正向电压时，仅在门极有触发电流的情况下晶闸管才能开通。

晶闸管一旦导通，门极就失去控制作用。

要使晶闸管关断，只能使晶闸管的电流降到接近于零的某一数值以下。

晶闸管的伏安特性

第I象限的是正向特性第III象限的是反向特性

1）正向特性

Ig=O时，器件两端施加正向电压，正向阻断状态，只有很小的正向漏电流流过，正向电压超过临界极限即正向转折电压Ubo,则漏电流急剧增大，器件开通。

随着门极电流幅值的增大，正向转折电压降低。

导通后的晶闸管特性和二极管的正向特性相仿。

晶闸管本身的压降很小，在1V左右。

导通期间，如果门极电流为零，并且阳极电流降至接近于零的某一数值Ih以下，则

晶闸管又回到正向阻断状态。

IH称为维持电流。

2）反向特性

晶闸管上施加反向电压时，伏安特性类似二极管的反向特性。

晶闸管处于反向阻断状态时，只有极小的反相漏电流流过。

当反向电压超过一定限度，到反向击穿电压后，外电路如无限制措施，则反向漏电流急剧增加，导致晶闸管发热损坏。

2.动态特性

1）开通过程

延迟时间td:

门极电流阶跃时刻开始，到阳极电流上升到稳态值的10%勺时间。

上升时间tr:

阳极电流从10%上升到稳态值的90%所需的时间。

开通时间tgt以上两者之和,

tgt=td+tr（1-6）

普通晶闸管延迟时为0.5~1.5乓，上升时间为0.5~3七。

晶闸管的开通和关断过程波形

2）关断过程

反向阻断恢复时间trr:

正向电流降为零到反向恢复电流衰减至接近于零的时间

正向阻断恢复时间tgr:

晶闸管要恢复其对正向电压的阻断能力还需要一段时间

在正向阻断恢复时间内如果重新对晶闸管施加正向电压，晶闸管会重新正向导通。

实际应用中，应对晶闸管施加足够长时间的反向电压，使晶闸管充分恢复其对正向电压的阻断能力，电路才能可靠工作。

关断时间tq：

trr与tgr之和，即tq=trr+tgr,普通晶闸管的关断时间约几百微秒。

1.3.3晶闸管的主要参数

1.电压定额1）通态平均电流IT（AV）晶闸管在环境温度为40°C和规定的

冷却状态下，稳定结温不超过额定结温时所允许流过的最大工频正弦半波电流的平

均值。

标称其额定电流的参数。

2）维持电流Ih:

――使晶闸管维持导通所必需的最小电流，一般为几十到几百毫安，与结温有关。

结温越高，则ih越小。

3）擎住电流Il――晶闸管刚从断态转入通态并移除触发信号后，能维持导通

所需的最小电流对同一晶闸管来说，通常IL约为IH的2~4倍。

4）浪涌电流ITSM指由于电路异常情况引起的并使结温超过额定结温的不重

复性最大正向过载电流。

2.电流定额1）通态平均电流IT（AV）2）维持电流Ih3）擎住电流IL4）

浪涌电流ITSM

3.动态参数除开通时间tgt和关断时间tq外，还有：

（1）断态电压临界上升率

du/dt在阻断的晶闸管两端施加的电压具有正向的上升率时，相当于一个电容的J2

结会有充电电流流过，被称为位移电流。

此电流流经J3结时，起到类似门极触发电流的作用。

如果电压上升率过大，使充电电流足够大，就会使晶闸管误导通。

（2）通态电流临界上升率di/dt如果电流上升太快，则晶闸管刚一开通，便会有

很大的电流集中在门极附近的小区域内，从而造成局部过热而使晶闸管损坏。

134晶闸管的派生器件

1.快速晶闸管（FastSwitchingThyristorFST）

包括所有专为快速应用而设计的晶闸管，有快速晶闸管和高频晶闸管。

管芯结构和制造工艺进行了改进，开关时间以及du/dt和di/dt耐量都有明显改善。

普通晶闸管关断时间数百微秒，快速晶闸管数十微秒，高频晶闸管10乓左右。

高频晶闸管的不足在于其电压和电流定额都不易做高。

由于工作频率较高，选择通态平均电流时不能忽略其开关损耗的发热效应。

2.双向晶闸管（TriodeACSwitchTRIAC或Bidirectionaltriode

thyristor）

3.逆导晶闸管（ReverseConductingThyristorRCT

4.光控晶闸管（LightTriggeredThyristorLTT）

1.4典型全控型器件

门极可关断晶闸管一一在晶闸管问世后不久出现。

20世纪80年代以来，信息电子技术与电力电子技术在各自发展的基础上相结合一一高频化、全控型、采用集成电路制造工艺的电力电子器件，从而将电力电子技术又带入了一个崭新时代。

