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电子技术基础
电子技术基础
一、选择题(每题1分)
1、当加在硅二极管两端的正向电压从O开始逐渐增加时,硅二极管()。
A.立即导通
B.到O.3V才开始导通
C.超过死区电压时才开始导通
D.不导通
2、把电动势为1.5V的干电池的正极直接接到一个硅二极管的正极,负极直接接到硅二极管的负极,则该管()。
A.基本正常
B.将被击穿
C.将被烧坏
D.电流为零
3、用万用表R×100Ω挡来测试二极管,如果二极管()说明管子是好的。
A.正、反向电阻都为零
B.正、反向电阻都为无穷大
C.正向电阻为几百欧,反向电阻为几百千欧
D.反向电阻为几百欧,正向电阻为几百欧
4、用万用表的电阻挡判断小功率二极管管脚极性时,应选用()挡。
A.R×10和R×100
B.R×1和R×1k
C.R×1k和R×100
D.R×10k和R×1k
5、在测量二极管正向电阻时,若用两手把管脚捏紧,电阻值将会()。
A.变大
B.变小
C.不变化
D.不能确定
6、在三极管放大器中,三极管各极电位最高的是()。
A.NPN管的集电极
B.PNP管的集电极
C.NPN管的发射极
D.PNP管的基极
7、晶体三极管处于饱和状态时,它的集电极电流将()。
A.随基极电流的增加而增加
B.随基极电流的增加而减小
C.与基极电流变化无关,只取决于Ucc和Rc
8、三极管输出特性曲线中,当IB=0时,IC等于()。
A.ICM
B.ICBO
C.ICEO
D.0
9、当硅二极管加上0.4V正向电压时,该二极管相当于()。
A.很小的电阻
B.很大的电阻
C.短路
D.电阻
10、某二极管反向击穿电压为150V,则其最高反向工作电压()。
A.约等于150V
B.略大于150V
C.等于300V
D.等于75V
11、当环境温度升高时,二极管的反向电流将()。
A.增大
B.减小
C.不变
D.先变大后变小
12、测量小功率二极管的好坏时,一般把万用表欧姆挡拨到()。
A.R×10和R×1k
B.R×1k和R×100
C.R×1和R×1k
D.R×10k和R×1k
13、交通信号灯采用的是()管。
A.发光二极管
B.光电二极管
C.变容二极管
D.整流二极管
14、用万用表的电阻挡判断发光二极管管脚极性时,应选用()挡。
A.R×100
B.R×1k
C.R×1
D.R×10k
15、三极管放大的实质是()。
A.将小能量换成大能量
B.将低电压放大成高电压
C.将小电流放大成大电流
D.用较小的电流控制较大的电流
16、用直流电压表测量NPN型三极管中管子各极电位是UB=4.7V,UC=4.3V,UE=4V,则该晶体三极管的工作状态是()。
A.截止状态
B.饱和状态
C.放大状态
D.击穿状态
17、三极管各极对地电位如图2-1所示,工作于饱和状态的三极管是()。
18、满足IC=βIB的关系时,三极管工作在()。
A.饱和区
B.放大区
C.截止区
D.击穿区
19、三极管是一种()的半导体器件。
A.电压控制
B.电流控制
C.既是电压又是电流控制
D.功率控制
20、三极管的()作用是三极管最基本和最重要的特性。
A.电流放大
B.电压放大
C.功率放大
D.电压放大和电流放大
21、NPN型晶体管处于放大状态时,各极电压关系是()。
A.UC>UE>UB
B.UC>UB>UE
C.UC D.UC 22、有三只晶体三极管,除β和ICEO不同外,其他参数一样,用作放大器件时,应选用()。 A.β=50,ICEO=0.5mA B.β=140,ICEO=2.5mA C.β=10,ICEO=O.5mA 23、某晶体三极管的PCM=100mW,ICM=20mA,UBR(CEO)=30V,如果将它接在IC=15mA,UCE=20V的电路中,则该管()。 A.被击穿 B.工作正常 C.功耗太大过热甚至烧坏 D.截止 24、低频放大电路放大的对象是电压、电流的()。 A.稳定值 B.变化量 C.平均值 D.直流量 25、在单管共发射极放大电路中,其输出电压u0与输入电压ui()。 A.频率相同、波形相似和相位相同 B.波形相似、相位相反和幅度相同 C.幅度相同、频率不同和相位相反 D.相位相反、频率相同和波形相似 26、在共射极放大电路的输入端加入一个正弦波信号,这时基极电流的波形为图2-6中的()。 27、已知电路处于饱和状态,要使电路恢复成放大状态,通常采用的方法是()。 A.增大电阻RB B.减小电阻RB C.电阻RB不变 28、在放大电路中,当集电极电流增大时,将使晶体三极管()。 A.集电极电压UCE上升 B集电极电压UCE下降 C.