模电试题及答案.docx

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模电试题及答案

《模拟电子技术基础》试题（A卷）

学号姓名.

一、判断下列说法是否正确，用“×”或“√”表示判断结果。

（10分）

（1）在运算电路中，同相输入端和反相输入端均为“虚地”。

（）

（2）电压负反馈稳定输出电压，电流负反馈稳定输出电流。

（）

（3）使输入量减小的反馈是负反馈，否则为正反馈。

（）

（4）产生零点漂移的原因主要是晶体管参数受温度的影响。

（）

（5）利用两只NPN型管构成的复合管只能等效为NPN型管。

（）

（6）本征半导体温度升高后两种载流子浓度仍然相等。

（）

（7）未加外部电压时，PN结中电流从P区流向N区。

（）

（8）集成运放在开环情况下一定工作在非线性区。

（）

（9）只要引入正反馈，电路就会产生正弦波振荡。

（）

（10）直流稳压电源中的滤波电路是低通滤波电路。

（）

二、选择填空（10分）

（1）为了减小输出电阻，应在放大电路中引入；

为了稳定静态工作点，应在放大电路中引入。

（A）电流负反馈（B）电压负反馈（C）直流负反馈（D）交流负反馈

（2）RC串并联网络在

时呈。

（A）感性（B）阻性（C）容性

（3）通用型集成运放的输入级多采用。

（A）共基接法（B）共集接法（C）共射接法（D）差分接法

（4）两个β相同的晶体管组成复合管后，其电流放大系数约为。

（A）β（B）β2（C）2β（D）1+β

（5）在（A）、（B）、（C）三种电路中输出电阻最小的电路是；

既能放大电流，又能放大电压的电路是。

（A）共基放大电路（B）共集放大电路（C）共射放大电路

（6）当NPN型晶体管工作在放大区时，各极电位关系为uCuBuE。

（A）>（B）<（C）=（D）≤

（7）硅二极管的正向导通压降比锗二极管的。

（A）大（B）小（C）相等

三、（5分）图示电路中二极管为理想二极管，请判断它是否导通，并求出u0。

四、（10分）在图示电路中，已知晶体管静态时B-E间电压为UBEQ，电流放大系数为β，B-E间动态电阻为rbe。

填空：

静态时，IBQ的表达式为，ICQ的表达式为，UCEQ的表达式为；电压放大倍数的表达式为，输入电阻的表达式为，输出电阻的表达式为；若减小RB，则ICQ将，rbe将，

将，Ri将。

五、（10分）在图示电路中，已知晶体管静态时UBEQ=0.7V，电流放大系数为β=100，rbe=1kΩ，RB1=5kΩ，RB2=15kΩ，RE=2.3kΩ，RC=RL=3kΩ，VCC=12V。

（1）估算电路的静态工作点、电压放大倍数、输入电阻和输出电阻。

（2）估算信号源内阻为RS=1kΩ时，

的数值。

六、（10分）在图示电路中，已知VCC=12V，VEE=6V，恒流源电路

I=1mA，RB1=RB2=1kΩ，RC1=RC2=10kΩ；两只晶体管特性完全相同，

且β1=β2=100，rbe1=rbe2=2kΩ。

估算：

（1）电路静态时T1和T2管的集电极电位；

（2）电路的差模放大倍数Ad、共模放大倍数AC、输入电阻Ri和输出电阻R0

七、（5分）在图示OCL电路中，已知T1、T2管的

，电源电压为±9V，负载电阻RL=8Ω，试计算最大输出功率Pom及效率η。

八、（8分）设图示各电路均引入了深度交流负反馈，试判断各电路引入了哪种组态的交流负反馈，并分别估算它们的电压放大倍数。

九、（6分）在图示电路中，要求RF=100kΩ，比例系数为11，试求解R、和

的阻值。

十、（6分）求解图示电路的运算关系式。

十一、（9分）在图示文氏桥振荡电路中，已知R1=10kΩ，R和C的可调范围分别为1~100kΩ、0.001~1μF。

（1）

振荡频率的可调范围是多少？

（2）RF的下限值为多少？

十二、（5分）在图示电路中，已知W7806的输出电压为6V，R1=R2=R3=200Ω，试求输出电压U0的调节范围。

十三、（6分）串联型稳压电路如图所示，T2和T3管特性完全相同，T2管基极电流可忽略不计，稳压管的稳定电压为UZ。

填空：

调整管为，输出电压采样电阻由组成，基准电压电路由组成，比较放大电路组成；

输出电压调节范围的表达式为

。

《模拟电子技术基础》试题（B卷）

学号姓名.

