最全的热电效应名词解释.docx

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最全的热电效应名词解释

塞贝克效应：

1821年，德国物理学家塞贝克发现，在两种不同的金属所组成的闭合回路中，当两接触处的温度不同时，回路中会产生一个电势，此所谓“塞贝克效应”。

塞贝克后来还对一些金属材料做出了测量，并对35种金属排成一个序列（即Bi-Ni-Co-Pd-U-Cu-Mn-Ti-Hg-Pb-Sn-Cr-Mo-Rb-Ir-Au-Ag-Zn-W-Cd-Fe-As-Sb-Te-……），并指出，当序列中的任意两种金属构成闭合回路时，电流将从排序较前的金属经热接头流向排序较后的金属。

1834年，法国实验科学家帕尔帖发现了它的反效应：

珀尔帖效应。

珀尔帖效应：

当有电流通过不同的导体组成的回路时,除产生不可逆的焦耳热外,在不同导体的接头处随着电流方向的不同会分别出现吸热、放热现象。

这是J.C.A.珀耳帖在1834年发现的。

如果电流由导体1流向导体2，则在单位时间内,接头处吸收/放出的热量与通过接头处的电流密度成正比。

12称为珀耳帖系数[1]，与接头处材料的性质及温度有关。

这一效应是可逆的，如果电流方向反过来，吸热便转变成放热。

汤姆孙效应：

汤姆逊利用他所创立的热力学原理对塞贝克效应和帕尔帖效应进行了全面分析，并将本来互不相干的塞贝克系数和帕尔帖系数之间建立了联系。

汤姆逊认为，在绝对零度时，帕尔帖系数与塞贝克系数之间存在简单的倍数关系。

在此基础上，他又从理论上预言了一种新的温差电效应，即当电流在温度不均匀的导体中流过时，导体除产生不可逆的焦耳热之外，还要吸收或放出一定的热量（称为汤姆孙热）。

或者反过来，当一根金属棒的两端温度不同时，金属棒两端会形成电势差。

这一现象后叫汤姆逊利用他所创立的热力学原理对塞贝克效应和帕尔帖效应进行了全面分析，并将本来互不相干的塞贝克系数和帕尔帖系数之间建立了联系。

汤姆逊认为，在绝对零度时，帕尔帖系数与塞贝克系数之间存在简单的倍数关系。

在此基础上，他又从理论上预言了一种新的温差电效应，即当电流在温度不均匀的导体中流过时，导体除产生不可逆的焦耳热之外，还要吸收或放出一定的热量（称为汤姆孙热）。

或者反过来，当一根金属棒的两端温度不同时，金属棒两端会形成电势差。

这一现象后叫汤姆孙效应（Thomsoneffect），成为继塞贝克效应和帕尔帖效应之后的第三个热电效应（thermoelectriceffect）。

汤姆逊效应是导体两端有温差时产生电势的现象，帕尔帖效应是带电导体的两端产生温差（其中的一端产生热量，另一端吸收热量）的现象，两者结合起来就构成了塞贝克效应。

汤姆逊效应的物理学解释是：

金属中温度不均匀时，温度高处的自由电子比温度低处的自由电子动能大。

像气体一样，当温度不均匀时会产生热扩散，因此自由电子从温度高端向温度低端扩散，在低温端堆积起来，从而在导体内形成电场，在金属棒两端便形成一个电势差。

这种自由电子的扩散作用一直进行到电场力对电子的作用与电子的热扩散平衡为止。

（Thomsoneffect），成为继塞贝克效应和帕尔帖效应之后的第三个热电效应（thermoelectriceffect）。

汤姆逊效应是导体两端有温差时产生电势的现象，帕尔帖效应是带电导体的两端产生温差（其中的一端产生热量，另一端吸收热量）的现象，两者结合起来就构成了塞贝克效应。

汤姆逊效应的物理学解释是：

金属中温度不均匀时，温度高处的自由电子比温度低处的自由电子动能大。

