n5v第十四章辐射测量原理.docx
- 文档编号:10766134
- 上传时间:2023-02-22
- 格式:DOCX
- 页数:22
- 大小:77.17KB
n5v第十四章辐射测量原理.docx
《n5v第十四章辐射测量原理.docx》由会员分享,可在线阅读,更多相关《n5v第十四章辐射测量原理.docx(22页珍藏版)》请在冰豆网上搜索。
n5v第十四章辐射测量原理
14.1放射性测呈统计规律
14.2核辐射探测器
14.3能量测呈与能呈分辨
14.4符合测臺与时间分辨
14.5辐射测臺系统
14.6主要技术指标
14.1放射性测量统计规律
14.2核辐射探测器
人们必须借助于辐射探测器探测各种辐射,给出辐射的类型、强度、能量及时间等特性。
辐射探测器的定义:
利用辐射在气体、液体或固体中引起的电离、激发效应及或其它物理、化学变化进行辐射探测的器件称为辐射探测器。
辐射探测的基本过程:
1)辐射粒子射入探测器的灵敬体积;
2)入射粒子通过电离、激发等效应而在探测器中沉积能量;
3)探测器通过各种机制将沉积能量转换成某种形式的输出信号。
辐射探测器按能量损失类型分类有基于核辐射在阻止介质中的电离效应构成最为庞大的电离型核辐射探测器,包括气体电离室、正比讣数器、盖革一米勒计数管、半导体探测器、云室、火花室和径迹探侧器等;核辐射与物质相互作用使阻止介质的原于或分子激发,分解起着重要的作用,如闪烁探测器、核乳胶等。
探测器按其探测介质类型及作用机制主要分为气体探测器、闪烁探测器和半导体探测器三种。
1、气体探测器;
气体探测器以气体为工作介质,山入射粒子在其中产生的电离效应引起输出信号的探测器。
气体探测器的突岀优点:
探测器灵敬体积大小和形状儿乎不受限制,没有核辐射损伤或极易恢复以及运行经济可靠等。
气体探测器通常包括三类处于不同工作状态的探测器:
电离室、正比空和雪崩室。
它们的共同特点是通过收集射线穿过工作气体时产生的电子一正离子对来获得核辐射的信息。
曲线显现五个不同区域:
I区:
收集的离子对数LI随收集电压而增加。
HE:
称饱和区或电离室区。
在II区,收集电压实现了对射线粒子在工作气体中产生离离子对的完全收集,因而,在一定的电压变化范围内,收集离子对数LI不随工作电压而变化,电离室就工作在这个区域。
带电粒子在气体中产生一离子对所需的平均能量w称为电离能。
对不同的气
体,W大约在30cV±下。
若入射粒子的能量为E。
,当其能量全部损失在气体介质中时,产生的平均离子对数亓
V-Eo/k
如的a粒子的能量为5・3MeV,在空气中的射程为3.8cm,其总电离为幵=竝/卩=1.56x10$(个)
II【区:
I【【区为正比或限制正比区。
在电离室区后,如果再增加工作电压,收集到的离子对数LI乂会重新随V增加而增大,但在开始区域,收集离子对数口仍保持与射线粒子在工作气体中产生的初始比电离成正比(气体放大倍数M只决定于工作电压),这就是正比区。
随后再增高收集电压时,对于具有更大比电离的a粒子,收集离子对数随电压增加变缓,而对卩粒子则增加得更快,这表明进入了限制正比区。
正比室十分适合于探测电离本领小的射线粒子如0粒子,甚至软X射线。
【V区为雪崩区,盖革一米勒计数管和雪崩室就工作在这个区域。
在这个区域内,收集的离子对数U根本与射线粒子在工作气体中产生的比电离无关,即使在工作气体中只产生一对离子对,收集的离子对数目也是很大的,其数值完全由气体探测器本身的特性及相随电子学电路来决定。
1)脉冲电离室
气体电离室是最早出现的气体探测器,至今仍广泛使用。
其工作方式可为脉冲型工作状态和累计型工作状态,分别成为脉冲电离室和累计电离室。
不同类型的电离室在结构上基本相同:
典型结构有平板型和圆柱型。
但均山高压极(K),收集极(C),保护极(G)及负载电阻(位)等组成。
工作气体:
如為加少量多原子分子气体CH"气体压力:
从o.儿〜儿十大气压。
首先,假设回路中没有负载电阻,即R“=0。
极板a上加高压匕,极板血间电容量为则两极板的电荷量
+00=-So=CVo。
在电离室内某一点,引入一正电荷护。
它将在两极板上感应一定的负电荷,分别为和-?
