光伏电池材料第二次形考任务国开内蒙古参考资料.docx
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光伏电池材料第二次形考任务国开内蒙古参考资料
光伏电池材料-第二次形考任务--02741国开(内蒙古)-参考资料
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第1题区熔法制备单晶硅时,需要()。
A.需要一个石墨坩埚
B.不需要坩埚
C.需要一个石英坩埚和一个石墨坩埚
D.需要一个石英坩埚用于溶化
参考答案是:
不需要坩埚
第2题关于采用区域提纯法去除硅中硼杂的区域提纯杂质描述正确的是()
A.取决于硼的含量
B.取决于温度效果显著
C.效果一般完全去除
D.几乎无法效果去除
参考答案是:
几乎无法效果去除
第3题dash工艺主要解决的是()。
A.减少缺陷(位错)
B.加入转晶
C.热应力
D.放肩
参考答案是:
减少缺陷(位错)
第4题占据晶格间隙位置的杂质原子为()。
A.原生长缺陷
B.本征点缺陷
C.间隙杂质原子
D.替位杂质原子
参考答案是:
间隙杂质原子
第5题吸附时不发生任何化学变化,是()。
A.以上皆不是
B.化学吸附
C.物理吸附
D.不可逆过程
参考答案是:
物理吸附
第6题在工业硅的生产炉中,温度在2000℃以上的部分,()。
A.底下是SiC,其上面是产品工业硅
B.只有熔炼过程中生成的SiC
C.以上皆不是
D.全部都是产品工业硅
参考答案是:
底下是SiC,其上面是产品工业硅
第7题生产直拉单晶硅生产时,单晶炉内需要通入()作为保护气体炉体内通常是()。
A.常压的空气
B.氧气低压的空气
C.低压的氩气
D.低压的氮气氢气
参考答案是:
低压的氩气
第8题()是生产太阳能级硅材料的主要技术。
A.改良西门子法
B.四氯化硅金属还原法
C.二氧化硅高纯试剂还原法
D.冶金法
参考答案是:
改良西门子法
第9题改良西门子法所采用的提纯工艺是()。
A.区域提纯
B.精馏
C.物理提纯法
D.吸附
参考答案是:
精馏
第10题代号2205的工业硅,其中铁、铝、钙三种杂质的含量分别是()。
A.0.20%、0.05%、0.20%
B.0.20%、0.20%、0.05%
C.0.05%、0.20%、0.20%
D.以上都不对
参考答案是:
0.20%、0.20%、0.05%
第11题关于分子筛说法错误的是()。
A.也叫合成沸石
B.分子筛晶体内有许多孔径均匀的孔道和排列整齐的孔穴,提供了大量的比表面
C.具有极性
D.对非极性分子具有较强的亲和力
参考答案是:
对非极性分子具有较强的亲和力
第12题cz法生长单晶硅工艺依次有加料、熔化以及()。
A.放肩生长、缩颈生长、等径生长、尾部生长
B.等径生长、缩颈生长、放肩生长、尾部生长
C.缩颈生长、放肩生长、等径生长、尾部生长
D.缩颈生长、等径生长、放肩生长、尾部生长
参考答案是:
缩颈生长、放肩生长、等径生长、尾部生长
第13题微电子工业和单晶硅太阳电池的生产的特点在于()。
A.从高纯多晶硅转化成单晶硅的步骤都非常重要
B.前者主要采用FZ硅,而后者主要采用CZ硅
C.后者采用直拉法或区熔法单晶硅,而前者不是
D.两者可以采用同样的高纯多晶硅作为原料
参考答案是:
从高纯多晶硅转化成单晶硅的步骤都非常重要
第14题
硅石和还原剂在低于1500℃时,发生的反应是()。
A.SiO2+2SiC=3Si+2CO↑
B.2SiO2+SiC=3SiOuarr;+CO↑
C.SiO2+3C=SiC+2CO↑
D.无化学反应,仅为预热
参考答案是:
无化学反应,仅为预热
第15题晶体生长过程中产生的缺陷称为()。
A.原生长缺陷
B.二次缺陷
C.点缺陷
D.诱生缺陷
参考答案是:
原生长缺陷
第16题金刚石结构的晶体中位错滑移最容易产生的滑移面是()。
A.{111}面
B.{101}面
C.{110}面
D.{100}面
参考答案是:
{111}面
第17题对比传统西门子法,改良西门子法的优点,错误的是()。
A.节约时间
B.减少污染
C.降低物耗
D.节能
参考答案是:
节约时间
第18题太阳电池用直拉单晶硅中的主要缺陷是()。