像气体一样，当温度不均匀时会产生热扩散，因此自由电子从温度高端向温度低端扩散，在低温端堆积起来，从而在导体内形成电场，在金属棒两端便形成一个电势差。

这种自由电子的扩散作用一直进行到电场力对电子的作用与电子的热扩散平衡为止。

帕尔帖系数：

电流的方向决定了吸收还是产生热量，发热（制冷）量的多少与电流的大小成正比，比例系数称为“帕尔帖系数”。

Q=л·I=a·Tc·I，其中л=a·Tc

式中：

Q——放热或吸热功率

π——比例系数，称为珀尔帖系数

I——工作电流

a——温差电动势率

Tc——冷接点温度

热力学三大定律：

热力学第一定律是能量守恒定律。

热力学第二定律有几种表述方式：

克劳修斯表述热量可以自发地从较热的物体传递到较冷的物体，但不可能自发地从较冷的物体传递到较热的物；开尔文-普朗克表述不可能从单一热源吸取热量，并将这热量变为功，而不产生其他影响。

热力学第三定律通常表述为绝对零度时，所有纯物质的完美晶体的熵值为零。

或者绝对零度（T=0K）不可达到。

热力学第零定律：

如果两个热力学系统中的每一个都与第三个热力学系统处于热平衡，那么它们也必定处于热平衡。

热力学第二定律有几种表述方式：

克劳修斯表述　热量可以自发地从较热的物体传递到较冷的物体，但不可能自发地从较冷的物体传递到较热的物体；

开尔文-普朗克表述　不可能从单一热源吸取热量，并将这热量变为功，而不产生其他影响。

熵表述　随时间进行，一个孤立体系中的熵总是不会减少。

N型半导体也称为电子型半导体。

N型半导体即自由电子浓度远大于空穴浓度的杂质半导体。

在纯净的硅晶体中掺入Ⅴ族元素（如磷、砷、锑等），使之取代晶格中硅原子的位置，就形成了N型半导体。

这类杂质提供了带负电（Negative）的电子载流子，称他们为施主杂质或n型杂质。

在N型半导体中，自由电子为多子，空穴为少子，主要靠自由电子导电，由于N型半导体中正电荷量与负电荷量相等，故N型半导体呈电中性。

自由电子主要由杂质原子提供，空穴由热激发形成。

掺入的杂质越多，多子（自由电子）的浓度就越高，导电性能就越强。

P型半导体也称为空穴型半导体。

P型半导体即空穴浓度远大于自由电子浓度的杂质半导体。

无杂质半导体：

在纯净的硅晶体中掺入三价元素（如硼），使之取代晶格中硅原子的位置，就形成P型半导体。

在P型半导体中，空穴为多子，自由电子为少子，主要靠空穴导电。

由于P型半导体中正电荷量与负电荷量相等，故P型半导体呈电中性。

空穴主要由杂质原子提供，自由电子由热激发形成。

掺入的杂质越多，多子（空穴）的浓度就越高，导电性能就越强。

半导体中的杂质对电阻率的影响非常大。

半导体中掺入微量杂质时，杂质原子附近的周期势场受到干扰并形成附加的束缚状态，在禁带中产加的杂质能级。

例如四价元素锗或硅晶体中掺入五价元素磷、砷、锑等杂质原子时，杂质原子作为晶格的一分子，其五个价电子中有四个与周围的锗（或硅）原子形成共价结合，多余的一个电子被束缚于杂质原子附近，产生类氢能级。

杂质能级位于禁带上方靠近导带底附近。

杂质能级上的电子很易激发到导带成为电子载流子。

这种能提供电子载流子的杂质称为施主，相应能级称为施主能级。

施主能级上的电子跃迁到导带所需能量比从价带激发到导带所需能量小得多（图2）。

在锗或硅晶体中掺入微量三价元素硼、铝、镓等杂质原子时，杂质原子与周围四个锗（或硅）原子形成共价结合时尚缺少一个电子，因而存在一个空位，与此空位相应的能量状态就是杂质能级，通常位于禁带下方靠近价带处。

