第十届中国光伏会议会议手册.docx
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第十届中国光伏会议会议手册
大会组织单位
⏹主办单位
中国可再生能源学会
江苏省常州市人民政府
中国可再生能源学会太阳能光伏专委会
⏹支持单位
中华人民共和国科学技术部高新技术发展及产业化司
中华人民共和国发展和改革委员会高新技术产业司
江苏省科学技术厅
⏹承办单位
常州天合光能有限公司
浙江大学硅材料国家重点实验室
⏹承展单位
上海诺盖斯展览策划有限公司
⏹协办单位
全国工商联新能源商会
江苏省光伏产业协会
⏹赞助单位
金牌赞助:
常州天合光能有限公司
银牌赞助:
京瓷(天津)商贸有限公司
大会组织机构
大会主席
石定寰
范燕青
大会副主席
张志宏朱克江韩九云史立山苗治民
大会执行主席
赵玉文高纪凡
指导委员会
石定寰范燕青张志宏朱克江韩九云史立山苗治民
孔力朱俊生李俊峰韩建功李宝山孟宪淦施正荣
顾问委员会
严陆光龚堡梁骏吾胡成春
组织委员会
主任:
赵玉文
副主任:
薛建南张跃李安定
委员:
丁孔贤魏启东王远征王斯成刘金启刘祖明朱惠民
许洪华吴达成张治民李杰慧李毅陆永华陈哲艮
周建宏季秉厚昌金铭苗连生韩洪英徐伟新雷霆
桂俊祥高纪凡曹仁贤曾祖勤鲁延武
程序(学术)委员会
主任:
杨德仁
副主任:
崔容强沈辉吴达成赵颖张光春
委员:
耿新华赵建华王文静王斯成曹仁贤杨金焕王孔嘉
卢景宵刘祖明林安中黄国华苏建徽向贤碧廖显伯
任丙彦余世杰刘跃华陈哲艮孙云孙本新孙铁囤
左元淮余国光王国华李世民李瑞武周承柏杨洪兴
评奖委员会
主任:
刘祖明
副主任:
陈哲艮
委员:
王斯成冯良桓林安中耿新华崔容强邱第明汪义川杨德仁
展览委员会
主任:
邱第明
副主任:
刘文良董新利
秘书处
秘书长:
邱第明
副秘书长:
汪雷刘文良吴华
秘书处:
詹静周志平周晓瑜郑万雷陈官璧李晓强
一、代表须知1
二、会议日程简表2
三、会议详细日程3
报道注册3
开幕式及大会邀请报告3
学术讨论日程简表4
F1分会详细日程表5
F2分会详细日程表8
F3分会详细日程表11
F4分会详细日程表13
F5分会详细日程表15
F6分会详细日程表17
四、地图19
附录:
墙报展示名单20
一、代表须知
1、报道注册:
参会代表在2008年9月18日(星期四)到常州万豪花都国际大酒店现场注册,注册需办理如下事项:
(1)填写报到登记表格:
包括姓名、职称或职务、工作单位、电话、E-mail。
(2)会务组交纳注册费并开具发票:
非学生代表1380元/人,学生代表600元/人(需出示学生证)。
(3)领取会议资料:
包括会议论文集、会议手册、会刊、文具、参会代表证、就餐劵、大会纪念品。
2、会议地点:
会议注册:
万豪花都国际大酒店
大会开幕式/大会学术报告/展览会:
常州市龙城大厅和常州市体育会展中心
分会学术报告:
万豪花都国际大酒店
论坛:
锦江国际大酒店
3、学术报告:
(1)时间:
大会学术报告:
30分钟(报告25分钟,回答问题5分钟)
分会邀请学术报告:
20分钟(报告15分钟,回答问题5分钟)
分会学术报告:
15分钟(报告10分钟,回答问题5分钟)
(2)报告用电子文件:
大会提供多媒体演示设备,请报告人提前做好Powerpoint演示文档。
(3)墙报展示:
墙报规格长90cm,宽120cm,版面应简洁、清楚,字号适中,黑白、彩色均可,每篇论文一个版面。
会务组将提供张贴工具。
在会议期间集中展示墙报时,论文作者应在墙报旁,以备回答其他代表的提问。
4、会议用餐:
在万豪花都国际大酒店提供会议用餐。
会议正式注册代表凭就餐劵用餐。
二、会议日程简表
日期
上午
中午
下午
晚上
9月18日
会议注册
展览和墙报布置
9月19日
大会开幕式暨展览开幕式
午餐
大会邀请报告(下)
欢迎晚宴
大会邀请报告(上)
参加常州市经贸洽谈会
参观展览
9月20日
