模拟电子技术知识点总结.docx
- 文档编号:10894637
- 上传时间:2023-02-23
- 格式:DOCX
- 页数:11
- 大小:17.37KB
模拟电子技术知识点总结.docx
《模拟电子技术知识点总结.docx》由会员分享,可在线阅读,更多相关《模拟电子技术知识点总结.docx(11页珍藏版)》请在冰豆网上搜索。
模拟电子技术知识点总结
模拟电子技术知识点总结
篇一:
模拟电子技术基础知识汇总
模拟电子技术
第一章半导体二极管
一.半导体的基础知识
1.半导体---导电能力介于导体和绝缘体之间的物质(如硅Si、锗Ge)。
2.特性---光敏、热敏和掺杂特性。
3.本征半导体----纯净的具有单晶体结构的半导体。
4.两种载流子----带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。
5.杂质半导体----在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。
体现的是半导体的掺杂特性。
*P型半导体:
在本征半导体中掺入微量的三价元素(多子是空穴,少子是电子)。
*n型半导体:
在本征半导体中掺入微量的五价元素(多子是电子,少子是空穴)。
6.杂质半导体的特性
*载流子的浓度---多子浓度决定于杂质浓度,少子浓度与温度有关。
*体电阻---通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。
*转型---通过改变掺杂浓度,一种杂质半导体可以改型为另外一种杂质半导体。
7.Pn结
*Pn结的接触电位差---硅材料约为0.6~0.8V,锗材料约为0.2~0.3V。
*Pn结的单向导电性---正偏导通,反偏截止。
8.Pn
结的伏安特性
二.半导体二极管
*单向导电性------正向导通,反向截止。
*二极管伏安特性----同PN结。
*正向导通压降------硅管0.6~0.7V,锗管0.2~0.3V。
*死区电压------硅管0.5V,锗管0.1V。
3.分析方法------将二极管断开,分析二极管两端电位的高低:
若V阳>V阴(正偏),二极管导通(短路);若V阳)图解分析法该式与伏安特性曲线的交点叫静态工作点Q。
2)等效电路法
直流等效电路法
*总的解题手段----将二极管断开,分析二极管两端电位的高低:
若V阳>V阴(正偏),二极管导通(短路);若V阳?
微变等效电路法
三.稳压二极管及其稳压电路
*稳压二极管的特性---正常工作时处在Pn结的反向击穿区,所以稳压二极管在电路中要反向连接。
第二章三极管及其基本放大电路
一.三极管的结构、类型及特点1.类型---分为nPn和PnP两种。
2.特点---基区很薄,且掺杂浓度最低;发射区掺杂浓度很高,与基区接触面积较小;集电区掺杂浓度较高,与基区接触面积较大。
二.三极管的工作原理1.三极管的三种基本组态
2.三极管内各极电流的分配
*共发射极电流放大系数(表明三极管是电流控制器件
式子
3.共射电路的特性曲线*输入特性曲线---同二极管。
称为穿透电流。
*输出特性曲线
(饱和管压降,用UcES表示
放大区---发射结正偏,集电结反偏。
截止区---发射结反偏,集电结反偏。
4.温度影响
温度升高,输入特性曲线向左移动。
温度升高icBo、icEo、ic以及β均增加。
三.低频小信号等效模型(简化)
hie---输出端交流短路时的输入电阻,常用rbe表示;
hfe---输出端交流短路时的正向电流传输比,
常用β表示;
四.基本放大电路组成及其原则1.VT、Vcc、Rb、Rc、c1、c2的作用。
2.组成原则----能放大、不失真、能传输。