典型代表——门极可关断晶闸管、电力晶体管、电力场效应晶体管、绝缘栅双极晶体管。

门极可关断晶闸管（Gate-Turn-OffThyristor—GTO

晶闸管的一种派生器件。

可以通过在门极施加负的脉冲电流使其关断。

GT啲电压、电流容量较大，与普通晶闸管接近，因而在兆瓦级以上的大功率场合仍有较多的应用。

1.4.1门极可关断晶闸管

1.GTO的结构和工作原理

与普通晶闸管一样，可以用图1-7所示的双晶体管模型来分析。

GTOE够通过门极关断的原因是其与普通晶闸管有如下区别：

由上述分析我们可以得到以下结论：

GT毋通过程与普通晶闸管一样，只是导通时饱和程度较浅。

GT欲断过程：

强烈正反馈一一门极加负脉冲即从门极抽出电流，贝UW减小，使Ik和G减小，G的减小又使Ia和Id减小，又进一步减小V的基极电流。

当Ia和Ik的减小使：

i+2<1时，器件退出饱和而关断。

多元集成结构还使GTO匕普通晶闸管开通过程快，承受di/dt能力强。

2.GTO勺动态特性

开通过程：

与普通晶闸管类似，需经过延迟时间td和上升时间tr。

关断过程：

与普通晶闸管有所不同

抽取饱和导通时储存的大量载流子一一储存时间ts，使等效晶体管退出饱和。

等效晶体管从饱和区退至放大区，阳极电流逐渐减小一一下降时间tf。

残存载流子复合一一尾部时间tto

通常tf比ts小得多，而tt比ts要长。

门极负脉冲电流幅值越大，前沿越陡，抽走储存载流子的速度越快，ts越短。

门极负脉冲的后沿缓慢衰减，在tt阶段仍保持适当负电压，则可缩短尾部时间。

1.GTR的结构和工作原理

在应用中，GTF一般采用共发射极接法。

当考虑到集电极和发射极间的漏电流Iceo时，ic和ib的关系为iciib+lceo，产品说明书中通常给直流电流增益hFE——在直流工作情况下集电极电流与基极电流之比。

