中国IGBT芯片行业研究发展环境经营模式上下游行业业内企业.docx

中国IGBT芯片行业研究发展环境经营模式上下游行业业内企业.docx

《中国IGBT芯片行业研究发展环境经营模式上下游行业业内企业.docx》由会员分享，可在线阅读，更多相关《中国IGBT芯片行业研究发展环境经营模式上下游行业业内企业.docx（8页珍藏版）》请在冰豆网上搜索。

中国IGBT芯片行业研究发展环境经营模式上下游行业业内企业

中国IGBT芯片行业研究-发展环境、经营模式、上下游行业、业内企业

（三）行业发展环境

1、有利因素

（1）国家政策为行业发展提供有利支持

功率半导体分立器件行业是中国重点鼓励和支持的产业之一，为推动节能减

排，促进电力电子技术和产业的发展，国家发改委等有关部门陆续出台资金补贴

计划等一系列政策及文件，支持新型电力电子器件的产业化发展。

《国民经济和

社会发展第十三个五年规划纲要》提出大力推进先进半导体等新兴前沿领域创新

和产业化，形成一批新增长点。

（2）节能减排政策将推动IGBT市场需求增长

随着中国经济的快速发展，能源需求量越来越大，国内能源供应紧缺的矛盾

日益突出。

近年来国家出台了多项节能减排政策促进相关行业的发展，受益于此，

工业控制、变频白色家电等节能效果明显的产品近年来市场规模不断扩大，而工

业控制、变频白色家电均为IGBT模块的主要应用领域，使IGBT模块的市场需

求快速增长。

（3）新能源领域的发展将推动行业快速发展

由于传统石化能源储量有限且污染严重，近年来以风能、太阳能等为代表的

新能源产业发展迅速。

风能、太阳能发电产生的电力要经过逆变器才能并网使用，

IGBT模块是逆变器的核心电子元器件，因此未来新能源领域的快速发展将会推

动IGBT行业的快速发展。

（4）IGBT模块应用范围日益广泛

随着国内产业结构的调整升级，智能电网、精密控制、信息通信、轨道交通、

航空航天等领域也发展迅速，对IGBT的需求不断扩大，大大拓展了IGBT的应

用范围。

（5）“进口替代”政策支持

2015年7月1日，第十二届全国人民代表大会常务委员会第十五次会议通过

《中华人民共和国国家安全法》，其中第二十四条明确指出“国家加强自主创新

能力建设，加快发展自主可控的战略高新技术和重要领域核心关键技术，加强知

识产权的运用、保护和科技保密能力建设，保障重大技术和工程的安全”。

“自主可控”即是要求对战略高新技术和重要领域核心关键技术实现全面

国产。

IGBT作为一种新型电力电子器件，是国际上公认的电力电子技术第三次

革命最具代表性的产品，是工业控制及自动化领域的核心元器件，既属于战略高

新技术又属于核心关键技术。

但是IGBT行业95%的市场被国外企业所垄断，要

实现IGBT模块全面国产，达到“自主可控”，必须完成对IGBT模块和IGBT

芯片的进口替代。

本公司作为国内IGBT的龙头企业，不仅有先进的模块设计制造工艺，更实

现了IGBT芯片国产化，完全具备替代进口IGBT模块的能力。

因此，“进口替

代”的宏观环境将有益于本公司拓展国内IGBT市场，但本公司境内销售并非主

要依赖于该政策。

2、不利因素

（1）行业基础相对薄弱

IGBT行业在中国属于新兴高技术产业，直到目前国内具有相关研发和生产

管理经验的人员仍十分缺乏，具有一定积累的企业更是少之又少。

虽然目前部分

企业有了一定突破，但在整体规模和研发实力等方面，国内企业的竞争力和国外

企业相比仍然差距很大。

（2）芯片国产率较低

中国IGBT行业近年来规模不断扩大，国内也有一批半导体企业正在进入

IGBT行业，但是国内能够自主研发设计芯片的企业较少，国内企业仍主要依靠

进口芯片进行生产，因此生产成本较高，进口依赖较强，经营稳定性较差。

（四）行业特有的经营模式及盈利模式

IGBT芯片、快恢复二极管芯片企业根据是否自建晶圆生产线分为存在两种

经营模式：

IDM模式和Fabless模式。

1、IDM模式

IDM模式即垂直整合制造商，是指包含电路设计、晶圆制造、封装测试以及

投向消费市场全环节业务的企业模式，IGBT芯片、快恢复二极管芯片设计只是

其中的一个部门，同时企业拥有自己的晶圆厂、封装厂和测试厂。

该模式对企业

技术、资金和市场份额要求极高，目前仅有英飞凌、三菱等少数国际巨头采用此

模式。

2、Fabless模式

Fabless是Fabrication（制造）和less（没有）的组合。

Fabless模式是集成

电路行业的一种经营模式，即企业自身专注于芯片设计，而将芯片制造外协给代