基极电流不变 D.基极电流也随着增大 29、共发射极基本放大电路中,当输入信号为正弦电压时,输出电压波形的正半周出现平顶失真,则这种失真为()。 A.截止失真 B.饱和失真 C.非线性失真 D.频率失真 30、共发射极基本放大电路中,当输入信号为正弦电压时,输出电压波形的负半周出现平顶失真,则这种失真为()。 A.截止失真 B.饱和失真 C.非线性失真 D.频率失真 31、NPN晶体三极管放大电路输入交流正弦波时,输出波形如图2-7所示,则引起波形失真的原因是()。 A.静态工作点太高 B.静态工作点太低 C.静态工作合适,但输入信号太大 32、影响放大器工作点稳定的主要因素是()。 A.β值 B.穿透电流 C.温度 D.频率 33、一个三级放大器,工作时测得Au1=100,Au2=-50,Au3=1,则总的电压放大倍数是()。 A.51 B.100 C.-5000 D.1 34、放大器与负载要做到阻抗匹配,应采用()。 A.直接耦合 B.阻容耦合 C.变压器耦合 D.光电耦合 35、要提高放大器的输入电阻,并且使输出电压稳定,可以采用()。 A.电压串联负反馈 B.电压并联负反馈 C.电流串联负反馈 D.电流并联负反馈 36、在图2-14所示电路中引入了()。 A.交流负反馈 B.直流负反馈 C.交直流负反馈 D.直流正反馈 二、判断题(每题1分) 1、()二极管是线性元件。 2、()一般来说,硅二极管的死区电压小于锗二极管的死区电压。 3、()二极管加正向电压时一定导通。 4、()二极管加反向电压时一定截止。 5、()有两个电极的元件都叫二极管。 6、()三极管有两个PN结,因此它具有单向导电性。 7、()三极管由两个PN结组成,所以可以用两只二极管组合构成三极管。 8、()晶体三极管的发射区和集电区是由同一类半导体材料(N型或P型)构成的,所以,集电极和发射极可以互换使用。 9、()发射结反向偏置的三极管一定工作在截止状态。 10、()放大器带上负载后,放大倍数和输出电压都会上升。 11、()二极管一旦反向击穿就一定损坏。 12、()不论是哪种类型的半导体二极管,其正向电压都为O.3V左右。 13、()二极管具有单向导电性。 14、()发射结正向偏置的三极管一定工作在放大状态。 15、()某晶体三极管的IB=10μA时,IC=O.44mA;当IB=20μA时,IC=0.89mA,则它的电流放大系数为45。 16、()放大器不设置静态工作点时,由于三极管的发射结有死区和三极管输入特性曲线的非线性,会产生失真。 17、()放大器在工作时,电路同时存在直流和交流分量。 18、()放大电路的电压放大倍数随负载RL而变化,RL越大,电压放大倍数越大。 19、()放大电路静态工作点过高时,在UCC和Rc不变情况下,可增加基极电阻RB。 20、()造成放大器工作点不稳定的主要因素是温度。 21、()放大电路的静态工作点一经设定后,不会受外界因素的影响。 22、()稳定静态工作点,主要是稳定三极管的集电极电流IC。 23、()分析多级放大电路时,可以把后级放大电路的输入电阻看成是前级放大电路的负载。 24、()串联反馈就是电流反馈,并联反馈就是电压反馈。 25、()电压反馈送回到放大器输入端的信号是电压。 26、()电流反馈送回到放大器输入端的信号是电流。 27、()负反馈可提高放大器放大倍数的稳定性。 28、()负反馈可以消除放大器非线性失真。 三、填空题(每空1分) 1、二极管的P区引出端叫_____极或_____极,N区的引出端叫_______极或_______极。 2、根据导电能力来衡量,自然界的物质可以分为_______、_________和_______三类。 3、导电性能介于导体和绝缘体之间的物质是________。 4、PN结正偏时,P区接电源的_____极,N区接电源的_____极;PN结反偏时,P区接电源的_____极,N区接电源的_____极。 5、PN结具有________特性,即加正向电压时PN结________,加反向电压时PN结________。 6、硅二极管导通时的正向管压降约_______V,锗二极管导通时的管压降约_______V。 7、使用二极管时,应考虑的主要参数是________________和___________________。 8、半导体三极管有_____型和_____型,前者的图形符号是_____,后者的图形符号是_____。 9、在三极管中,IE与IB、IC的关系为_____,由于IB的数值远远小于IC,如忽略IB,则IC_____IE。 10、三极管基极电流IB的微小变化,将会引起集电极电流Ic的较大变化,这说明三极管具有_____作用。 