毕业设计bcb图形化工艺研究.docx

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毕业设计bcb图形化工艺研究

BCB微图形化工艺研究

摘要

微细加工技术是人类迄今为止所能达到的精度最高的加工技术之一，其加工尺寸已经达到深亚微米、百纳米、甚至纳米级，在当今技术领域已经具有举足轻重的地位。

本文所讲的就是微加工一种工艺的实验研究。

它是利用基于BCB的化学聚合物——CYCLOTENE牌先进电子学干法刻蚀树脂，作为牺牲层，进行图形化处理。

本文主要描述对BCB利用旋涂和加热固化的方法形成厚度在几微米的薄膜，此薄膜可以用光刻及干法刻蚀的方法，进行图形化及去除。

具体操作步骤为：

先在硅片上均匀涂敷一层增附剂，再涂BCB膜层，对其进行自升温固化或进行快速热处理，然后再在BCB膜上均匀涂敷一层光刻胶，通过前烘、曝光、显影等工艺，再通过干法刻蚀在硅片上形成BCB图形。

本文主要目的是通过大量实验，制备不同厚度的BCB薄膜，得到这些不同的BCB的成膜条件、图形化处理条件等。

关键词：

BCB；微细加工；光刻；干法刻蚀

StudyonBCB’sfiguretreatmenttechnology

Abstract

Thesubmicroprocessingtechnologyisoneoftheprecistmanufacturetechnologythatcouldbeachievedtoday.Theresultingsizehasreachedtothemicronmoreinferiordeeplyandhundrednanometerandeventotheextentthatthenanometerlevelnow,itplaysanimportantroleintoday’stechnologyfield.Whatthistextspeaksistheexperimentresearchwhichisonekindofmethodofsubmicroprocessing.ItuseschemicalpolymerbasedonBCB–---dry-etchCYCLOTENEadvancedelectronicsresinsasasacrificetogoonfiguretreatment.ThispaperischieflydescribedtotheBCBandisusedtospreadsoonandheatsthatthemethodsolidifyingformsthicknessseveralmicronstothefilmoftensmicrons,andthisfilmcanbeusedphotolithographandwetetchingthatthemethodgraphizationlosingreachestogotoremove.Theconcreteoperatingsequenceis:

Coatoneevenlayerofadhesiononthesiliconchipfirst,andthenaBCBmembranestorey,andthencarriesonhiscertainlylitertemperaturesolidificationorcarriesonquickheattreatment,thencoatalayerofphotoresistevenlyonBCBmembrane,goonbaking,exposing,developingetc.andthenusingdry-etchprocesstoformBCBfigure.ThemainpurposeofthispaperistoprepareBCBmembraneofdifferentthicknessthroughalargenumberofexperiments,togetthemembranecondition,figuretreatment　conditionofthesedifferentBCBs.

Keyword:

BCB;Submicroprocessing;Photolithograph;Etching

附录一开题报告

附录二中期报告

附录三英文翻译

附录四英文原文

1绪论

1.1概述

进入新世纪的今天，通信和计算机技术的发展速度惊人，电子设备的体积日趋缩小，重量越来越轻、性能越来越高，这些都离不开推动其发展的MCM制造技术。

在MCM技术中，最值得关注的是MCM-D技术，因为它更能提高互连密度及封装效率和为电子系统提供更高的信号传输速度。

为了跟上MCM-D的发展步伐，高性能的层间介质材料——光敏BCB应运而生。

作为大规模集成电路（LSI）的绝缘材料而广泛应用，这种材料的介电常数低，吸水率低，高频介质损耗小，固化温度低，与各种金属层的兼容性好。

微电子制造业作为一项战略性的基础产业，对于促进我国国民经济持续发展和保证我国国家安全具有举足轻重的地位。

自微电子学问世以来，电子技术领域内发生了巨大的变化。

元件不再以机械方式生产和组装，而是以光学方法传递图形，利用光刻法完成结构成型，这就要涉及到微细加工技术。

光刻技术是微细结构加工的核心技术。

值得注意的是，利用光刻成像只能传递二维结构。

由于人们希望设计和生成三维结构，因此这一点被认为是这门技术的不足。

但是光学成像在技术上的一系列优点远胜过其不足。

因为光成像可以传递尺寸仅受限于频谱的结构；成像图案不会被破坏，因而容易被复制。

微电子学影响着我们的日常生活，它已经渗入所有的技术领域，并且为信息时代的发展确立了标准。

许多今天看来是理所当然的技术都是来自于微电子工业的发展，比如光刻技术就是一例。

其他如薄膜技术、模拟技术等也大大得益于微电子学。

硅材料微机械技术，在任何一方面都依赖于微电子技术。

二者不仅具备相似的制造过程，而且单晶硅同时也是微结构的基本材料。

20世纪80年代初，作为该领域的权威人士，当时还在IBM工作的K.E.Petersen已经发表了重要的著作，通过各向异性的刻蚀过程得到三维结构，在该过程中可以将单晶硅平整为要求的形状，利用特殊的刻蚀方法，对应晶体的结构，从单晶硅上各向异性地去除材料。

利用硅氧化物或硅氮化掩膜，对部分硅表面进行刻蚀，不同的晶体表面以不同的速度刻蚀。

晶体中可以加入人工作为附加的蚀刻阻塞层。

利用合适的掩膜、蚀刻阻塞层，采用各向同性和各向异性的蚀刻方法，可以在硅片上制造出所需的图形结构。

本课题所做的是对微加工的用到的聚合材料的研究。

它是利用基于BCB的化学聚合物——CYCLOTENE牌先进电子学干法刻蚀树脂，作为牺牲层，进行图形化处理。

具体步骤：

先涂敷一层BCB薄膜，再涂光刻胶、曝光（光刻）、显影、刻蚀（刻出光刻胶图形——图形化转移）、图形化处理。

其中要用等离子刻蚀，刻蚀下层的BCB，将光刻胶图形转移到BCB薄膜上，形成BCB图形。

1.2BCB概况及应用

由CYCLOTENE牌先进电子学干法刻蚀树脂制成的薄膜适用于需绝缘层的圆片上和需保护或抗化学性的保护层中的应用。

CYCLOTENE牌树脂正在被使用或为电子工业的许多装置所看重。

如多晶片模组平板显示、夹层电介质、微机械、光互联和压力缓冲层等。

CYCLOTENE的品种多，有着许多理想和良好的特性。

DOW化学公司生产的CYCLOTENE牌3000系列树脂是源自BCB单体的聚合物，是为了在微电子应用而开发的。

我国对BCB的利用很少。

通过这种刻蚀方法，成功的在BCB上制作了微米量级线宽和亚微米量级深度的图案。

实验中利用BCB的良好热稳定性和化学稳定性，可以承受350℃高温，不溶于丙酮的特性，通过旋涂法在玻璃或石英晶片上制备厚度数个微米（厚度通过基片转速来控制）的BCB薄膜，然后在高温下处理数个小时，使材料固化。