学术报告分组会
(1)
论坛1:
光伏产业(上)
午餐
学术报告分组会(3)
论坛2:
硅材料(上)
晚餐
学术报告分组会
(2)
论坛1:
光伏产业(下)
学术报告分组会(4)
论坛2:
硅材料(下)
9月21日
学术报告分组会(5)
午餐
学术报告:
分组会(7)
论坛3:
薄膜电池
墙报集中展示
晚餐
学术报告分组会(6)
闭幕式
9月22日
参观常州(自愿参加)
午餐
参观常州(自愿参加)
撤展
三、会议详细日程
2008年9月18日报到注册
8:
00-22:
00地点:
常州市万豪花都国际大酒店
08:
00-22:
00
报到注册,展览和墙报布置
2008年9月19日
08:
18-10:
20
展览会、大会开幕式:
(主持人:
赵玉文)
08:
18-08:
48
展览会开幕式(专委会成员和部分代表参加)
08:
50-09:
10
集合至(大巴接送)常州市政府龙城大厅(大会会场)
09:
18-9:
25
1、会议主席致辞(石定寰)
09:
25-9:
40
2、领导讲话(2到3人)
09:
40-10:
10
3、主旨发言我国光伏产业发展概况及思考(赵玉文)
10:
10-10:
20
4、颁奖(光伏成就奖等)
10:
20-10:
25
5、获奖代表讲话
10:
25-10:
40
休息
10:
40-11:
40
大会邀请报告:
(主持人:
杨德仁)
10:
40-11:
10
报告1:
高品质是光伏产业之本(高纪凡)
11:
10-11:
40
报告2:
选择发射极SE太阳电池(赵建华)
11:
40-12:
50
集合至(大巴接送)万豪花都国际大酒店午餐
12:
50-13:
10
集合至(大巴接送)常州市政府龙城大厅(大会会场)
13:
10-16:
00
大会邀请报告:
(主持人:
沈辉、邱第明)
13:
10-13:
40
报告3:
GW级光伏电池的生产技术和质量控制(施正荣,张光春)
13:
40-14:
10
报告4:
中国光伏的技术进步(崔容强)
14:
10-14:
40
报告5:
碲化镉薄膜太阳电池技术和产业化进展(冯良桓)
14:
40-15:
10
报告6:
薄膜硅的技术和产业进展(赵颖)
15:
10-15:
40
报告7:
太阳电池用晶体硅技术和产业进展(杨德仁)
15:
40-16:
00
集合至(大巴接送)常州市体育会场
16:
00-18:
00
参加常州市经贸洽谈会开幕式
参观展览
18:
00-20:
00
欢迎晚宴地点:
万豪花都国际大酒店
学术讨论日程简表
9月20日
8:
30-11:
50
F1分会报告地点:
万豪花都国际大酒店
F2分会报告地点:
万豪花都国际大酒店
F3分会报告地点:
万豪花都国际大酒店
F4分会报告地点:
万豪花都国际大酒店
F5分会报告地点:
万豪花都国际大酒店
F6分会报告地点:
万豪花都国际大酒店
光伏产业论坛地点:
锦江国际大酒店
11:
50-14:
00
午餐地点:
万豪花都国际大酒店
14:
00-17:
40
F1分会报告地点:
万豪花都国际大酒店
F2分会报告地点:
万豪花都国际大酒店
F3分会报告地点:
万豪花都国际大酒店
F4分会报告地点:
万豪花都国际大酒店
F5分会报告地点:
万豪花都国际大酒店
F6分会报告地点:
万豪花都国际大酒店
硅材料论坛地点:
锦江国际大酒店
18:
00-20:
00
“天合之夜”酒会地点:
常州恐龙园
9月21日
8:
30-11:
50
F1分会报告地点:
万豪花都国际大酒店
F2分会报告地点:
万豪花都国际大酒店
F4分会报告地点:
万豪花都国际大酒店
F5分会报告地点:
万豪花都国际大酒店
11:
50-14:
00
午餐地点:
万豪花都国际大酒店
14:
00-16:
30
F1分会报告地点:
万豪花都国际大酒店
F2分会报告地点:
万豪花都国际大酒店
薄膜电池论坛地点:
锦江国际大酒店
(注意!