五.放大电路的图解分析法1.直流通路与静态分析
*概念---直流电流通的回路。
*画法---电容视为开路。
*作用---确定静态工作点
*直流负载线---由Vcc=icRc+UcE确定的直线。
*电路参数对静态工作点的影响
1)改变Rb:
Q点将沿直流负载线上下移动。
2)改变Rc:
Q点在iBQ所在的那条输出特性曲线上移动。
3)改变Vcc:
直流负载线平移,Q点发生移动。
2.交流通路与动态分析*概念---交流电流流通的回路
*画法---电容视为短路,理想直流电压源视为短路。
*作用---分析信号被放大的过程。
*交流负载线---连接Q点和Vcc’点Vcc’=UcEQ+icQRL’的直线。
3.静态工作点与非线性失真
(1)截止失真
*产生原因---Q点设置过低
*失真现象---nPn管削顶,PnP管削底。
*消除方法---减小Rb,提高Q。
(2)饱和失真
*产生原因---Q点设置过高
*失真现象---nPn管削底,PnP管削顶。
*消除方法---增大Rb、减小Rc、增大Vcc。
4.放大器的动态范围
(1)Uopp---是指放大器最大不失真输出电压的峰峰值。
(2)范围
*当(UcEQ-UcES)>(Vcc’-UcEQ)时,受截止失真限制,UoPP=2UomaX=2icQRL’。
*当(UcEQ-UcES)<(Vcc’-UcEQ)时,受饱和失真限制,UoPP=2UomaX=2(UcEQ-UcES)。
*当(UcEQ-UcES)=(Vcc’-UcEQ),放大器将有最大的不失真输出电压。
六.放大电路的等效电路法
1.静态分析
(1)静态工作点的近似估算
(2)Q点在放大区的条件
欲使Q点不进入饱和区,应满足RB>βRc。
2.
放大电路的动态分析
*放大倍数
*输入电阻
*输出电阻
七.分压式稳定工作点共射放大电路的等效电路法1.静态分析
篇二:
模拟电子技术总结复习资料
半导体二极管及其应用电路
一.半导体的基础知识
1.半导体---导电能力介于导体和绝缘体之间的物质(如硅Si、锗Ge)。
2.特性---光敏、热敏和掺杂特性。
3.本征半导体----纯净的具有单晶体结构的半导体。
4.两种载流子----带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。
5.杂质半导体----在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。
体现的是半导体的掺杂特性。
*P型半导体:
在本征半导体中掺入微量的三价元素(多子是空穴,少子是电子)。
*n型半导体:
在本征半导体中掺入微量的五价元素(多子是电子,少子是空穴)。
6.杂质半导体的特性
*载流子的浓度---多子浓度决定于杂质浓度,少子浓度与温度有关。
*体电阻---通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。
7.Pn结
*Pn结的单向导电性---正偏导通,反偏截止。
*Pn结的导通电压---硅材料约为0.6~0.8V,锗材料约为0.2~0.3V。
8.Pn结的伏安特性
二.半导体二极管
*单向导电性------正向导通,反向截止。
*二极管伏安特性----同PN结。
*正向导通压降------硅管0.6~0.7V,锗管0.2~0.3V。
*死区电压------硅管0.5V,锗管0.1V。
3.分析方法------将二极管断开,分析二极管两端电位的高低:
若V阳>V阴(正偏),二极管导通(短路);若V阳该式与伏安特性曲线
的交点叫静态工作点Q。
2)等效电路法
直流等效电路法
*总的解题手段----将二极管断开,分析二极管两端电位的高低:
若V阳>V阴(正偏),二极管导通(短路);若V阳?