一、判断下列说法是否正确，用“×”或“√”表示判断结果。

（10分）

（1）只要满足相位平衡条件，电路就会产生正弦波振荡。

（）

（2）引入直流负反馈可以稳定静态工作点。

（）

（3）负反馈越深，电路的性能越稳定。

（）

（4）零点漂移就是静态工作点的漂移。

（）

（5）放大电路采用复合管是为了增大放大倍数和输入电阻。

（）

（6）镜像电流源电路中两只晶体管的特性应完全相同。

（）

（7）半导体中的空穴带正电。

（）

（8）P型半导体带正电，N型半导体带负电。

（）

（9）实现运算电路不一定非引入负反馈。

（）

（10）凡是引入正反馈的集成运放，一定工作在非线性区。

（）

二、选择填空（10分）

（1）为了增大输出电阻，应在放大电路中引入；

为了展宽频带，应在放大电路中引入。

（A）电流负反馈（B）电压负反馈（C）直流负反馈（D）交流负反馈

（2）在桥式（文氏桥）RC正弦波振荡电路中，。

（A）φA=-1800，φF=+1800（B）φA=+1800，φF=+1800（C）φA=00，φF=00

（3）集成运放的互补输出级采用。

（A）共基接法（B）共集接法（C）共射接法（D）差分接法

（4）两个β相同的晶体管组成复合管后，其电流放大系数约为。

（A）β（B）β2（C）2β（D）1+β

（5）在（A）、（B）、（C）三种电路中输入电阻最大的电路是；

既能放大电流，又能放大电压的电路是。

（A）共基放大电路（B）共集放大电路（C）共射放大电路

（6）当PNP型晶体管工作在放大区时，各极电位关系为uCuBuE。

（A）>（B）<（C）=（D）≤

（7）硅二极管的正向导通压降比锗二极管的。

（A）大（B）小（C）相等

三、（5分）图示电路中二极管为理想二极管，请判断它是否导通，并求出u0。

四、（10分）在一个放大电路中，三只三极管三个管脚①、②、③的电位分别如表所示，将每只管子所用材料（Si或Ge）、类型（NPN或PNP）及管脚为哪个极（e、b或c）填入表内。

管号

T1

T2

T3

管号

T1

T2

T3

管脚

电位

（V）

①

0.7

6.2

3

电极

名称

①

②

0

6

10

②

③

5

3

3.7

③

材料

类型

五、（10分）在图示电路中，已知晶体管静态时UBEQ=0.7V，电流放大系数为β=80，rbe=1.2kΩ，RB=500kΩ，RC=RL=5kΩ，VCC=12V。

（1）估算电路的静态工作点、电压放大倍数、输入电阻和输出电阻。

（2）估算信号源内阻为RS=1.2kΩ时，

的数值。

六、（10分）在图示电路中，已知VCC=12V，VEE=6V，恒流源电路

I=1mA，RB1=RB2=1kΩ，RC1=RC2=10kΩ；两只晶体管特性完全相同，

且β1=β2=100，rbe1=rbe2=2kΩ。

估算：

（1）电路静态时T1和T2管的集电极电位；

（2）电路的差模放大倍数Ad、共模放大倍数AC、输入电阻Ri和输出电阻R0

七、（5分）在图示OCL电路中，已知T1、T2管的

，电源电压为±9V，负载电阻RL=8Ω，试计算最大输出功率Pom及效率η。

八、（8分）设图示各电路均引入了深度交流负反馈，试判断各电路引入了哪种组态的交流负反馈，并分别估算它们的电压放大倍数。

九、（6分）在图示电路中，要求其输入电阻为20kΩ，比例系数为-15，试求解R、RF和

的阻值。

十、（6分）求解图示电路的运算关系式。

十一、（9分）将图示电路合理连接，构成桥式（即文氏桥）正弦波振荡电路，并估算电路的振荡频率和R1的最大值。

十二、（5分）在图示电路中，已知W7805的输出电压为5V，IW=5mA，R1=1kΩ，R2=200Ω。

试求输出电压U0的调节范围。

十三、（6分）串联型稳压电路如图所示，稳压管的稳定电压为UZ。

填空：

调整管为，输出电压采样电阻由组成，基准电压电路由组成，比较放大电路由组成；输出电压调节范围的表达式为

。

A卷参考答案

一、

（1）×

（2）√（3）×（4）√（5）√

（6）√（7）×（8）√（9）×（10）√

二、

（1）B、C

（2）B（3）D（4）B（5）B、C

（6）A、A（7）A

三、二极管D导通，-3V

四、

；

；

；

；

；

；增大；减小；减小；减小

五、3V；1mA；10цA；6.7V；-150；0.79kΩ；-66.7

六、7V；-333；0；6kΩ；20kΩ

七、4W；5.7W；70%

八、（a）电压并联负反馈；-R2/R1（b）电压串联负反馈；1+R2/R1

九、10kΩ；9kΩ

十、

十一、1.6HZ—160kHZ；20kΩ

十二、9V；8V

十三、T1；R1、R2、R3；R、DZ；T2、T3、RE、RC；

B卷参考答案

一、

（1）×

（2）√（3）×（4）√（5）√

（6）√（7）√（8）×（9）×（10）×

二、

（1）A、D

（2）C（3）B（4）B（5）B、C

（6）B、B（7）A

三、二极管D截止，-6V

四、

管号

T1

T2

T3

管号

T1

T2

T3

管脚

电位

（V）

①

0.7

6.2

3

电极

名称

①

B

E

E

②

0

6

10

②

E

B

C

③

5

3

3.7

③

C

C

B

材料

Si

Ge

Si

类型

NPN

PNP

NPN

五、22.6цA；1.8mA；3V；-167；1.2kΩ；5kΩ；-83.5

六、7V；-333；0；6kΩ；20kΩ

七、4W；5.7W；70%

八、（a）电压串联负反馈；1+R2/R1（b）电压并联负反馈；-R2/R1

九、20kΩ；300kΩ;18.75kΩ

十、

十一、160HZ；50kΩ

十二、5V--35V

十三、T；R1、R2、R3；R、DZ；A；

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