!
!
本论坛开始时间改为13:
00)
墙报展示地点:
锦江国际大酒店
(作者名单及题目见附录)
16:
30-17:
20
闭幕式:
(主持人:
高纪凡)地点:
锦江国际大酒店
16:
30-16:
50
1、达成的共识、宣言等交流(赵玉文)
16:
50-17:
00
2、颁发优秀论文奖(刘祖明)
17:
00-17:
20
3、大会总结(杨德仁)
18:
30-20:
30
晚宴地点:
锦江国际大酒店
F1分会详细日程表
——晶体硅太阳电池及材料
(主席:
崔容强,沈辉)
F1分会专题报告硅材料(主持人:
崔容强、刘祖明)
2008年9月20日地点:
万豪花都国际大酒店
8:
30–8:
50
23届欧洲光伏会议情况报告(邀请报告)
周浪,南昌大学材料学院
8:
50–9:
05
F1-1,冶金硅的电解提纯研究
赖延清,中南大学冶金科学与工程学院
9:
05–9:
20
F1-3,西门子法硅料和物理提纯法硅料浇铸多晶硅片性能比较
徐华毕,中山大学太阳能系统研究所
9:
20–9:
35
F1-15,C-C复合材料坩埚在直拉单晶炉中的应用研究
李军,湖南金博复合材料科技有限公司
9:
35–9:
50
F1-16,激光区熔在太阳电池制造过程中应用
张陆成,中山大学太阳能系统研究所
9:
50–10.05
F1-24,磁场对CZ法生长太阳能级硅单晶的影响
李振国,西安隆基硅材料股份有限公司
10:
05-10:
30
休息
10:
30-10:
50
F1-58,铸造多晶硅不同部位的少子寿命研究(邀请报告)
汪雷,浙江大学硅材料国家重点实验室
10:
50-11:
05
F1-55,热处理对p型单晶硅非晶SiC:
H钝化效果的影响
陈官璧,浙江大学硅材料国家重点实验室
11:
05-11:
20
F1-54,快速热处理条件下Cu沾污对多晶硅少子寿命的影响
李晓强,浙江大学硅材料国家重点实验室
11:
20-11:
35
F1-56,酸洗法提纯金属硅的研究
顾鑫,浙江大学硅材料国家重点实验室
10:
35-11:
50
F1-43,磷吸杂对多晶硅片少子寿命分布的影响
蒋仙,尚德电力控股有限公司
11:
50-14:
00
午餐地点:
万豪花都国际大酒店
主持人:
杨德仁、孟凡英
14:
00-14:
20
晶体硅材料性能对太阳电池的影响(邀请报告)
刘祖明,云南师范大学太阳能研究所
14:
20-14:
35
F1-41,多晶硅片微晶区域对太阳能电池性能的影响
蒋仙,尚德电力控股有限公司
14:
35-14:
50
F1-60,薄片单晶硅太阳能电池片机械强度的研究
李中兰,浙江大学硅材料国家重点实验室
14:
50-15:
05
F1-61,N型冶金硅材料在光伏行业中的应用
吴旻,常州亿晶光电科技有限公司
15:
05-15:
20
F1-45,高品质冶金级硅(UMG-Si)中硼、铝、磷、碳、氧、钙和铁的均匀性研究
LarryWang,EvansAnalyticalGroup,USA
15:
20-15:
35
F1-19,晶体硅太阳电池旁路结分析
李军勇,中山大学光电材料与技术国家重点实验室
15:
35-15:
50
F1-2,用碘酒和氢氟酸钝化晶体硅的比较
任丙彦,河北工业大学
15:
50-16:
20
休息
16:
20-16:
40
F1-28,基于冶金级硅片的太阳电池光致衰减特性研究(邀请报告)
孟凡英,上海交通大学物理系太阳能研究所
16:
40-16:
55
F1-65,高光电转换效率,无衰减的太阳电池硅单晶的研制
曾世铭,常州美晶太阳能材料有限公司
16:
55-17:
10
F1-13,单晶硅太阳电池漏电流的红外热像仪检测
金井升,中山大学太阳能系统研究所