一般可认为一：

hFE。

单管GTR勺］值比小功率的晶体管小得多，通常为10左右，采用达林顿接法可有效增大电流增益。

2.GTR的基本特性

⑴静态特性

共发射极接法时的典型输出特性：

截止区、放大区和饱和区。

在电力电子电路中GT工作在开关状态，即工作在截止区或饱和区

在开关过程中，即在截止区和饱和区之间过渡时，要经过放大区

⑵动态特性

开通过程

延迟时间td和上升时间tr，二者之和为开通时间ton。

td主要是由发射结势垒电容和集电结势垒电容充电产生的。

增大ib的幅值并增大dib/dt，可缩短延迟时间，同时可缩短上升时间，从而加快开通过程。

关断过程

储存时间ts和下降时间tf，二者之和为关断时间toff。

ts是用来除去饱和导通时储存在基区的载流子的，是关断时间的主要部分。

减小导通时的饱和深度以减小储存的载流子，或者增大基极抽取负电流Ib2的幅

值和负偏压，可缩短储存时间，从而加快关断速度。

负面作用是会使集电极和发射极间的饱和导通压降UCes增加，从而增大通态损耗。

GTR勺开关时间在几微秒以内，比晶闸管和GT都短很多。

1．4.2绝缘栅双极晶体管

GT和GT的特点一一双极型，电流驱动，有电导调制效应，通流能力很强，开关速度较低，所需驱动功率大，驱动电路复杂。

MOSFE的优点一一单极型，电压驱动，开关速度快，输入阻抗高，热稳定性好，所需驱动功率小而且驱动电路简单。

两类器件取长补短结合而成的复合器件一Bi-MOS器件

绝缘栅双极晶体管（Insulated-gateBipolarTransistorIGBT或IGT）

GT和MOSFE复合，结合二者的优点，具有好的特性。

1986年投入市场后，取代了GT和—部分MOSFE的市场，中小功率电力电子设备的主导器件。

继续提高电压和电流容量，以期再取代GTO勺地位。

1.IGBT的结构和工作原理

驱动原理与电力MOSFE基本相同，场控器件，通断由栅射极电压uge决定。

导通：

ug大于开启电压UGE（th）时，MOSFE内形成沟道，为晶体管提供基极电流，IGBT导通。

导通压降：

电导调制效应使电阻FN减小，使通态压降小。

关断：

栅射极间施加反压或不加信号时，MOSFE内的沟道消失，晶体管的基极电流被切断，IGBT关断。

2.IGBT的基本特性

1）IGBT的静态特性

转移特性一一lc与UG间的关系，与MOSFET移特性类似。

开启电压lGE（th）――IGBT能实现电导调制而导通的最低栅射电压。

」E（th）随温度升高而略有下降，在+25C寸，UGe®）的值一般为2~6匕

输出特性（伏安特性）一一以UGe为参考变量时，lc与UC间的关系。

分为三个区域：

正向阻断区、有源区和饱和区。

分别与GTR勺截止区、放大区和饱和区相对应。

Uce<0时，IGBT为反向阻断工作状态。

2）IGBT的动态特性

IGBT的开通过程

与MOSFET相似，因为开通过程中IGBT在大部分时间作为MOSFE运行。

开通延迟时间td（on）――从Uge上升至其幅值10%的时刻，到ic上升至10%Ici\2。

电流上升时间triC从10%C上升至90%C所需时间。

开通时间ton――开通延迟时间与电流上升时间之和。

UCE的下降过程分为tfv1和tfv2两段。

tfv1——IGBT中MOSFET独工作的电压下降过程；tfv2——MOSFETPN晶体管同时工作的电压下降过程。

IGBT的关断过程

关断延迟时间td（of）――从uge后沿下降到其幅值90%的时刻起，到ic下降至90%CM。

电流下降时间ic从90%c下降至10%cm。

关断时间toff——关断延迟时间与电流下降之和。

电流下降时间又可分为tfi1和tfi2两段。

tfi1IGBT内部的MOSFET关断过程，ic

下降较快；tfi2――IGBT内部的PN晶体管的关断过程，ic下降较慢。

IGBT中双极型PN晶体管的存在，虽然带来了电导调制效应的好处，但也引入了少子储存现象，因而IGBT的开关速度低于电力MOSFET

IGBT的击穿电压、通态压降和关断时间也是需要折衷的参数。

高压器件的N基区必须有足够宽度和较高的电阻率，这会引起通态压降的增大和关断时间的延长。

1.5其他新型电力电子器件

1.5.1MO控制晶闸管MCT

MC结合了二者的优点：

MOSFE的高输入阻抗、低驱动功率、快速的开关过程。

晶闸管的高电压大电流、低导通压降。

一个MC器件由数以万计的MC元组成，每个元的组成为：

一个PNPI晶闸管，一个控制该晶闸管开通的MOSFET和一个控制该晶闸管关断的MOSFET

MC曾一度被认为是一种最有发展前途的电力电子器件。

因此，20世纪80年代以来

一度成为研究的热点。

但经过十多年的努力，其关键技术问题没有大的突破，电压和电流容量都远未达到预期的数值，未能投入实际应用。

1.5.2静电感应晶体管SIT

SIT（StaticInductionTransistor）——1970年，结型场效应晶体管

小功率SIT器件的横向导电结构改为垂直导电结构，即可制成大功率的SIT

器件。

多子导电的器件，工作频率与电力MOSFE相当，甚至更高，功率容量更大，因而适用于高频大功率场合。

在雷达通信设备、超声波功率放大、脉冲功率放大和高频感应加热等领域获得应用。

缺点：

栅极不加信号时导通，加负偏压时关断，称为正常导通型器件，使用不太便。

通态电阻较大，通态损耗也大，因而还未在大多数电力电子设备中得到广泛应用。

1.5.3静电感应晶闸管SITH

SITH（StaticInductionThyristor）——1972年，又被称为场控晶闸管（FieldControlledThyristor——FCT）。

比SIT多了一个具有少子注入功能的PN吉，SITH是两种载流子导电的双极型器件，具有电导调制效应，通态压降低、通流能力强。

其很多特性与GT类似，但开关速度比GTOI得多，是大容量的快速器件。

SITH一般也是正常导通型，但也有正常关断型。

此外，其制造工艺比GTO复杂得多，电流关断增益较小，因而其应用范围还有待拓展。

1.5.4集成门极换流晶闸管IGCT

IGCT（IntegratedGate-CommutatedThyristor），也称GCT（Gate-Commutated

Thyristor）

20世纪90年代后期出现，结合了IGBT与GT（的优点，容量与GTO6当，开关速度快10倍，且可省去GTO庞大而复杂的缓冲电路，只不过所需的驱动功率仍很大。

目前正在与IGBT等新型器件激烈竞争，试图最终取代GT（在大功率场合的位置。

20世纪80年代中后期开始，模块化趋势，将多个器件封装在一个模块中，称为功率

模块。

可缩小装置体积，降低成本，提高可靠性。

对工作频率高的电路，可大大减小线路电感，从而简化对保护和缓冲电路的要求。

将器件与逻辑、控制、保护、传感、检测、自诊断等信息电子电路制作在同一芯片上，称为功率成电路（PowerIntegratedCircuit——PIC）。

类似功率集成电路的还有许多名称，但实际上各有侧重。

高压集成电路（HighVoltageIC――HVIC）—般指横向高压器件与逻辑或模拟控制电路的