制备的BCB薄膜表面非常平整，膜厚均匀且坚固，在激光辐照下不易被剥离。

1.3本课题的来源及背景

本毕业设计课题来源于科研题目“室温热成像器件与系统研究”。

其中需对牺牲层材料（聚合材料）做研究。

国外在高分子聚合材料方面是比较先进的。

在微电子领域对这些材料的应用越来越多，微电子行业已经离不开聚合物。

鉴于国外对CYCLOTENE牌树脂（BCB）的应用和国内的很少使用。

本课题针对BCB材料进行研究。

1.4本课题的主要任务和内容安排

本课题是应用微加工中的光刻及干法刻蚀等加工工艺，进行BCB膜层的微图形化处理。

首先要清楚BCB的特性及微加工的各工序，通过实验，制备不同种类的BCB薄膜，再通过数据的记录及处理，对比这些不同的BCB膜层的成膜条件、图形化条件。

其主要目的是通过形成BCB膜，进行光刻、干法刻蚀等工艺的研究，在硅片上形成BCB图形。

本课题的内容大致可分为以下五个部分：

1.了解本课题的来源及发展状况。

2.了解BCB的概况、特性及应用。

3.掌握光刻以及刻蚀的基本理论，为本文的实验部分打下基础。

4.学习并熟悉本课题所使用的仪器设备。

5.进行大量实验，完成本课题的内容。

6．处理数据，总结实验结果，得出结论。

2BCB介绍

2.1概述

新材料是高新技术发展的先导和基础。

新型高性能聚合物和功能聚合物的出现，为飞速发展的微电子学提供了动力。

BCB作为一类高性能聚合物，以它特有的性质，将会被越来越多地使用。

BCB是具有优良的热稳定性、化学稳定性、电绝缘性和机械强度的高性能材料。

在现代高技术领域有非常重要的应用。

例如在微电子制造中，用作各类器件钝化防护和层间介电等。

在用作这些方面时，BCB层上都要形成微细的连接瞳孔或连接窗口。

在用作这些方面时，BCB层上都要形成微细的连接瞳孔或连接窗口。

一般的做法是在BCB膜上涂上一层光刻胶，刻出光刻胶图形，以光刻胶图形做掩蔽层，再对BCB进行刻蚀，将光刻胶图形转移到BCB膜上。

2.2BCB的性能

CYCLOTENE牌先进电子学干法刻蚀树脂有许多非常吸引人的特性。

包括：

低介电常数：

（2.65，与温度和频率无关）

低离子浓度：

（ppm级）

低吸水性：

（85%RH下0.25%的吸收）

低固化温度：

（200℃以下两小时）

快速热处理：

（300℃下＜1分钟，250℃下～1小时）

高透光性：

（整个可见光谱＞90%）

高平整度：

（＞80%在25μm线宽方向上）

高热稳性：

（Tg＞350℃）

高抗溶性：

（对大多数有机溶剂、碱、苛性酸等稳定）

非常低漏气性：

（300℃以下不可发现）

2.3BCB的热处理

涂BCB后，聚合物膜层需被处理以确保对后序处理操作的抵抗性。

由BCB树脂构成的膜的处理需在无氧条件下（＜100ppm）进行。

建议在连续涂覆树脂时，对由BCB树脂形成的膜层应进行软处理。

软处理用来增强沉积于BCB膜上的连续层的附着。

包括：

金属薄膜聚合物、分子化合物。

所有聚合物层沉积好后处理建议最后处理（硬处理）。

进行硬处理时要达到95-100%的聚合物转换度。

硬处理与软处理相似，只是处理时间长些、温度高些。

使用对流式热炉完全处理的一个典型处理描述如表2.1、2.2所示。

表2.1BCB的硬处理

第1步

5分钟内上升到50℃

恒温5分钟

第2步

15分钟内上升到100℃

恒温15分钟

第3步

15分钟内上升到150℃

恒温15分钟

第4步

60分钟内上升到250℃

恒温60分钟

第5步

自然冷却

表2.2BCB的软处理

第1步

5分钟内上升到50℃

恒温5分钟

第2步

15分钟内上升到100℃

恒温15分钟

第3步

15分钟内上升到150℃

恒温15分钟

第4步

60分钟内上升到210℃

恒温40分钟

第5步

自然冷却

2.4BCB的应用方法

在基底上涂敷一层BCB，然后对其进行热处理。

通过在BCB膜层上涂敷一层光刻胶，对光刻胶进行光刻，产生一定的图形，把光刻胶图形作为掩模。

再用等离子刻蚀把光刻胶掩模上的图形转移，来实现BCB的图形化。

由于每一层不同的刻蚀特性，可采用与干法刻蚀BCB膜厚相关的一定膜厚的光刻胶，和不同的刻蚀条件来最优化工艺。

3光刻的基本理论

3.1概述

光刻是一种图象复印同刻蚀（化学的、物理的或两者兼而有之）相结合的综合性技术。

它用照相复印的方法，将光刻掩模的图形精确地复印到涂在待刻蚀材料（SiO2、Al、多晶硅等薄层）表面的光致抗蚀剂（亦称光刻胶）上面，然后在抗蚀剂的保护下对待刻材料进行选择性刻蚀，从而在待刻蚀材料上得到所需要的图形。

光刻分为光学光刻和非光学光刻。

光刻曝光方式有光学曝光、X射线曝光、电子束或离子束曝光等。

光学曝光有接触式曝光、接近式曝光、1：

1投影式曝光及直接步进重复曝光（DSW）等。

光刻的质量，可以由分辨率、光刻精度（包括线宽尺寸及套刻精度）以及缺陷密度（包括图形完整性、针孔、小岛）等来衡量。

影响光刻质量的主要因素是：

光刻胶、曝光方式（曝光系统）及刻蚀方法。

在光刻工艺中使用的光刻胶有两大类：

一类叫负性光刻胶，其未感光部分能被适当的溶剂溶除，而感光的部分则留下，所得的图形与光刻掩模图形相反；另一类叫正性光刻胶，其感光部分能被适当的溶剂溶除而留下未感光的部分，所得图形与光刻掩模图形相同。