价带中的电子很易激发到杂质能级上填补这个空位，使杂质原子成为负离子。

价带中由于缺少一个电子而形成一个空穴载流子（图3）。

这种能提供空穴的杂质称为受主杂质。

存在受主杂质时，在价带中形成一个空穴载流子所需能量比本征半导体情形要小得多。

半导体掺杂后其电阻率大大下降。

加热或光照产生的热激发或光激发都会使自由载流子数增加而导致电阻率减小，半导体热敏电阻和光敏电阻就是根据此原理制成的。

对掺入施主杂质的半导体，导电载流子主要是导带中的电子，属电子型导电，称N型半导体。

掺入受主杂质的半导体属空穴型导电，称P型半导体。

半导体在任何温度下都能产生电子-空穴对，故N型半导体中可存在少量导电空穴，P型半导体中可存在少量导电电子，它们均称为少数载流子。

在半导体器件的各种效应中，少数载流子常扮演重要角色。

氧化物半导体（oxidesemiconductor）具有半导体特性的一类氧化物。

氧化物半导体的电学性质与环境气氛有关。

导电率随氧化气氛而增加称为氧化型半导体，是p型半导体；电导率随还原气氛而增加称为还原型半导体，是n型半导体；导电类型随气氛中氧分压的大小而成p型或n型半导体称为两性半导体。

非单晶氧化物可用纯金属高温下直接氧化或通过低温化学反应（如金属氯化物与水的复分解反应）来制备。

氧化物单晶的制备有焰熔法、熔体生长法和气相反应生长法。

氧化物半导体ZnO、CdO、SnO2等常用于制造气敏元件，Fe2O3、Cr2O3、Al2O3等常用于制造湿敏元件；SnO2膜用于制做透明电极等。

非晶半导体amorphoussemiconductor[1]具有半导体特性的非晶体组成的材料，如α-硅、α-锗、α-砷化镓、α-硫化砷、α-硒等非晶材料。

这类材料，原子排列短程有序，长程无序。

又称无定形半导体。

部分称作玻璃半导体。

非晶半导体按键合力的性质分为共价键非晶半导体和离子键非晶半导体两类。

可用液相快冷方法和真空蒸发或溅射的方法制备。

工业上用于制备非晶半导体件，如太阳能电池、传感器、光盘、薄膜晶体管等。

：

非晶材料英文名称：

amorphousmaterials结构长程无序、没有晶体周期性的固体材料。

施主指掺入半导体中能提供导电电子而改变其导电性能的一类杂质.其能级应该叫做施主能级。

例如，掺入半导体锗和硅中的五价元素砷、磷等原子都是施主.如果在某一半导体的杂质总量中，施主的总量占多数，则这类半导体是N型半导体。

受主掺入半导体中的一类杂质或缺陷，它能接受半导体中的价带电子，产生同数量的空穴，从而改变半导体的导电性能.例如，掺入半导体锗和硅中的三价元素硼、镓等原子都是受主.如果某一半导体的杂质总量中，受主的数量占多数，则这半导体是P型半导体.，这种杂质或缺陷叫做受主[1]，其能级叫做受主能级。