17:
10-17:
25
F1-29,晶体硅光伏电池的电致发光成像检测方法与实验研究
杨畅民,西安理工大学理学院
17:
25-17:
40
F1-42,浸锡工艺在单晶硅太阳能电池上的应用
黄治国,尚德电力控股有限公司
18:
00-20:
00
“天合之夜”酒会地点:
常州恐龙园
F1分会专题报告光伏电池技术(主持人:
沈辉、张光春)
2008年9月21日地点:
万豪花都国际大酒店
8:
30–8:
50
F1-25,单晶硅制绒液主要成分的浓度分析方法(邀请报告)
杨春杰,江苏林洋新能源有限公司
8:
50–9:
05
F1-4,晶体硅太阳电池的SiNx:
H/热氧化SiO2双层结构的表面钝化特性研究
周春兰,中国科学院电工研究所
9:
05–9:
20
F1-7,多晶硅太阳电池的酸腐蚀绒面技术
刘新民,翰悦(上海)化工公司
9:
20–9:
35
F1-8,多晶硅太阳电池表面酸腐蚀织构化工艺的研究
赵汝强,中山大学太阳能系统研究所
9:
35–9:
50
F1-9,晶硅表面薄膜硅钝化效果研究
赵雷,中国科学院电工研究所太阳电池技术研究组
9:
50–10.05
F1-57,损伤层对单晶硅太阳电池制绒的影响
肖俊峰,浙江大学硅材料国家重点实验室
10:
05-10:
30
休息
10:
30-10:
50
F1-14,薄硅片太阳电池制备技术(邀请报告)
梁宗存,中山大学太阳能系统研究所
10:
50-11:
05
F1-11,P型掺硼单晶硅太阳电池和组件早期光致衰减问题的研究
张光春,无锡尚德太阳能电力有限公司
11:
05-11:
20
F1-12,单晶硅太阳电池中不同绒面制备方法的比较
李海玲,中科院电工研究所太阳电池技术研究组
11:
20-11:
35
F1-64,硅异质结太阳电池中单晶硅表面织构的优化研究
豆玉华,中国科学院研究生院
10:
35-11:
50
F1-39,用于HIT太阳电池的ZAO/Ag/ZAO复合透明导电膜优化设计
于建秀,中国科学院电工研究所太阳电池技术研究组
11:
50-14:
00
午餐地点:
万豪花都国际大酒店
会议主持人:
赵玉文、王景霄
14:
00-14:
20
F1-6,零衰减单晶硅太阳能电池(邀请报告)
汪义川,尚德电力控股有限公司
14:
20-14:
35
F1-26,高效无铅太阳能电池背银浆料的研究
JeromeMoyer,贺利氏有限公司厚膜材料部
14:
35-14:
50
F1-27,管式扩散工艺过程中磷源携带量变化研究
陈琼,常州亿晶光电科技有限公司
14:
50-15:
05
F1-30,空间用硼背场太阳电池太阳吸收率研究
杜永超,天津电源研究所
15:
05-15:
20
F1-33,空间硅太阳电池用新型纳米减反射膜系设计
刘永生,上海电力学院
15:
20-15:
35
F1-35,SiO2-SiNX叠层钝化晶体硅太阳能电池的研究
董经兵,林洋新能源有限公司
15:
35-15:
50
F1-37,热处理对晶体硅电池PECVD氮化硅氢钝化效果的影响
张高洁,林洋新能源有限公司
15:
50-16:
30
F1-44,MAiA–ANEWVERSATILEPECVD/ETCHINGTOOLFORPROCESSINGCRYSTALLINESILICONSOLARCELLS
MUhlig,Roth&RauAG,Germany
F1分会专题报告结束
F2分会详细日程表
——薄膜硅太阳电池及材料
(主席:
赵颖,廖显伯)
F2分会专题报告硅薄膜电池(主持人:
廖显伯)
2008年9月20日地点:
万豪花都国际大酒店
8:
30–8:
50
F2-17,高速沉积高效微晶硅太阳电池的研究(邀请报告)