光刻工艺一般包括：

前烘、曝光、显影、、坚膜、（后烘）或硬化处理。

然后通过刻蚀将图形转移到其他薄膜或者硅片上，最后用化学试剂或者氧的等离子体去胶，完成整套光刻工艺。

在光刻工艺中，有一种代替刻蚀方法的工艺，我们称之为剥离工艺（Liftoff）。

这个工艺普遍用来替代离子轰击来刻蚀难于刻蚀的材料。

剥离技术的工艺过程如下图3.1所示。

首先涂上厚的光刻胶并形成图案，接下来，使用蒸发技术淀积一个金属薄层。

蒸发的一个特点是对高纵横比的图形覆盖性差。

如果光刻胶得到一个凹的剖面，金属条保证会断线。

接下来硅片浸到能溶解光刻胶的溶液里，直接淀积在硅片上的金属线将被保留，而淀积在光刻胶上的金属将光刻胶溶解而从硅片上脱离。

这样避免了对衬底的刻蚀损伤，并且由于无限的选择性，金属图形不会出现底切。

这个过程正好与刻蚀过程相反。

由于这工艺的最简单形式，只需要一个腐蚀槽和可能的超声波振动，因此被广泛地用于实验室研究。

3.2光刻胶

光刻胶由高分子聚合物、增感剂和溶剂（还有其它添加剂）按一定比例配制而成。

光刻胶的性能取决于它的组分及组分间的相互作用。

光刻胶的性能指标有感光度、分辨率、粘附性、抗蚀性、针孔密度、留膜率、稳定性等。

感光度：

感光度是表征光刻胶对光线敏感程度的性能指标。

它既与光刻胶本身的性质有关，又与具体的光刻工艺条件有关。

通常用Minsk法来测定感光度,Minsk等提出以感光性树脂的曝光量H的倒数来表示其在逃度S，即S=K/H。

式中K为常数，H为曝光量。

分辨率：

分辨率是光刻的又一项重要性能指标。

它是指用某种光刻胶光刻时所得到　的光刻图形的最小尺寸。

分辨率通常以每毫米内能刻蚀出可分辨的最多线条数来表示。

影响光刻脱位因素，除光刻胶本身的结构性质外，还受光刻工艺条件、操作技术、硅片表面状况等因素的影响。

对于前者来说，正胶的分辨率高于负胶；平均分子量越高，分子量分散性越大，则分辨率越低。

对于后者，有胶膜厚度、显影条件、曝光时间、硅片平整度等。

粘附性：

光刻胶与衬底（如SiO2、金属等）之间粘附的牢固程度直接影响到光刻的质量。

如：

显影时图形的几何尺寸是否会发生变化，以及腐蚀时是否会发生浮胶和钻蚀等现象。

抗蚀性：

湿法刻蚀SiO2或金属时，要求光刻胶本身能经受住酸、碱的浸蚀；干法刻蚀时，要求光刻胶能较长时间经受住等离子体的作用。

光刻胶的抗蚀性既与其本身的性质有关，也与工艺条件有关。

针孔密度：

单位面积上的针孔数称为针孔密度。

光刻胶膜上的针孔在腐蚀过程中会传递到衬底上去，危害极大。

针孔的产生除与光刻胶本身的质量有关外，还与具体的工艺条件和环境的洁净度有关。

产生针孔的主要原因是颗粒性污染，所以保证所用材料的纯净并在洁净的环境下操作是十分重要的。

留膜率：

留膜率是指曝光显影后的非溶性胶膜厚度与曝光前胶膜厚度之比。

由于对腐蚀起保护的是曝光、显影后的胶膜，故要求对光刻胶有的留膜率。