2。
由高斯定律可以证明:
当ef则加|仏|T,在外回路流过电流r*(/)o且
当严t(t,即快到达极板前一瞬间,-%全部山“极板经外回路流到"极板,〃极板上的感应电荷
|(-0j+(-02)|=广
当严到达〃极板,严与方极板上的感应电荷中和。
外回路电流结束,流过外回路的总电荷量为
同样在同一点引入一负电荷广,它将在两极板上感应一定的正电荷,分别为山和02。
当"T,则k」T,如/O流过外回路的总电荷量为A旷=如,相应在外回路流过电流厂(『),方向与厂(0相同。
当同时在同一位置引入一离子对,流过外回路的总电荷量
M+△君=e
则在外回路流经的电流
讹)=严(/)+厂(/)
结论:
(1)只有当空间电荷在极板间移动时外回路才有电流流过,此时
冷)=厂©+厂(f)
(2)若在灵敬体积内产生一离子对,并在极板上全部收集时,流经外回路的总电荷量为e,且与离子对生成位置无关。
引伸结论:
当入射粒子在探测器灵敬体积内产生N个离子对,它们在外加电场作用下漂移,当N个离子对全部被收集时,流过外电路的总电荷量为
Q=N。
这时,它们流过外回路的总电流信号是:
川/-I
输出回路的定义:
输出信号电流所有流过的回路。
因此,任何量测仪器所测到的都是电离室输出并在输出回路中形成的信号。
Ra,C,R入,C入分别代表负载电阻,分布电容,测量仪表输入电阻和电容。
除电离室外,还需配置高压电源、前置放大器、线性脉冲放大器及单道或多道脉冲幅度分析器。
2)正比计数器
脉冲电离室仅反映了入射粒子的直接电离产生的离子对,因此,输出信号很小。
须配置放大倍数很大的放大器,而放大器的噪声水平的限制了入射粒子的能量的下限,就促使正比计数器的出现。
在正比计数器中,利用碰撞电离将入射粒子直接产生的电离效应放大了。
放大的倍数称为“气体放大倍数”M,在一定的工作条件下,M保持为常数。
正比讣数器属于非自持放电的气体电离探测器。
工作原理:
(1)结构特点:
强电场下才能实现碰撞电离。
在一个大气压下,电子在气体中的自由程%=10~3,气体的电离电位Zo-2(kVo要使电子在一个自
由程就达到电离电位,须场强E-104V/cmo采用非均匀电场,以圆柱型为主。
其电场分布为
实例:
Vo=1000V,W=25^nhb=1cm时,在r0=0.02cm处,电场强度相当于临
界场强且定义匕为阈压
当V9>VT时。
仅在口~“的区间内发生电离碰撞。
(2)碰撞电离与气体放大
碰撞电离只能山电子才能实现,当电子到达距丝极一定距离q后,通过碰撞电离过程,电子数不断增殖,称为气体放大过程,乂称电子雪崩。
定义:
气体放大倍数A=/i(«)/w(r0)
为最终到达阳极表面的电子数与发生电离碰撞询的电子数的比值。
假定①电离碰撞的截面正比于电子的动能,即o=kEe,
2近似认为电子的能量就是电子在两次碰撞从电场获得的能量。
可以得到关系
InAoc匕巴-1
LFrJ
当电压足够高,即V0/Vr»1时,InAXVoo
结论①InAoc匕,在半对数坐标图上近似为直线。
2A仅与匕有关,与入射粒子的位置无关。
(3)气体放大过程中的光子的作用——光子反馈
在电子与气体分子电离碰撞中,除使气体分子电离的同时,还存在气体分子激发。
退激时发出紫外光子,其能量大于阴极材料的表面逸出功,而在阴极打出次电子。
次电子可以在电场的加速发生电离碰撞。
这个过程称为光子反馈。
注意:
①光子反馈的过程(10-95)远快于电子漂移过程(10"s),对信号的形成而言,时间上是同时事件。
2加入少量的多原子分子气体M(如等),它可以强烈吸收气体分子退激所发出的紫外光子而处于激发态,而分解成儿个小分子——称为多原子分子的超前分解。
阻止紫外光子打倒阴极而减少光子反馈,使\nA^V0曲线的趋势趋于平缓。
(4)气体放大过程中的正离子的作用——离子反馈
