MT7620programming guied12.docx
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MT7620programmingguied12
2.14存储控制器
2.14.1特性
-1SDRAM/DDR2(16b)chip选择
-128MB(SDRAM)/128MB(DDRl)/256MB(DDR2)perchip选择
-SDRAMtransaction被earlyactive和hiddenpre-charge覆盖
-用户SDRAMInit命令
-每个SDRAMchipselect有4个库
-SDRAMburstlength:
4(fixed)
-DDR2burstlength:
4/8(programmable)
-Wrap-4转换
-Bank-Raw-Column和Raw-Bank-Columnaddressmapping
2.14.2框图
2.14.3SDRAM初始化序列
SDRAM在准备被读取或编写之前需要有一个初始化序列。
如下:
1.在SDRAM_CFGO设置SDRAM相关时序
2.用SDRAM_INIT_START=1在SDRAM_CFG1寄存器设置SDRAMsize和refreshtime
3.在SDRAM_CFG1寄存器读取SDRAM_INIT_DONE
4.如果SDRAM_INIT_DONE!
=1,执行第三步,除此之外SDRAM初始化序列完成
2.14.4SDRAM省电模式配置
使用为每个DRAMsize提供的寄存器配置省电模式。
2.14.5DDR初始化序列
DDR设备在准备re-write存取之前需要一个初始化序列。
如下:
1.等待200µs在address0x1000_0034设置bit[10]为0
2.读取DDR_CFG1的bit[21],等待变为1
3.在DDR_CFG1设置DDRsize和datawidth
对于DDR的性能,遵循以下两个列表提供的依据DDR2size而定的DDR_CFG0和DDR_CFG1的设置。
这些表格是基于200MHzDDR频率。
2.14.6寄存器列表
2.14.7寄存器描述(base:
0x1000_0300)
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