留膜率除与光刻胶本身有关外，还受光刻工艺条件的影响。

如胶膜厚度、前烘温度、曝光气氛、曝光量、显影液成分等。

IC制造中用的光刻胶通常有三种成分，树脂或基体材料、感光化合物（PAC）、以及可控制光刻胶机械性能（类如基体黏滞性）并使其保持液体状态的溶剂。

在正性光刻胶中，PAC在曝光前作为一种抑制剂，降低光刻胶在显影溶液中的溶解速度。

在正性光刻胶暴露于光线时有化学反应，使抑制剂变成了感光剂，从而增加了胶的溶解速率。

理想情况下，抑制剂应完全阻止光刻胶的任何溶解，而增强剂则产生一个无限大的溶解速率。

3.3光刻基本工艺

光刻基本工艺有基底表面处理、涂胶、前烘、曝光、显影、坚膜、腐蚀、去胶八个工序。

（一）硅片的清洗处理

清洗处理的目的是使片子表面清洁干燥，能和抗蚀剂很好地粘附，这是影响光刻质量的重要因素。

一般，在刚刚取出的氧化或蒸发片上立即涂胶，效果比较理想。

对已经玷污的氧化片，必须进行清理处理。

可用浓硫酸煮，冷热去离子水冲洗，最后烘干即可。

对于蒸有金属表面，则可用有机溶剂（如丙酮）擦，然后在红外灯下烘干。

（二）涂胶

涂胶是在光刻硅片表面涂敷上一层光刻胶膜。

涂胶要求是：

粘附良好、均匀、厚薄适当。

涂胶方法有浸涂法、喷涂法和旋转法等。

最常用的方法是旋转法。

甩胶机是光刻工艺中的必要装置，它利用离心原理产生厚度均匀的感光胶膜，以便随后的曝光顺利进行，获得精确的几何图案。

为了对应不同浓度的胶液，获得匀质胶膜，通常甩胶机设计成速度和时间可调型。

（三）前烘

前烘的目的是使胶膜体内的溶剂充分的挥发，使胶膜干燥，以增加胶膜与其他薄膜的粘附性和胶膜的耐磨性，即在曝光对准时允许胶膜与掩模版有一定紧贴而不磨损，不玷污掩模版；同时，只有光刻胶干燥，曝光时才能充分进行光化学反应。

（四）对准与曝光

曝光的光源一般采用发射紫外光的水银灯，并尽量形成平行光束垂直照射到硅片上。

曝光时间要求严格控制。

由于光的衍射、反射和散射作用，曝光时间越长，分辨率越低。

但曝光不足，光反应不充分，显影时部分胶被溶解。

胶面发黑呈桔皮状，抗蚀性大大降低。

（五）显影

显影是把曝光后的基片放在显影液里，将应去除的光刻胶膜除干净，以获得所需要的抗蚀剂的图形。

显影液和显影时间的选择对显影效果的影响极为重要。

显影液的选择原则是：

对需要去除的那部分胶膜溶解的快，溶解度大，对需要保留的那部分胶膜溶解度极小。

此外，显影液内有害物杂质少，毒性小。

所以，不同的光刻胶，要求不同的显影液。

显影时间随抗蚀剂的种类、膜厚、显影种类、显影温度和操作方法不同而不同，要根据实际情况进行选择和调整。

显影时间过长，会使胶膜软化膨胀，图形边缘发生钻溶而变坏，影响分辨率，甚至出现浮胶现象。

若显影时间过短，显影不足。

（六）坚膜

坚膜就是在一定的温度下将显影后的片子进行烘烤，除去显影时胶膜所吸收的显影液和残留水分，改善胶膜与基片间的粘附性，增加胶膜的抗蚀能力，以及消除显影时所引起的图形变形。