耿新华,南开大学光电子薄膜器件与技术研究所
8:
50–9:
05
F2-16,高速沉积本征微晶硅薄膜微结构及其对电池性能的影响
韩晓艳,南开大学光电子薄膜器件与技术研究所
9:
05–9:
20
F2-24,射频高压耗尽PECVD技术制备高效率硅薄膜电池的研究
侯国付,南开大学光电子薄膜器件与技术研究所
9:
20–9:
35
F2-27,微晶硅薄膜太阳电池的研究进展
王林申,南开大学信息技术科学学院
9:
35–9:
50
F2-8,VHF-PECVD高速沉积非晶硅电池的研究
李贵君,南开大学光电子薄膜器件与技术研究所
9:
50–10.05
F2-30,有关薄膜太阳电池中光利用设计的几点思考
赵颖,南开大学光电子薄膜器件与技术研究所
10:
05-10:
30
休息
F2分会专题报告微晶硅薄膜生长(主持人:
张晓丹)
10:
30-10:
50
F2-42,以PW/pg为组合变量的微晶硅薄膜的沉积相图(邀请报告)
孙振中,中国科学院研究生院
10:
50-11:
05
F2-15,高沉积气压下氢化微晶硅薄膜的高速沉积
申陈海,郑州大学物理工程学院
11:
05-11:
20
F2-3,PulsedVHF-PECVD技术对微晶硅材料的结构及电学特性影响
王世锋,南开大学光电子薄膜器件与技术研究所
11:
20-11:
35
F2-14,非晶硅/微晶硅过渡区材料的PECVD法制备与特性研究
杨恢东,暨南大学电子工程系
10:
35-11:
50
F2-43,氩稀释在PECVD高速沉积微晶硅薄膜中的作用
孙振中,中国科学院研究生院
11:
50-14:
00
午餐地点:
万豪花都国际大酒店
F2分会专题报告硅薄膜电池(主持人:
赵颖)
14:
00-14:
20
F2-12,单室技术制备非晶硅/微晶硅叠层太阳电池(邀请报告)
张晓丹,南开大学光电子薄膜器件与技术研究所
14:
20-14:
35
F2-10,单室沉积PIN电池工艺中磷污染问题研究
孙福和,南开大学光电子薄膜器件与技术研究所
14:
35-14:
50
F2-11,单室沉积本征微晶硅薄膜及其在电池中的应用
王光红,南开大学光电子薄膜器件与技术研究所
14:
50-15:
05
F2-9,掺杂浓度对p型µC-Si:
H材料特性的影响
杨恢东,暨南大学电子工程系
15:
05-15:
20
F2-5,P型微晶硅薄膜材料的制备与优化
许盛之,南开大学光电子薄膜器件与技术研究所
15:
20-15:
35
F2-4,P型窗口层对NIP型非晶硅太阳电池性能的影响
赵鹏,南开大学光电子薄膜器件与技术研究所
15:
35-15:
50
F2-1,Improvingtheefficiencyofn-i-pa-Si:
Hthinfilmsolarcellsbasedonpolyimidesubstrate
KeTao,DepartmentofElectronicScienceandTechnology,NankaiUniversity
15:
50-16:
20
休息
F2分会专题报告柔性衬底硅薄膜电池(主持人:
叶晓军)
16:
20-16:
40
F2-22,柔性衬底硅基薄膜太阳电池的研究(邀请报告)
薛俊明,南开大学光电子薄膜器件与技术研究所
16:
40-16:
55
F2-18,基于柔性衬底的P型微晶硅薄膜生长工艺的研究
隋妍萍,南开大学信息技术科学学院电子科学与技术系
16:
55-17:
10
F2-2,PET塑料衬底上柔性硅基薄膜电池研究
倪牮,南开大学光电子薄膜器件与技术研究所
17:
10-17:
25
F2-41,掺杂及界面处理对柔性nip非晶硅太阳电池性能的影响
周丽华,上海空间电源研究所
