三极管及其放大电路的仿真.docx
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三极管及其放大电路的仿真
三极管及其放大电路的仿真
一实验目的
熟悉Multisim的使用方法,了解元件库、分析功能、虚拟仪表等功能。
使用multisim分析和设计电子电路。
二,实验设备
MultisimV13
三,实验内容
1三极管特性曲线测量
三极管:
2N2222A。
特点:
小功率NPN型三极管。
输入曲线测量:
输入特性曲线参数要求:
:
0~1.5V,步长0.01V;
:
0~12V,步长0.2V。
图1-三极管输入曲线测量电路图
通过对
逐点扫描,每次变化一个Vcc,便可以得到一个变化曲线
步骤:
simulate→analysis→DCsweep
然后开始设定要求,设置输出,最后如图所示:
图二-三极管输入曲线参数设定
最后分析出来的结果为:
图三-三极管输入曲线
注:
在最开始的输入曲线下还需设置一下纵轴的值。
因为从图中可以看到
到了200mA,显然是不可能的,所以要设置一下
的值,设置为1mA,变得到了和书中类似的图。
结论:
从图中可以看出来,在
很小的时候,发现电流
几乎为零,称为死区电压;当
大于1v时,三极管的特性曲线简化成一条曲线。
输出曲线测量
输出特性曲线参数要求:
:
0~12V,步长0.01V;
:
0~100μA,步长:
10μA。
图四-三极管输出曲线测量电路图
步骤:
simulate→analysis→DCsweep
然后开始设定要求,设置输出,最后如图所示:
图5-三极管输出曲线参数
最后分析出来的结果为:
图六-三极管输出曲线
结论:
从图中可以看出来。
输出曲线基本分了三个区
当UCE大于1V时,IC只与IB有关,IC=βIB,此区域也叫线性放大区
当UCE=0~1V,βIB>IC,也叫饱和区。
造成饱和的原因是由于发射区发射的电子多,没有被完全收集到集电区。
发射有余,收集不足
IB=0;IC=ICEO;UBE<死区电压,该区称为截止区。
2基本放大电路设计
设计的电路图如图所示:
图七-基本放大电路电路图
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- 关 键 词:
- 三极管 及其 放大 电路 仿真