价带中的电子如获得一定能量，可以跳到受主能级上，同时价带中出现一个空穴。

这一过程也可以理解为：

束缚在受主能级上的空穴获得一定能量后进入价带，成为自由空穴，这一能量叫做空穴的电主取胜。

电离能小的受主能级是浅受主能级，电离能大的是深受主能级。

在能级图上空穴能量是向下增加的，受主能级在价带顶上方。

硼、铝、铟、镓是锗、硅中的浅受主能级杂质。

硼、铝、铟、镓也称为锗、硅中的P型杂质。

深能级受主可能成为电子陷阱或复合中心。

价带（valenceband）或称价电带，通常是指半导体或绝缘体中，在绝对零度下能被电子占满的最高能带。

对半导体而言，此能带中的能级基本上是连续的。

全充满的能带中的电子不能在固体中自由运动。

但若该电子受到光照，它可吸收足够能量而跳入下一个容许的最高能区，从而使价带变成部分充填，此时价带中留下的电子可在固体中自由运动。

价带中电子的自由运动对于与晶体管有关的现象是很重要的。

被价电子占据的允带（低温下通常被价电子占满）。

能带结构在固体物理学中，固体的能带结构[1]（又称电子能带结构）描述了禁止或允许电子所带有的能量，这是周期性晶格中的量子动力学电子波衍射引起的。

材料的能带结构决定了多种特性，特别是它的电子学和光学性质。

单个自由原子的电子占据了原子轨道，形成一个分立的能级结构。

如果几个原子集合成分子，他们的原子轨道发生类似于耦合振荡的分离。

这会产生与原子数量成比例的分子轨道。

当大量（数量级为1020或更多）的原子集合成固体时，轨道数量急剧增多，轨道相互间的能量的差别变的非常小。

但是，无论多少原子聚集在一起，轨道的能量都不是连续的。

这些能级如此之多甚至无法区分。

首先，固体中能级的分离与电子和声原子振动持续的交换能相比拟。

其次，由于相当长的时间间隔，它接近于由于海森伯格的测不准原理引起的能量的不确定度。

物理学中流行的方法是从不带电的电子和原子核出发，因为它们是自由的平面波，可以具有任意能量，并在带电后衰减。

这导致了布拉格反射和带结构。

导带】conductionband导带是由自由电子形成的能量空间。

即固体结构内自由运动的电子所具有的能量范围。

对于金属，所有价电子所处的能带就是导带。

对于半导体，所有价电子所处的能带是所谓价带，比价带能量更高的能带是导带。

在绝对零度温度下，半导体的价带（valenceband）是满带（见能带理论），受到光电注入或热激发后，价带中的部分电子会越过禁带（forbiddenband/bandgap）进入能量较高的空带，空带中存在电子后即成为导电的能带——导带。

能隙（Bandgapenergygap）或译作能带隙，在固态物理学中泛指半导体或是绝缘体的价带（valenceband）顶端至传导带（conductionband）底端的能量差距。

能带理论是研究固体中电子运动规律的一种近似理论。

固体由原子组成，原子又包括原子实和最外层电子，它们均处于不断的运动状态。

为使问题简化，首先假定固体中的原子实固定不动，并按一定规律作周期性排列，然后进一步认为每个电子都是在固定的原子实周期势场及其他电子的平均势场中运动，这就把整个问题简化成单电子问题。

能带理论就属这种单电子近似理论，它首先由F.布洛赫和L.-N.布里渊在解决金属的导电性问题时提出。

费米能在固体物理学中，一个由无相互作用的费米子组成的系统的费米能（EF）表示在该系统中加入一个粒子引起的基态能量的最小可能增量。

费米能亦可等价定义为在绝对零度时，处于基态的费米子系统的化学势，或上述系统中处于基态的单个费米子的最高能量。

费米能是凝聚态物理学的核心概念之一。

虽然严格来说，费米能级是指费米子系统在趋于绝对零度时的化学位；但是在半导体物理和电子学领域中，费米能级则经常被当做电子或空穴化学势的代名词。

一般来说，“费米能级"这个术语所代表的含义可以从上下语境中判断。

格波原子热振动的一种描述。

从整体上看,处于格点上的原子的热振动可描述成类似于机械波传播的结果,这种波称为格波。

格波的一个特点是,其传播介质并非连接介质,而是由原子,离子等形成的晶格，即晶格的振动模。

晶格具有周期性，因而，晶格的振动模具有波的形式。

格波和一般连续介质波有共同的波的特性，但也有它不同的特点。

声子就是“晶格振动的简正模能量量子。

”英文是phonon。

在固体物理学的概念中，结晶态固体中的原子或分子是按一定的规律排列在晶格上的。

在晶体中，原子间有相互作用，原子并非是静止的，它们总是围绕着其平衡位置在作不断的振动。

另一方面，这些原子又通过其间的相互作用力而连系在一起，即它们各自的振动不是彼此独立的。

原子之间的相互作用力一般可以很好地近似为弹性力。

形象地讲，若把原子比作小球的话，整个晶体犹如由许多规则排列的小球构成，而小球之间又彼此由弹簧连接起来一般，从而每个原子的振动都要牵动周围的原子，使振动以弹性波的形式在晶体中传播。