微变等效电路法
三.稳压二极管及其稳压电路
*稳压二极管的特性---正常工作时处在Pn结的反向击穿区,所以稳压二极管在电路中要反向连接。
三极管及其基本放大电路
一.三极管的结构、类型及特点1.类型---分为nPn和PnP两种。
2.特点---基区很薄,且掺杂浓度最低;发射区掺杂浓度很高,与基区接触面积较小;集电区掺杂浓度较高,与基区接触面积较大。
二.三极管的工作原理1.三极管的三种基本组态
2.三极管内各极电流的分配
*共发射极电流放大系数(表明三极管是电流控制器件
式子
称为穿透电流。
3.共射电路的特性曲线
*输入特性曲线---同二极管。
*输出特性曲线
(饱和管压降,用UcES表示
放大区---发射结正偏,集电结反偏。
截止区---发射结反偏,集电结反偏。
饱和区---发射结和集电结均正偏。
4.温度影响
温度升高,输入特性曲线向左移动。
温度升高icBo、icEo、ic以及β均增加。
三.低频小信号等效模型(简化)rbe---输出端交流短路时的输入电阻,
β---输出端交流短路时的正向电流传输比,常用β表示;
四.基本放大电路组成及其原则
1.VT、Vcc、Rb、Rc、c1、c2的作用。
2.组成原则----能放大、不失真、能传输。
五.放大电路的图解分析法1.直流通路与静态分析
*概念---直流电流通的回路。
*画法---电容视为开路。
*作用---确定静态工作点
*直流负载线---由Vcc=icRc+UcE确定的直线。
*电路参数对静态工作点的影响
1)改变Rb:
Q点将沿直流负载线上下移动。
2)改变Rc:
Q点在iBQ所在的那条输出特性曲线上移动。
3)改变Vcc:
直流负载线平移,Q点发生移动。
2.交流通路与动态分析
*概念---交流电流流通的回路
*画法---电容视为短路,理想直流电压源视为短路。
*作用---分析信号被放大的过程。
*交流负载线---连接Q点和Vcc?
点Vcc?
=UcEQ+icQRL?
的直线。
3.静态工作点与非线性失真
(1)截止失真
*产生原因---Q点设置过低
*失真现象---nPn管削顶,PnP管削底。
*消除方法---减小Rb,提高Q。
(2)饱和失真
*产生原因---Q点设置过高
*失真现象---nPn管削底,PnP管削顶。
*消除方法---增大Rb、减小Rc、增大Vcc。
4.放大器的动态范围
(1)Uopp---是指放大器最大不失真输出电压的峰峰值。
(2)范围
*当(UcEQ-UcES)>(Vcc’-UcEQ)时,受截止失真限制,UoPP=2UomaX=2icQRL’。
*当(UcEQ-UcES)<(Vcc’-UcEQ)时,受饱和失真限制,UoPP=2UomaX=2(UcEQ-UcES)。
*当(UcEQ-UcES)=(Vcc’-UcEQ),放大器将有最大的不失真输出电压。
六.放大电路的等效电路法1.静态分析
(1)静态工作点的近似估算
(2)Q点在放大区的条件
欲使Q点不进入饱和区,应满足RB>βRc。
2.放大电路的动态分析
*放大倍数
*输入电阻
*输出电阻
篇三:
模电总结复习-模拟电子技术基础
模电复习资料
第一章半导体二极管
一.半导体的基础知识
1.半导体---导电能力介于导体和绝缘体之间的物质(如硅Si、锗Ge)。
2.特性---光敏、热敏和掺杂特性。
3.本征半导体----纯净的具有单晶体结构的半导体。
4.两种载流子----带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。
5.杂质半导体----在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。
体现的是半导体的掺杂特性。
*P型半导体:
在本征半导体中掺入微量的三价元素(多子是空穴,少子是电子)。
*n型半导体:
在本征半导体中掺入微量的五价元素(多子是电子,少子是空穴)。
6.杂质半导体的特性
*载流子的浓度---多子浓度决定于杂质浓度,少子浓度与温度有关。
*体电阻---通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。
*转型---通过改变掺杂浓度,一种杂质半导体可以改型为另外一种杂质半导体。
7.Pn结
*Pn结的接触电位差---硅材料约为0.6~0.8V,锗材料约为0.2~0.3V。
*Pn结的单向导电性---正偏导通,反偏截止。
8.Pn结的伏安特性
二.半导体二极管
*单向导电性------正向导通,反向截止。
*二极管伏安特性----同PN结。
*正向导通压降------硅管0.6~0.7V,锗管0.2~0.3V。
*死区电压------硅管0.5V,锗管0.1V。
3.分析方法------将二极管断开,分析二极管两端电位的高低:
若V阳>V阴(正偏),二极管导通(短路);若V阳该式与伏安特性曲线的交点叫静态工作点Q。
2)等效电路法
直流等效电路法
*总的解题手段----将二极管断开,分析二极管两端电位的高低:
若V阳>V阴(正偏),二极管导通(短路);若V阳?