A.二次缺陷
B.位错
C.空位
D.杂质原子
参考答案是:
位错
第19题微电子工业和单晶硅太阳电池的生产的特点在于()。
A.从高纯多晶硅转化成单晶硅的步骤都非常重要
B.后者采用直拉法或区熔法单晶硅,而前者不是
C.前者主要采用FZ硅,而后者主要采用CZ硅
D.两者可以采用同样的高纯多晶硅作为原料
参考答案是:
从高纯多晶硅转化成单晶硅的步骤都非常重要
第20题工业硅加工产品的附加值最高的是()。
A.生产合金
B.生产光纤、多晶硅、单晶硅等通讯、半导体器件和太阳能电池
C.以上皆不是
D.有机硅生产
参考答案是:
生产光纤、多晶硅、单晶硅等通讯、半导体器件和太阳能电池
第21题化学法提纯高纯多晶硅的工艺包括()。
A.中间化合物的合成
B.中间产物被还原或者是分解成高纯硅还原成高纯硅
C.区域提纯
D.中间化合物的分离提纯
参考答案是:
中间化合物的合成,中间化合物的分离提纯,中间产物被还原或者是分解成高纯硅还原成高纯硅
第22题关于硅粉与氯化氢合成三氯氢硅的生产工艺说法正确的是()。
A.吸热反应
B.放热反应
C.要加热到所需温度才能进行
D.温度升高后反而将影响产品收率
参考答案是:
要加热到所需温度才能进行,放热反应,温度升高后反而将影响产品收率
第23题关于晶转说法正确的是()。
A.晶体和坩埚的旋转方向相同,以改善热场的对称性
B.吊索和晶体出现共振时效果最好
C.在某些晶转下,棱线或者小平面与直径的读取同步,引起直径的读值和拉速的大幅度跳动
D.过高的晶转会使固液界的形状太凹
参考答案是:
过高的晶转会使固液界的形状太凹,在某些晶转下,棱线或者小平面与直径的读取同步,引起直径的读值和拉速的大幅度跳动
第24题工业硅生产过程中,要注意的是()。
A.通过选择合理的炉子结构参数和电气参数,保证反应区有足够高的温度
B.保持料层有良好的透气性,及时排除反应生成的气体
C.及时捣炉,帮助沉料
D.及时调整配料比,保持适宜的SiO2与碳的分子比
参考答案是:
及时调整配料比,保持适宜的SiO2与碳的分子比,通过选择合理的炉子结构参数和电气参数,保证反应区有足够高的温度,及时捣炉,帮助沉料,保持料层有良好的透气性,及时排除反应生成的气体
第25题晶体中点缺陷浓度是()效应共同作用的结果。
A.点缺陷分解
B.点缺陷的扩散
C.点缺陷的复合
D.点缺陷的产生
参考答案是:
点缺陷的产生,点缺陷的扩散,点缺陷的复合
第26题cz法产生位错的环节和方式有()。
A.籽晶中的位错延伸、增殖
B.籽晶表面损伤、机械磨损裂痕
C.单晶冷却时,晶体表面和中心由于收缩率不同产生很大的应力
D.晶体表面存在温度梯度,产生很强的热应力
参考答案是:
籽晶表面损伤、机械磨损裂痕,籽晶中的位错延伸、增殖,单晶冷却时,晶体表面和中心由于收缩率不同产生很大的应力,晶体表面存在温度梯度,产生很强的热应力
第27题石墨坩埚的寿命取决于()。
A.石墨坩埚的形状
B.承受的重量
C.在晶体生长过程中的受热程度
D.石墨的材质
参考答案是:
石墨的材质,承受的重量,在晶体生长过程中的受热程度,石墨坩埚的形状
第28题以下对吸附描述正确的是升温和降压有助于()。
A.化学吸附是不可逆的降压只是让水蒸气更容易挥发
B.脱咐的进行物理吸附是不可逆的
C.物理.吸附的进行吸附是可逆的
D.升温对于物理吸附影响很小化学吸附是可逆的
参考答案是:
物理.吸附的进行吸附是可逆的,化学吸附是不可逆的降压只是让水蒸气更容易挥发
第29题关于对czcz法和fzfz法说法描述正确的是()。
A.熔化时都需要采用坩埚
B.都需要采用真空气氛保护
C.都需要使用缩颈工艺
D.生长时都需借助要采用籽晶
参考答案是:
生长时都需借助要采用籽晶,都需要采用真空气氛保护
第30题大热场的石墨坩埚往往被做成两瓣或三瓣式的原因在于()。
A.降低成本
B.方便安装
C.防止石墨坩埚被膨胀的石英坩埚撑破
D.吸收剩余的熔硅凝固时体积增大而造成的应力,从而减少漏硅的危险
参考答案是:
防止石墨坩埚被膨胀的石英坩埚撑破,吸收剩余的熔硅凝固时体积增大而造成的应力,从而减少漏硅的危险
第31题位错影响说法正确的是()。
A.位错能够改变载流子浓度