这种振动在理论上可以认为是一系列基本的振动（即简正振动）的叠加。

当原子振动的振幅与原子间距的比值很小时（这在一般情况下总是固体中在定量上高度正确的原子运动图象），如果我们在原子振动的势能展开式中只取到平方项的话（这即所谓的简谐近似），那么，这些组成晶体中弹性波的各个基本的简正振动就是彼此独立的。

换句话说，每一种简正振动模式实际上就是一种具有特定的频率ν、波长λ和一定传播方向的弹性波，整个系统也就相当于由一系列相互独立的谐振子构成。

在经典理论中，这些谐振子的能量将是连续的，但按照量子力学，它们的能量则必须是量子化的，只能取hω的整数倍，即En=（n+1/2）hν（其中1/2hν为零点能）。

这样，相应的能态En就可以认为是由n个能量为hν的“激发量子”相加而成。

而这种量子化了的弹性波的最小单位就叫声子。

声子是一种元激发。

声子是简谐近似下的产物，如果振动太剧烈，超过小振动的范围，那么晶格振动就要用非简谐振动理论描述。

声子并不是一个真正的粒子，声子可以产生和消灭，有相互作用的声子数不守恒，声子动量的守恒律也不同于一般的粒子，并且声子不能脱离固体存在。

声子只是格波激发的量子，在多体理论中称为集体振荡的元激发或准粒子。

声子的化学势为零，属于玻色子，服从玻色-爱因斯坦统计。

声子本身并不具有物理动量，但是携带有准动量，并具有能量。

声发射:

在材料裂纹的端部，随裂纹的扩展，会发射出各种频率的弹性波,它被称之为声发射。

用压电变换元件检测此时发出的弹性波,可测定有无裂纹以及断裂的开始，断裂源的位置等。

热电势：

两种不同的金属相互接触时，其接触端与非接触端的温度若不相等，则在两种金属之间产生的电位差称为热电势。

电导率：

电导率，物理学概念，指在介质中该量与电场强度之积等于传导电流密度。

对于各向同性介质，电导率是标量；对于各向异性介质，电导率是张量。

生态学中，电导率是以数字表示的溶液传导电流的能力。

单位以西门子每米（S/m）表示。

电导率的测量通常是溶液的电导率测量。

固体导体的电阻率可以通过欧姆定律和电阻定律测量。

电解质溶液电导率的测量一般采用交流信号作用于电导池的两电极板，由测量到的电导池常数K和两电极板之间的电导G而求得电导率σ。

电导率测量中最早采用的是交流电桥法，它直接测量到的是电导值。

最常用的仪器设置有常数调节器、温度系数调节器和自动温度补偿器，在一次仪表部分由电导池和温度传感器组成，可以直接测量电解质溶液电导率。

电导率的测量原理；电导率的测量原理是将相互平行且距离是固定值L的两块极板（或圆柱电极），放到被测溶液中，在极板的两端加上一定的电势（为了避免溶液电解，通常为正弦波电压，频率1～3kHz）。