11、三极管工作在放大状态时,集电极电流与基极电流的关系是_____。 12、三极管的穿透电流ICEO随温度的升高而_____,硅三极管的穿透电流比锗三极管的_____。 13、工作在放大状态的三极管可作为_____器件;工作在截止和饱和状态的三极管可作为_____器件。 14、放大电路设置静态工作点的目的是______________________________。 15、在共射极放大电路中,输出电压u0和输入电压ui相位________。 16、为防止失真,放大器发射结电压直流分量UBE比输入信号峰值Uim________,并且要大于发射结的________。 17、对于一个放大电路来说,一般希望其输入电阻________些,以减轻信号源的负担,输出电阻________些,以增大带负载的能力。 四、简答题() 1、三极管的主要功能是什么三极管放大的外部条件是什么(4分) 2、从晶体二极管的伏安特性曲线看,硅管和锗管有什么区别(6分) 3、已知某三极管PCM=100mW,ICM=20mA,U(BR)CEO=15V。 试问下列哪种情况能正常工作哪种情况不能正常工作为什么(8分) (1)UCE=3V,IC=10mA (2)UCE=2V,IC=40mA (3)UCE=10V,IC=20mA (4)UCE=15V,IC=10mA 4、画出如图所示电路的直流通路和交流通路。 5、什么是交越失真如何消除 五、计算() 1、共发射极基本放大电路中,若RB=240kΩ,Rc=3kΩ,UCC=12V,β=40,若忽略UBEQ,求静态工作点IBQ、ICQ、UCEQ和电压放大倍数Au。 (8分) 2、如图所示,在电路中,UCC=15V,RB=300kΩ,Rc===3kΩ,RL=6kΩ,晶体管的β=50。 求: (1)放大电路的输入电阻、输出电阻。 (2)分别求放大电路空载和负载时的电压放大倍数。 六、分析题() 1、[问题] 电路图如图1-5所示,已知输入电压为正弦波,设二极管为理想元件,试画出u。 的波形。 2、在图1-3所示的两个电路中,设V1、V2均为理想二极管,试根据表1-1所给输入值,判断二极管的工作状态。 确定“u。 的值,并将结果填入表中。 表1-1 uA(V) uB(V) V1 V2 u0(V) 0 0 0 3 3 0 3 3 试题答案 一、选择题(每题1分) 1、C 2、C 3、C 4、C 5、B 6、A 7、C 8、C 9、B 10、D 11、A 12、B 13、A 14、D 15、D 16、B 17、C 18、B 19、B 20、A 21、B 22、A 23、C 24、B 25、D 26、A 27、A 28、B 29、A 30、B 31、B 32、C 33、C 34、C 35、A 36、C 二、判断题(每题1分) 1、× 2、× 3、× 4、× 5、× 6、× 7、× 8、× 9、√ 10、× 11、× 12、× 13、√ 14、× 15、√ 16、√ 17、√ 18、√ 19、√ 20、√ 21、× 22、√ 23、√ 24、× 25、× 26、× 27、√ 28、× 三、填空题(每空1分) 1、正阳负阴 2、导体半导体绝缘体 3、半导体 4、正负负正 5、单向导电正向导通反向截止 6、0.7V0.3V 7、最大整流电流最高反向工作电压 8、NPNPNP 9、IE=IB+IC则IC≈IE 10、电流放大 11、IC=βIB 12、增大小 13、放大开关 14、避免信号发生非线性失真 15、相反 16、大死区电压 17、大小 四、简答题() 1、三极管的主要功能是电流放大作用; 三极管放大的外部条件是发射结正偏,集电结反偏。 2、硅管死区电压为0.5V左右而锗管死区电压为0.2V左右;硅管的正向管压降为0.7V左右而锗管为0.3V左右;硅管的反向饱和电流较小而锗管较大。 (1)3、能正常工作 (2)不能正常工作,因为IC=40mA>ICM (3)不能正常工作,因为ICUCE=200mW>PCM (4)不能正常工作,因为ICUCE=150mW>PCM 4、 5、交流电正负半周交接处发生的失真称为交越失真。 给功放管提供一定的静态偏置,使功放管在未输人信号时已处于微导通状态,即工作在甲乙状态。 五、计算() 1、50μA2mA6V-144V 2、 六、分析题() 1、当ui≥2V时,二极管V导通,u0=2V; ui<2V时,二极管V截止,u0=ui u0波形如图所示。 2、 uA(V) uB(V) V1 V2 u0(V) 0 0 导通 导通 0 0 3 截止 导通 3 3 0 导通 截止 3 3 3 导通 导通 3
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