B.刃型位错也可能作为一排受主
C.刃性位错作为一排施主中心向导带提供电子
D.位错作为一个线电荷和空间电荷圆柱成为复合中心
参考答案是:
刃性位错作为一排施主中心向导带提供电子,刃型位错也可能作为一排受主,位错能够改变载流子浓度,位错作为一个线电荷和空间电荷圆柱成为复合中心
第32题磷在硅中很容易去除,在于()。
A.磷在硅中的分配系数小于1
B.磷的熔点低
C.磷在硅熔液中很快得到蒸发
D.磷的密度小
参考答案是:
磷在硅熔液中很快得到蒸发,磷在硅中的分配系数小于1
第33题直拉单晶炉的主室包括()。
A.石墨坩埚
B.石墨加热器
C.热绝缘筒和地盘
D.石英坩埚
参考答案是:
石英坩埚,石墨坩埚,石墨加热器,热绝缘筒和地盘
第34题硅烷法的特点是()。
A.硅烷易爆炸
B.易于分解为非晶硅
C.不需用氢还原,甲硅烷可以热分解为多晶硅
D.硅烷气体易于用吸附法提纯
参考答案是:
硅烷易爆炸,不需用氢还原,甲硅烷可以热分解为多晶硅,硅烷气体易于用吸附法提纯,易于分解为非晶硅
第35题关于sio说法正确的是()。
A.能与氧气发生反应
B.能在1500℃与C发生反应
C.SiO很容易发生化学反应
D.温度高于1500℃,由SiO2和SiC反应得到
参考答案是:
温度高于1500℃,由SiO2和SiC反应得到,SiO很容易发生化学反应,能与氧气发生反应,能在1500℃与C发生反应
第36题
具有金刚石结构的的晶体中的解理面包括位错线的优先方向为()。
A.{211}〈211〉晶面族晶向
B.{111}晶面族〈111〉晶向
C.{100}<110>晶向晶面族
D.〈210〉晶向{110}晶面族
参考答案是:
{111}晶面族〈111〉晶向,〈210〉晶向{110}晶面族
第37题工业吸附对于吸附剂的要求包括()。
A.选择性高
B.具有一定的机械强度,抗磨损
C.有良好的物理及化学性能,耐热冲击,耐腐蚀
D.具有较大的内表面,吸附容量大
参考答案是:
具有较大的内表面,吸附容量大,选择性高,具有一定的机械强度,抗磨损,有良好的物理及化学性能,耐热冲击,耐腐蚀
第38题无坩埚区域提纯()。
A.硅也能采用水平区域提纯法
B.也可用于晶体生长
C.避免了坩埚的污染
D.熔硅不会流动是由于其很大的表面张力
参考答案是:
也可用于晶体生长,避免了坩埚的污染,熔硅不会流动是由于其很大的表面张力
第39题关于完全互溶的a、b双组分的溶液与其混合蒸汽所组成的相图,说法正确的是()。
A.升温到气相线上,正好产生第一个气泡,故气相线又称为泡点曲线
B.被两条曲线分为三个区域
C.降温到液相线上,正好产生第一个气泡,故液相线又称为泡点曲线
D.降温到液相线,产生第一个液滴,故液相线称为露点曲线
参考答案是:
被两条曲线分为三个区域
第40题由于跟fz技术相比,cz法具有()。
A.通过晶转和锅转控制晶体-熔体边界层能较好的控制径向掺杂均匀度
B.对多晶形状要求低
C.熔体稳定
D.晶体直径大
参考答案是:
熔体稳定,晶体直径大,对多晶形状要求低,通过晶转和锅转控制晶体-熔体边界层能较好的控制径向掺杂均匀度
第41题冶金法制备高纯多晶硅与改良西门子法相比,前者的成本更低,但是电耗更多。
对
错
参考答案是:
“错”。
第42题闭路循环系统是指生产中的各种物料得到充分的利用,排出的废料极少。
对
错
参考答案是:
“对”。
第43题从安全性的角度考虑,改良西门子法优于硅烷法。
对
错
参考答案是:
“对”。
第44题对于一次熔化来说,正常凝固的提纯效果不如区域提纯的效果好。
对
错
参考答案是:
“错”。
第45题只通过湿法冶金技术来提纯硅材料,是很难将工业硅提纯到满足制作太阳能电池所需的要求。
对
错
参考答案是:
“对”。
第46题mcz法磁致粘滞性控制了流体的运动,也减少了熔体的温度波动。
对
错
参考答案是:
“对”。
第47题cz和fz均采用感应线圈进行加热。
对
错
参考答案是:
“对”。
第48题改良西门子法能对产生的氢气、氯化氢、氯硅烷等副产物进行回收利用。
对
错
参考答案是:
“对”。
第49题由于能量的原因,晶体中空位和自间隙原子在一定温度下的平衡浓度是一定的。
对
错
参考答案是:
“对”。