在经过正离子漂移到达阴极,气体正离子(A严)与阴极表面的感应电荷中和时,有一定的概率使阴极表面发射次电子,次电子乂可能引起再次雪崩过程。
注意:
①时间上滞后于初始电离和光子反馈过程,形成小的滞后脉冲。
②加入少量的多原子分子后,在漂移过程中发生电荷交换
如++M->M++Ar
交换过程相当充分,致使到达阴极表面的正离子将全部是MJM+在阴极表面的中和过程乂发生超前离解,而阻断了离子反馈过程。
正比计数器的应用
(1)流气式4兀正比计数器。
特点:
4兀立体角,探测效率高;流气工作方式,换样品方便,结构密封简单;阳极丝为环状。
(2)低能X射线正比计数器——鼓形正比计数器。
特点:
须设置入射窗,常用Be(皱)窗。
(3)单丝位置灵敏正比计数器
特点:
阳极丝为高阻丝。
山分流而确定入射位置。
(4)多丝正比室和漂移室
多丝正比室的阴极为平板,阳极111平行的细丝组成多路正比计数器。
位置分辨达加加量级,为粒子物理作出巨大贡献,于1990年获诺贝尔物理奖。
漂移室有快探测器确定入射时刻,山正比丝确定飘移时间。
位置分辨可达
0.1/n/no
3)计数管
G-M计数管是曲盖革(Geiger)和弥勒(Muller)发明的一种计数管。
其特出特点是制造简单、价格便宜、使用方便。
但其缺点为死时间长、仅能用于计数。
G-M计数管的工作机制
(1)正离子鞘的形成及自持放电过程
由于光子反馈过程的存在,气体放大倍数为
在正比计数器中,光子反馈和正离子反馈的作用极微弱,因此,经一次雪崩以后增殖过程即行终止,且雪崩只限于局部的区域,对一个初始电子仅展宽200p/?
i左右。
在G-M计数管中,光子反馈和离子反馈就成为主要的过程。
以光子反馈为例,通常条件下,当A«105时,A,->oooG-M计数管的自持放电过程可以分解为下列环节:
1初始电离及电离碰撞过程:
电子加速发生电离碰撞形成电子潮一雪崩过程。
C加速.碰撞电离”4厂+Ar*C加速.碰撞地礼)
2放电传播:
放岀的紫外光子打到阴极上并打出次电子(光子反馈)。
為*宀在甲,极加「->•••
气体放电迅速遍及整个管子,正离子包围整个阳极丝,并逐步加厚形成正离子鞘。
由于正离子鞘的形成,使阳极丝附近的电场下降,使放电终止。
电子很快被阳极收集,形成“电子电流”。
3正离子鞘向阴极漂移过程:
形成“离子电流”,是形成输出脉冲的主要贡献。
4正离子在阴极表面的电荷中和过程(离子反馈):
Ar++e->Ar"
过程之一:
為…
过程之二:
Ar-^e^>Ar++Ar^+e>♦»•
这些过程均发生在笫一次正离子漂移快结束时,在阴极新产生的电子乂向阳极漂移,引起新的雪崩,从而在外回路形成第二个脉冲。
如此周而复始,即自持放电过程。
所以称为非自熄G-M计数管。
(2)有机自熄G-MW-数管
在工作气体中加入少量有机气体M(多原子分子气体),乂称猝熄气体。
例如,90%的Ar+10%的酒精(C2H5OH)o
有机气体强烈吸收发出的紫外光,4;••发出的紫外光子打不到阴极上而阻断了光子反馈过程;在正离子鞘向阴极漂移过程中氮离子A严与有机气体分子M发生充分的电荷交换,到达阴极表面时均为有机气体离子MS当AT与阴极上的电子中和时,除克服电子在中和时需克服的逸出功外,多余能量使有机气体处于激发态Mk主要以超前离解而退激,阻断了离子反馈的过程。
有机管的工作机制可归纳为:
1初始电离及电离碰撞过程:
电子加速发生电离碰撞形成电子潮。
e>Ar+,Ar\M^,M\e>•••;
2放电传播:
放出的紫外线被有机气体吸收,即
為j〜W++M.+e
有机气体强烈吸收放岀的紫外光子,在沿丝极很小范围内发生电离过程。
放电沿阳极丝向两端传播,同时,正离子鞘也沿阳极丝向两端形成并加卑,其结果也是使放电终止。
3正离子鞘向阴极漂移过程:
在正离子鞘向阳极漂移过程中,实现充分的电荷交换,
Ar++MM++Ar
到达阴极时正离子均由有机气体离子M+组成。
(Ar的电离电位口=15・7eV;
Ar的激发态能级E;=ll・5eV;酒精的电离电位/附=11.3eV,)
4正离子在阴极表面的行为:
有机气体离子在与阴极的电荷中和过程为
aT超前离解而抑制了离子反馈过程。
(处于激发态的有机气体分子的超前离解过程的平均寿命为10-,35,而退激过程平均寿命为
存在问题:
工作电压较高,由于有机气体具有丰富的激发态能级,电子能量难于积累,为在两次碰撞中能积累足够的能量达氮或有机气体的电离电位,须足够高的工作电压;受有机气体离解的影响而使寿命较短一般为107-108计数。
(4)卤素G-M计数管
工作气体组成:
氛气Ne加微量卤素(如0.5-1%的B/J。
山于Ne的电离电位INe=21.6eV,其亚稳态能级的能量E忙和第一激发态能级的能量E;e为Et«E^e»16.5eV,而的电离电位/见=12.8eU,使电离过程发生重大变化:
处于激发态的B/*;极易超前离解,起到有机气体分子相同的作用
1初始电离和碰撞电离过程:
电离过程黑氛的亚稳态分子的中介作用形成电子潮。
e'业•丫肿+N,+Ne+(极少量)
Ne^+Br2->Ne+Br;+e—…
这类碰撞称为第二类非弹性碰撞,其碰撞截面很大,即使对微量的B/y在Ne'生成10」$内就可以与发生碰撞而产生新的电子。
2放电传播山处于激发态的氛原子退激发出的光子在阴极打出次电子或被
酚2吸收,使之电离而产生新的电子(阴极)e4f..(主
要过程)
e++e+e亠…(次要过程)
正离子鞘itlBr;组成。
3正离子鞘向阴极漂移,到达阴极仍为
4B;•:
在阴极与电子中和超前离解而自熄。
Bf;+etBr;Br+Br,flBr+Br-^Br2。
2、闪烁探测器
闪烁探测器是利用辐射在某些物质中产生的闪光来探测电离辐射的探测器。
闪烁探测器的典型组成:
闪烁体、(光导)、光电倍增管、管座及分压器、前置放大器、(磁屏蔽)及暗盒等。
闪烁探测器的匸作过程:
(1)辐射射入闪烁体使闪烁体原子电离或激发,受激原子退激而发出波长在可见光的荧光。
(2)荧光光子被收集到光电倍增管(PMT)的光阴极,通过光电效应打出光电子。
(3)电子倍增,并在阳极输出回路输出信号
1)闪烁体
闪烁体的分类
1无机闪烁体:
无机晶体(掺杂)——NaI(TiyCsI(Tl\ZnS(Ag)等;
玻璃体——UO2-2SiO2(Ce)(锂玻璃);纯晶体——Bifie卫]2(即BGO)
2有机闪烁体:
有机晶体——蔥晶体等;有机液体闪烁体及塑料闪烁体
3气体闪烁体:
等。
闪烁体的发光机制
无机闪烁体的发光机制
重点分析掺杂的无机晶体,以属于离子晶体的NaI(Jl\Csl{n\CsI(Na)为最典型,括号内为激活剂。
乂称卤素碱金属晶体。
离子晶体的能带结构——导带、激带、价带、禁带及禁带宽度。
禁带宽度Eg是区分物体导电性的关键指标:
Er
对AM(77)的Eko所以,离子晶体属于绝缘体。
对于离子晶体,辐射射入闪烁体使晶体原子电离和激发。
受激原子可以是在晶格中自由运动自由电子和空穴;电子也可能跃迁到较低的激带,这时产生的电子一空穴对称之为激子,激子只能在晶格中束缚在一起运动。
导带上的自曲电子和价带空穴可以复合成激子,相反,激子也可以受热运动而变成自山电子一空穴对。
O
退激过程将可能发出光子,也可能变成晶格振动能而不发光。
对纯离子晶体,退激发岀的光子容易被晶体自吸收,传输到晶体外的的光子很少;由于离子晶体禁带宽度大,退激发出的光子能量为紫外范围,光电倍增管的光阴极不能响应,这些发射的光子不能有效利用。
为此,在晶体中掺入少量杂质。
这些称为“激活剂”的杂质在晶格形成特殊的晶格点,并在禁带中形成一些局部能级。