微变等效电路法
三.稳压二极管及其稳压电路
*稳压二极管的特性---正常工作时处在Pn结的反向击穿区,所以稳压二极管在电路中要反向连接。
第二章三极管及其基本放大电路
一.三极管的结构、类型及特点1.类型---分为nPn和PnP两种。
2.特点---基区很薄,且掺杂浓度最低;发射区掺杂浓度很高,与基区接触面积较小;集电区掺杂浓度较高,与基区接触面积较大。
二.三极管的工作原理1.三极管的三种基本组态
2.三极管内各极电流的分配
*共发射极电流放大系数(表明三极管是电流控制器件
式子
3.共射电路的特性曲线*输入特性曲线---同二极管。
称为穿透电流。
*输出特性曲线
(饱和管压降,用UcES表示
放大区---发射结正偏,集电结反偏。
截止区---发射结反偏,集电结反偏。
4.温度影响
温度升高,输入特性曲线向左移动。
温度升高icBo、icEo、ic以及β均增加。
三.低频小信号等效模型(简化)
hie---输出端交流短路时的输入电阻,常用rbe表示;
hfe---(:
模拟电子技术知识点总结)输出端交流短路时的正向电流传输比,
常用β表示;
四.基本放大电路组成及其原则1.VT、Vcc、Rb、Rc、c1、c2的作用。
2.组成原则----能放大、不失真、能传输。
五.放大电路的图解分析法1.直流通路与静态分析
*概念---直流电流通的回路。
*画法---电容视为开路。
*作用---确定静态工作点
*直流负载线---由Vcc=icRc+UcE确定的直线。
*电路参数对静态工作点的影响
1)改变Rb:
Q点将沿直流负载线上下移动。
2)改变Rc:
Q点在iBQ所在的那条输出特性曲线上移动。
3)改变Vcc:
直流负载线平移,Q点发生移动。
2.交流通路与动态分析*概念---交流电流流通的回路
*画法---电容视为短路,理想直流电压源视为短路。
*作用---分析信号被放大的过程。
*交流负载线---连接Q点和Vcc’点Vcc’=UcEQ+icQRL’的直线。
3.静态工作点与非线性失真
(1)截止失真
*产生原因---Q点设置过低
*失真现象---nPn管削顶,PnP管削底。
*消除方法---减小Rb,提高Q。
(2)饱和失真
*产生原因---Q点设置过高
*失真现象---nPn管削底,PnP管削顶。
*消除方法---增大Rb、减小Rc、增大Vcc。
4.放大器的动态范围
(1)Uopp---是指放大器最大不失真输出电压的峰峰值。
(2)范围
*当(UcEQ-UcES)>(Vcc’-UcEQ)时,受截止失真限制,UoPP=2UomaX=2icQRL’。
*当(UcEQ-UcES)<(Vcc’-UcEQ)时,受饱和失真限制,UoPP=2UomaX=2(UcEQ-UcES)。
*当(UcEQ-UcES)=(Vcc’-UcEQ),放大器将有最大的不失真输出电压。
六.放大电路的等效电路法
1.静态分析
(1)静态工作点的近似估算
(2)Q点在放大区的条件
欲使Q点不进入饱和区,应满足RB>βRc。
2.
放大电路的动态分析
*放大倍数
*输入电阻
*输出电阻
七.分压式稳定工作点共射放大电路的等效电路法1.静态分析
- 配套讲稿:
如PPT文件的首页显示word图标,表示该PPT已包含配套word讲稿。双击word图标可打开word文档。
- 特殊限制:
部分文档作品中含有的国旗、国徽等图片,仅作为作品整体效果示例展示,禁止商用。设计者仅对作品中独创性部分享有著作权。
- 关 键 词:
- 模拟 电子技术 知识点 总结