第50题甲硅烷常温下为气体,室温下就容易分解。
对
错
参考答案是:
“错”。
第51题单位长度位错线的能量正比于柏格斯矢量长度。
对
错
参考答案是:
“错”。
第52题fz硅占领了85%以上的硅单晶市场。
对
错
参考答案是:
“错”。
第53题改良西门子法的原料主要是硅石。
对
错
参考答案是:
“错”。
第54题改良西门子法是一个闭路循环系统,多晶硅生产中的各种无聊得到充分的利用,排出的废料极少。
对
错
参考答案是:
“对”。
第55题分子筛具有极性,对非极性分子具有较强的亲和力。
对
错
参考答案是:
“错”。
第56题精馏是实现多级部分汽化和多级部分冷凝的实用技术。
对
错
参考答案是:
“对”。
第57题硅是自然界分布最广泛的元素之一,是介于金属和非金属之间的半金属。
对
错
参考答案是:
“对”。
第58题化学吸附是放热过程,而物理吸附是吸热过程。
对
错
参考答案是:
“错”。
第59题sih4不能采用精馏技术进行提纯
对
错
参考答案是:
“错”。
第60题化学提纯时,中间化合物提纯到所需要的纯度后,在后续的还原工艺要求不需要很高。
对
错
参考答案是:
“错”。
第61题参考答案是:
当前答案是:
将工业硅的应用与用量一一对应。
(1)生产合金一一[C.55%]
(2)有机硅一一[B.40%]
(3)半导体器件和太阳能电池一一[A.5%]
第62题参考答案是:
当前答案是:
将化学反应与作用一一对应。
(1)SiHCl3+H2→Si+3HCl一一[C.中间产物的还原]
(2)Si+3HCl→SiHCl3+H2一一[A.中间产物的合成]
(3)3SiO2+2SiC=Si+4SiO↑+2CO↑一一[B.工业硅的合成]
第63题参考答案是:
当前答案是:
将硅中的微小的缺陷与描述一一对应。
(1)红外散射缺陷(LSTDs)一一[C.拉速越慢,LSTDs密度越低]
(2)流水花样缺陷(FPDs)一一[B.过饱和空位凝聚而成的空位团]
(3)晶体原生颗粒缺陷(COPs)一一[A.随着拉速的增加而增加]
第64题参考答案是:
当前答案是:
将Cz法中的工艺与描述一一对应。
(1)缩颈生长一一[A.减少位错]
(2)放肩生长一一[C.肩部夹角接近180°,这样可以提高多晶硅的利用率]
(3)等径生长一一[B.硅片取材的部位]
第65题参考答案是:
当前答案是:
将FZ单晶硅中的杂质与描述一一对应。
(1)O一一[A.危害大]
(2)C一一[B.浓度低,影响小]
(3)N一一[C.增强机械性能]
第66题参考答案是:
当前答案是:
将工艺与提纯方法一一对应。
(1)硅烷法一一[B.吸附]
(2)改良西门子法一一[A.精馏]
(3)冶金一一[C.物理提纯]
第67题参考答案是:
当前答案是:
将Cz法中的设备与描述一一对应。
(1)石英坩埚一一[C.纯度和耐热性能要求很搞]
(2)石墨坩埚一一[A.底部比较厚,以起到较好的绝热效果]
(3)石墨加热器一一[B.电阻会随着使用次数的增加而升高]
第68题参考答案是:
当前答案是:
将工业硅生产过程中的注意事项与作用一一对应。
(1)保持适宜的SiO2与碳的分子比一一[C.防止过多的SiC生成]
(2)保证反应区有足够高的温度一一[B.分解生成的SiC使反应向有利于生成硅的方向进行]
(3)及时捣炉,帮助沉料一一[A.避免炉内过热造成硅的挥发或再氧化生成SiO]
第69题参考答案是:
当前答案是:
将元素及其在硅熔体中的分凝系数一一对应。
(1)O一一[A.1.25]
(2)C一一[B.0.07]
(3)B一一[C.0.8]
第70题参考答案是:
当前答案是:
将氧的存在方式及其描述一一对应。
(1)热施主一一[B.处理温度处于300~500℃]
(2)新施主一一[A.热处理温度处于550~850℃]
(3)氧沉淀一一[C.适当的温度下进行热处理时会脱溶]
第71题参考答案是:
当前答案是:
将吸附的设备与工艺一一对应。
(1)流体和固体吸附剂置于同一容器内一一[C.间歇操作]
(2)固定吸附床一一[A.半连续操]
(3)移动吸附器一一[B.连续操作]
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