选择合适的杂质,使它的激发能级比晶体的导带、激带低,而基态比价态高。
杂质能级成为发光中心。
由于杂质的电离能小于典型晶格点的电离能,原子受激产生的电子、空穴将迅速迁移到杂质能级的激发态和基态,即使杂质原子处于激发状态。
有三种可能的退激方式:
1电子从激发态立即跳回基态,发射出光子,发光的衰减时间通常在以内,称为“荧光”。
荧光光子为可见光的范围,且有效地克服了发光的自吸收,使晶体的发射光谱和吸收光谱有效的分离。
2电子把激发能转换为晶格的振动(热运动)而到达价带,并不发射光子,这种过程称为“淬灭过程”。
3激发态是亚稳态,电子可以在此状态保持一段较长的时间,像陷阱一样。
这些电子可以从晶格掘动中获得能量,重新跃迁到导带,然后再通过发射光子而退激,因而发光的衰减时间较长,称之为“磷光”。
激活剂的含量有一个最佳范围值,一般原子含量为10“量级。
有机闪烁体的发光机制
有机闪烁体大多属于苯环结构的芳香族碳氢化合物。
发光过程主要llM电子能态间的跃迁。
同样有荧光和磷光的发射,其荧光衰减时间为10-S,磷光过程则可达lOjs。
有机闪烁体的发射光谱和吸收光谱的峰值是分开的,这是山兀电子能态间的跃迁所决定的。
所以,有机闪烁体对其所发射的荧光是透明的。
发射谱的波长较短,为与PMT光阴极的光谱响应相匹配,在有机闪烁体中加入少量“波长移位剂”。
闪烁体的物理特性
发射光谱
发光效率与光能产额
发光衰减时间
常用闪烁体
NalfTl)发光效率高,Z,q高,适宜于了射线探测。
易潮解,须仔细封装。
Cs/(77)不潮解,价贵。
ZnS(Ag)将Z”S(Ag)粉末加1%有机玻璃粉末溶于有机洛剂涂于有机玻
璃板上,透明度差,薄层,测a,0粒子。
有机液体闪烁体溶剂(二中苯)+发光物质(PPO)+移波剂(POPOP)。
放于玻璃或石英杯中。
塑料闪烁体苯乙烯(单体)+PPO+POPOP聚合成塑料。
2)光的收集
反射层:
在非光子出射面打毛,致使光子漫反射,并在衬以或涂敷氧化镁或氧化钛白色粉末。
光学耦合:
为防止光曲光密介质到光疏介质发生的全反射,用折射系数n=1.4-1.8的硅脂(或硅油)。
光导:
常用于闪烁体与光电倍增管的尺寸不符或其它特殊需要。
3)光电倍增管(pwn
PMT的结构一一光电倍增管为电真空器件<>
PMT的主要部件
1光阴极及聚焦极:
-完成光电转换并使光电子有效被第一打拿极D1收集.光阴极采用低逸出功材料,如Cs-Sb(单碱金属),Cs-K-Sb(双碱金属)等。
2打拿极-乂称联极,实现电子倍增过程,每级倍增因子5=4-6。
对决定光电倍增管性能有重要意义的笫一打拿极的材料选用负电子亲合力材料(NEA),其倍增因子26。
3阳极…收集最后联极倍增的电子,采用高逸出功材料,如等。
PMT的类型
聚焦型--直线,环状。
具有较快的响应时间。
非聚焦型一百叶窗,盒子形。
倍增系数较大,多用于能谱测量。
主要性能
1光阴极的光谱响应-不同的光阴极材料具有不同的响应曲线
低能端(长波)受光阴极材料限制;高能端(短波)受玻壳限制,光学玻璃-一3000A,石英玻璃…2000丄。
2光照灵敏度
阴极灵敬度[/lA/Ijn],式中:
L为光阴极的光电子流(0),F为
光通量(Itn)o
阳极灵敬度S.*」%⑷s],式中:
匚为阳极电流(A)。
PMT增益M=^-=^-=(gd)"=106-108,式中g是打拿极间电子传输
lK
效率。
3PMT暗电流与噪声
成因:
光阴极的热电子发射。
残余气体的电离--离子反馈;残余气体的激发--光子反馈。
工艺--尖端放电及漏电
指标:
噪声能当量。
当没有任何光子照射到光阴极上时可测得噪声谱一即噪声输出脉冲幅度的分布,当纵坐标取”=50cps时相应的脉冲幅度所相应的入射粒子能量,称为噪声能当量,单位是KeV.阳极暗电流,实际上它是噪声脉冲信号电流的平均值,一般为lO^-lO^Ao