然后通过电导仪测量极板间电导。

电导率的测量需要两方面信息。

一个是溶液的电导G，另一个是溶液的电导池常数Q。

电导可以通过电流、电压的测量得到。

根据关系式K=Q×G可以得到电导率的数值。

这一测量原理在直接显示测量仪表中得到广泛应用。

而Q=L/A

A——测量电极的有效极板面积

L——两极板的距离

这一值则被称为电极常数。

在电极间存在均匀电场的情况下，电极常数可以通过几何尺寸算出。

当两个面积为1cm的方形极板，之间相隔1cm组成电极时，此电极的常数Q=1cm-1。

如果用此对电极测得电导值G=1000μs，则被测溶液的电导率K=1000μs/cm。

一般情况下，电极常形成部分非均匀电场。

此时，电极常数必须用标准溶液进行确定。

标准溶液一般都使用KCl溶液这是因为KCl的电导率的不同的温度和浓度情况下非常稳定，准确。

0.1mol/l的KCl溶液在25℃时电导率为12.88ms/cm。

电阻率电阻率是用来表示各种物质电阻特性的物理量。

某种材料制成的长1米、横截面积是1平方毫米的在常温下（20℃时）导线的电阻，叫做这种材料的电阻率。

电阻率的单位是欧姆米（Ω·m或ohmm），常用单位是欧姆毫米和欧姆米。

在温度一定的情况下，有公式R=ρl/s其中的ρ就是电阻率，l为材料的长度，S为面积。

可以看出，材料的电阻大小与材料的长度成正比，而与其截面积成反比。

电阻率（resistivity）是用来表示各种物质电阻特性的物理量。

在温度一定的情况下，有公式R=ρL/s其中的ρ就是电阻率，L为材料的长度，S为面积。

可以看出，材料的电阻大小与材料的长度成正比，即在材料和横截面积不变时，长度越长，材料电阻越大：

而与材料横截面积成反比，即在材料和长度不变时，横截面积越大，电阻越小。

由上式可知电阻率的定义：

ρ=RS/L

推导公式：

R=ρV/（S^2）R=ρ（L^2）/V

计算公式

电阻率的计算公式为：

ρ=RS/L

ρ为电阻率——常用单位Ω·m

S为横截面积——常用单位㎡

R为电阻值——常用单位Ω

L为导线的长度——常用单位m

-----------------------------------------

电阻率的另一计算公式为：

ρ=E/J

ρ为电阻率——常用单位Ω·mm2/m[1]

E为电场强度——常用单位N/C

J为电流密度——常用单位A/㎡

（E，J可以为矢量）

编辑本段说明

1．电阻率ρ不仅和导体的材料有关，还和导体的温度有关。

在温度变化不大的范围内：

几乎所有金属的电阻率随温度作线性变化，即ρ=ρo（1+at）。

式中t是摄氏温度，ρo是O℃时的电阻率，a是电阻率温度系数。

2．由于电阻率随温度改变而改变，所以对于某些电器的电阻，必须说明它们所处的物理状态。

如一个220V-100W电灯灯丝的电阻，通电时是484欧姆，未通电时只有40欧姆左右。

3．电阻率和电阻是两个不同的概念。

电阻率是反映物质对电流阻碍作用的属性，电阻是反映物体对电流阻碍作用的能力大小。

热导率位时间内单位面积上通过的热量与温度梯度的比例系数。

定义：

当温度垂直改下梯度为1℃/m时，单位时间内通过单位水平截面积所传递的热量

英文：

coefficientofthermalconductivity

或称“导热系数”。

是物质导热能力的量度。

符号为λ或K。

其定义为：

在物体内部垂直于导热方向取两个相距1米，面积为1平方米的平行平面，若两个平面的温度相差1K，则在1秒内从一个平面传导至另一个平面的热量就规定为该物质的热导率，其单位为瓦特·米-1·开-1（W·m-1·K-1）。

如没有热能损失，对于一个对边平行的块形材料，则有

E/t=λA（θ2-θ1）/ι

式中E是在时间t内所传递的能量，A为截面积，ι为长度，θ2和θ1分别为两个截面的温度。

在一般情况下有：

dE/dt=-λAdθ/dι

热导率λ很大的物体是优良的热导体；而热导率小的是热的不良导体或为热绝缘体。

λ值受温度影响，随温度增高而稍有增加。

若物质各部之间温度差不很大时，在实用上对整个物质可视λ为一常数。

晶体冷却时，它的热导率增加极快。