工厂商生产制造的模式，而芯片代工厂商负责采购硅片和加工生产。

Fabless模式

的企业无需投资建立晶圆制造生产线，减小了投资风险，能够快速开发出终端需

要的芯片。

Fabless模式主要为自主研发的IGBT芯片及快恢复二极管芯片生产

模式，即本公司负责IGBT器件设计及制造工艺，并将IGBT器件设计图和制造

工艺转交给代工厂商，由代工厂商负责制造生产。

Fabless模式下，本公司芯片生产不涉及自身产能情况。

本公司会于年初与代

工厂沟通，预计本年度芯片代工量，代工厂商会为本公司预留相应的产能，代工

厂商剩余产能亦会为其他公司生产相应的芯片。

2016年度、2017年度、2018年

度和2019年1-6月，本公司向代工厂商采购IGBT芯片和快恢复二极管芯片数量

总和分别为590.22万颗、1,283.50万颗、2,705.76万颗和1,749.89万颗。

（五）上下游行业

IGBT行业产业链包括芯片设计、芯片制造和模块的设计、制造和测试，其

中IGBT芯片是IGBT行业的核心。

IGBT行业产业链示意图

本行业下游客户分布广泛，包括工业控制及自动化、新能源汽车、新能源发

电、电机节能、轨道交通、智能电网、航空航天、家用电器、汽车电子等众多领

域。

未来随着变频白色家电的进一步推广和普及，以及新能源汽车的快速发展，

对IGBT模块的需求量会进一步增加。

IGBT模块在下游客户产品中是关键器件，

产品质量和稳定性十分重要，替换成本较高，即使选择新的供应商，通常也要经

过较长时间的产品测试和试用。

（六）行业主要企业

1、英飞凌科技公司（InfineonTechnologies）

英飞凌科技公司的前身是西门子集团的半导体部门，于1999年独立。

公司

总部位于德国慕尼黑，是全球领先的半导体公司之一。

根据英飞凌最新的季度报

告，截至2019年3月31日，公司员工人数41,449人，人员覆盖欧洲、亚洲与

北美洲。

公司的主营业务涉及汽车、芯片卡与安全、工业电源控制和电源管理四

个方面。

英飞凌科技公司作为行业龙头，是IGBT技术领导者，根据IHSMarkit2018

年报告，2017年全球市场占有率为22.40%，对于低电压、中电压和高电压IGBT

领域，英飞凌均占据领先地位。

2、三菱电机株式会社（MitsubishiElectricCorporation）

三菱电机株式会社是三菱集团的核心企业之一，成立于1921年。

根据三菱

电机株式会社2019年年报，截至2019年3月31日，公司员工数量达145,817

人。

三菱电机在全球的电力设备、通信设备、工业自动化、电子元器件、家电等

市场占据着重要的地位。

三菱电机半导体产品包括功率模块（IGBT、IPM、

MOSFET等）、微波/射频和高频光器件、光模块和标准工业用的TFTLCD等。

作为全球领先的IGBT企业，三菱电机在中等电压、高电压IGBT领域处于

领先地位。

根据IHSMarkit2018年报告，2017年全球市场占有率为17.90%，仅次于英飞凌。

3、富士电机株式会社（FujiElectric）

富士电机株式会社成立于1923年，根据富士电机株式会社官网数据，其在

日本国内有十个工厂和一个综合研究所，在海外有129个子公司和分支机构，年

销售额在八千亿日圆以上。

根据富士电机株式会社最新的季度报告，截至2019年6月30日，公司员工数量达27,674人。

旗下的富士电机电子技术株式会社负

责半导体元件的生产和销售。

富士电机在全球生产和销售IGBT、MOSFET等功

率半导体。

富士电机IGBT芯片的设计和生产主要集中在本国进行，在英国、日

本和菲律宾都设有功率器件生产工厂。

作为业内领先的IGBT企业，富士电机主要生产IGBT模块和IPM模块，产

品在工业控制和变频家电中广泛使用。

根据IHSMarkit2018年报告，2017年全

球市场占有率为9.00%，位列第三。

4、赛米控（SEMIKRON）

赛米控成立于1951年，总部位于德国纽伦堡。

根据赛米控官网数据，赛米

控全球设有25家分公司，员工人数超过3,200人。

赛米控是全球领先的电力电子

制造商，发明了全球第一款带绝缘设计的功率模块，主要生产中等功率输出范围

（约2KW至10MW）中广泛应用的电力电子组件和系统。

生产产品包括芯片、

分立器件、二极管、晶闸管、IGBT功率模块和系统功率组件。

赛米控在低电压

消费级IGBT领域具备一定优势，根据IHSMarkit2018年报告，2017年全球市场占有率为8.30%，位列第四。