17:
25-17:
40
F2-40,柔性不锈钢衬底上制备n-i-p微晶硅太阳电池的研究
袁育杰,南开大学光电子薄膜器件与技术研究所
17:
40-17:
55
F2-26,微晶硅薄膜太阳电池的计算机模拟
赵明利,郑州大学物理工程学院
18:
00-20:
00
“天合之夜”酒会地点:
常州恐龙园
F2分会专题报告模拟与测试分析(主持人:
刘丰珍)
2008年9月21日地点:
万豪花都国际大酒店
8:
30–8:
50
薄膜太阳电池产业化的新纪元(邀请报告)
CharlesGay博士
8:
50–9:
05
用调制光电流相移分析技术研究微晶硅的隙态密度分布
曾湘波
9:
05–9:
20
F2-6,VHF-PECVD沉积微晶硅薄膜的等离子体模拟研究
张晓丹,南开大学光电子薄膜器件与技术研究所
9:
20–9:
35
F2-7,VHF-PECVD大面积Showerhead平板电极间电场和流场数值拟
葛洪,南开大学光电子薄膜器件与技术研究所
9:
35–9:
50
F2-25,太阳电池用微晶硅薄膜的光谱椭圆偏振法初步研究
张鹤,南开大学光电子薄膜器件与技术研究所
9:
50–10:
05
F2-28,用恒定光电导法分析非晶硅薄膜材料及太阳电池性能
薛颖,南开大学信息技术科学学院
10:
05-10:
30
休息
F2分会专题报告硅基薄膜材料制备(主持人:
耿新华)
10:
30-10:
50
PresentStatusandFutureProspectsofThinFilmSolarCells-DevelopmentofFullSpectrumThinFilmSolarCellstoward2050(邀请报告)
MakotoKonagai(小长井诚,日本东京工业大学)
10:
50-11:
05
F2-19,利用电子束蒸发法制备硅薄膜的研究
李明华,中山大学太阳能系统研究所
11:
05-11:
20
F2-21,溶液法铝诱导晶化非晶硅机理初探
王烁,南开大学光电子薄膜器件与技术研究所
11:
20-11:
35
F2-23,柔性衬底上a-SiNx:
H绝缘介质薄膜的制备与特性研究
杨恢东,暨南大学电子工程系
10:
35-11:
50
F2-33,掺铝氧化锌薄膜相关特性的研究
林清耿,郑州大学物理工程学院材料物理教育部重点实验室
11:
50-14:
00
午餐地点:
万豪花都国际大酒店
F2分会专题报告透明导电薄膜制备(主持人:
卢景霄)
14:
00-14:
20
F2-38,用于薄膜太阳电池的绒面ZnO透明导电薄膜的研究(邀请报告)
薛俊明,南开大学光电子薄膜器件与技术研究所
14:
20-14:
35
F2-39,种子层诱导法低温生长绒面结构ZnO薄膜
陈新亮,南开大学光电子薄膜器件与技术研究所
14:
35-14:
50
F2-35,超声喷涂热解法制备ZnO:
Al薄膜的研究
陈永生,郑州大学物理工程学院材料物理教育部重点实验室
14:
50-15:
05
F2-36,退火温度对太阳电池用ZnO:
Al透明导电薄膜结构和性能的响
王晓晶,华中科技大学电子科学与技术系
15:
05-15:
20
F2-31,Sn含量对低温制备In2O3:
Sn薄膜性能的影响
李林娜,南开大学光电子薄膜器件与技术研究所
15:
20-15:
35
F2-34,掺铝氧化锌薄膜表面织构的研究
林清耿,郑州大学物理工程学院材料物理教育部重点实验室
15:
35-15:
50
F2-37,氧分压对低温制备In2O3:
Sn薄膜性能的影响
曹丽冉,南开大学
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- 第十 中国 会议 手册