（七）腐蚀

腐蚀就是用适当的腐蚀剂，按照光刻胶上已显出来的图形，完整、清晰、准确地腐蚀，供选择性扩散或达到金属布线的目的。

他是影响光刻精度的重要环节。

（八）去胶

去胶就是在薄膜上的图形作出来后，把其保护作用或模子的胶除净。

主要方法有：

（1）溶剂去胶；

（2）氯化去胶；（3）等离子去胶。

4刻蚀

4.1概述

在硅片表面形成光刻胶图形之后，下一步通常是通过刻蚀工艺将该图形转移到光刻胶下边的层上。

本章将简单介绍刻蚀工艺。

刻蚀是为了去除显影后裸露出来的介质层。

对于光刻过程中的刻蚀，一般应考虑以下六个问题：

①刻蚀均匀性；②刻蚀方向性；③刻蚀选择性；④刻蚀速度；⑤公害和安全措施；⑥经济性。

其中最重要的问题是刻蚀方向性与刻蚀选择性。

所谓刻蚀方向性是指待刻蚀材料本身在横向与纵向两个方向上刻蚀速率的相对大小。

从控制线宽的角度考虑，希望纵横向的蚀速比尽量大，既要求刻蚀各向异性，两者差异越大越好。

但从台阶覆盖考虑，希望台阶有一定的斜坡，因此不希望横向蚀速为零。

所谓刻蚀选择性是指待刻蚀材料本身的纵向蚀速与其下紧挨着的介质层的纵向蚀速两者的相对大小。

从刻蚀终点控制的角度考虑希望前者尽量大，后者应尽量小。

刻蚀方法可分为使用化学试剂的湿法刻蚀和使用气体的干法刻蚀（等离子体刻蚀、反应离子刻蚀）两种。

本文主要介绍干法刻蚀中的等离子刻蚀。

4.2干法刻蚀

4.2.1概述

干法刻蚀具有分辨率高、各向异性刻蚀能力强、不同材料之间的刻蚀选择比大、刻蚀均匀性和重复性好，以及易于实现连续自动操作等优点。

4.2.2等离子体刻蚀的基本原理

等离子体刻蚀是依靠高频辉光放电形成的化学活性游离基与被刻蚀材料发生化学反应的一种选择性刻蚀方法。

它可以用集成电路工艺中常用的光刻胶作掩模。

对抗蚀剂的粘附性也没有严格的要求。

与沿用的湿法化学刻蚀相比，它具有干燥、清洁、工艺简单、分辨率高和尺寸公差小等优点。

此外，刻蚀后可立即在同一设备内用氧等离子体进行去胶，提高了工作效率和器件的加工质量。

气体等离子体的产生过程及其刻蚀作用：

气体中总存在微量的自由电子。

在外电场的作用下，这些电子便加速运动。

当电子在外电场中获得足够的能量后与气体分子发生碰撞时，可使气体分子电离而发射出二次电子。

二次电子可进一步与气体分子发生碰撞电离，产生更多的电子与离子。

由于存在电子与离子相复合的逆过程，电离与复合过程最终必将达到一种平衡状态，出现稳定的辉光放电现象，形成稳定的等离子体。

在放电过程中，除了形成电子与离子之外，还右产生激发态的分子、原子及各种原子团，这些东西统称为游离基。

游离基具有高度的化学活性，正是它们与被蚀材料的表面发生化学反应，形成挥发性的产物，使材料不断被刻蚀。

5实验

5.1实验前的准备工作

在做实验前，首先应做好准备工作。

这就需要对实验设备非常清楚，对它的技术参数、性能要求、原理结构等要清楚掌握，能够做到熟练操作。

下面将对本文所涉及的仪器、化学试剂、化学原料以及实验方法做一简单介绍。

仪器的具体操作步骤可参照相关资料。

5.1.1仪器简述

KW型匀胶机

KW型匀胶机适用于半导体工艺，制版及表面涂覆等工艺。

匀胶机稳定的转速和快速的启动，可以保证胶厚的一致性和均匀性，为此，该机采取了如下措施：

①定子和转子分开供电；②匀胶机有两个转速；③本匀胶机测速采用光电的办法。

特点是双转速匀胶机，两档转速及其匀胶时间分别连续调节，在启动后先低速运转，经几秒钟后自动转换到高档运转。

Ⅰ档转速：

500—2500转/分速匀胶时间：

2—18秒

Ⅱ档转速：

1000—8000转/分速匀胶时间：

3—60秒

转速稳定度±1%，胶的均匀性±3%。

体积小，重量轻，操作简便。

适用于￠5至￠100mm硅片及其它材料等匀胶。

DXC350恒温干燥箱

该试验箱采用拼装结构，自然对流方式，具有定时运行功能。

温度范围在40℃～300℃；升温时间约45分钟。

RTP——500型快速热处理设备

1、概述：

速热处理技术（RTP）近年来得到越来越广泛的应用，可用于硅及其化合物半导体材料离子注入后的退火，硅化物形成，欧姆接触制备以及快速氧化，快速氮化等方面。

该设备具有很好的长时间工作稳定性以及快速升降温，慢速升降温等功能，因此也可用于铁电膜的制备以及各种半导体材料CVD工艺的热处理。

2、原理：

聚光腔内的卤钨灯产生的光辐