4的时间特性
飞行时间(渡越时间)te:
为一个光电子从光阴极到达阳极的平均时间,
渡越时间离散心…为心的分布函数的半宽度,山于到达阳极的每个电子都经历了不同的倍增过程和飞行距离,反映了飞行时间的涨落,是决定闪烁计•数器的分辨时间的限制的因素。
5的稳定性
在实际使用中,光电倍增管的稳定性是个重要指标。
稳定性是指在恒定辐射源照射下,光电倍增管的阳极电流随时间的变化。
它包含了两部分:
一是“短期稳定性”,指建立稳定工作状态所需的时间,一般在开机后预热半小时才开始正式工作。
一是指工作达到稳定后,略有下降的慢变化,与管子的材料、工艺有关。
同时与周围的环境温度有关,在长期工作的条件下,须采用“稳峰”的措施。
3、半导体探测器
半导体探测器给辐射探测器的发展,尤其对带电粒子能谱学和了射线谱学带来重大飞跃。
基本原理是带电粒子在半导体探测器的灵敏体积内产生电子一空穴对,电子一空穴对在外电场的作用下迁移而输出信号。
探测器的信息载流子:
气体探测器中的电子一正离子对:
闪烁探测器中的被PMT的第一打拿极D1收集的电子;半导体探测器中的电子一空穴对统称为探测器的信息载流子。
产生每一个信息载流子的平均能量分别为、(of«300eV和血a3eVo
半导体探测器的明显的特点:
1能量分辨率最佳;
2了射线探测效率较高,可与闪烁探测器相比。
常用半导体探测器有:
®P-N结型半导体探测器;②锂漂移型半导体探测器;③高纯铐半导体探测器。
1)半导体的基本性质
常用半导体材料为硅(Si)和错(Ge)均为【V族元素。
本征半导体和杂质半导体
1本征半导体――理想、无杂质的半导体。
由于热运动而产生的载流子浓度称为本征载流子浓度,且导带中的电子数和价带中的空穴数严格相等。
在室温下,本征硅和错的载流子浓度为:
硅:
w.=^r=1.5xl010c/W-3,相应Eg=\A15eV:
猪:
n.==2.4x10°cm-5,相应比=0.665eV。
2杂质的类型
替位型一III族元素,如B,Al,Ga等。
V族元素,如P,As,Sb
间隙型一Li,可在晶格间运动。
3施主杂质与施主能级
施主杂质为V族元素,施主朵质的能级位于接近禁带顶端的能量,其电离电位很低。
在室温下,这些杂质原子儿乎全部电离。
由于杂质浓度远大于本征半导体导带中的电子,多数载流子为电子,杂质原子成为正电中心。
掺有施主杂质的半导体称为N型半导体。
4受主杂质与受主能级
受主杂质为山族元素,受主能级的位置接近禁带底部,其电离电位也很低。
多数载流子为空穴,杂质原子成为负电中心。
掺有受主杂质的半导体称为P型半导体。
2)P_N结半导体探测器
P-N结半导体探测器的工作原理
®P-N结区(势垒区)的形成
多数载流子扩散,空间电荷形成内电场并形成结区。
山于内电场的存在,所以在结区内存在着势垒,结区乂称为势垒区。
势垒区内为耗尽层,无载流子存在,实现高电阻率,达远高于本征电阻率。
建立并达到动态平衡:
//…多子穿透内电场,方向为逆内电场方向;
几一在结区内由于热运动产生的电子空穴对;
人…少子扩散到结区。
人,人的方向为顺内电场方向,并建立平衡状态:
此时的费米能级EFn=EFpo
外加电场:
在使结区变宽的同时,儿增加,IfJs基本不变,出现宏观的电流即称之为暗电流。
此时费米能级不平衡,E,nE,p
P—N结半导体探测器的类型
扩散结型探测器
采用扩散工艺…-高温扩散或离子
- 配套讲稿:
如PPT文件的首页显示word图标,表示该PPT已包含配套word讲稿。双击word图标可打开word文档。
- 特殊限制:
部分文档作品中含有的国旗、国徽等图片,仅作为作品整体效果示例展示,禁止商用。设计者仅对作品中独创性部分享有著作权。
- 关 键 词:
- n5v 第十四 辐射 测量 原理